• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.490-493
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• 2002

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 side gate 길이와 side gate 전압에 대한 최적의 값을 조사하였다. main gate 50nm에서 각각의 side gate 길이에 대한 최적의 side gate 전압은 대략 3V이다. 또한, main gate 길이에 대한 최적의 side gate 길이는 대략 70nm이다. 이때, side gate 길이에 대한 전달 컨덕턴스 및 subthreshold slope에 대한 값들을 나타내었다. 이때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.661-663
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• 2004

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하기 위하여 side gate 길이와 side gate 전압을 변화시켜 조사하였다. Main gate 전압은 -5V에서 +5V까지 변화시켰으며, main gate 길이가 50nm, side gate 길이가 70nm, side gate 전압이 3V, drain 전압이 2V일때 우수한 C-V 특성을 얻었다. 이 때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.777-779
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• 2003

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. Main gate 전압을 -5V에서 ＋5V까지 변화시킴으로써 main gate 길이가 50nm이고, side gate 길이가 70nm인 MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. 또한, Main gate 길이가 50nm인 double gate MOSFET의 side gate의 길이를 40nm에서 90nm로 변화시키면서 C-V 곡선을 비교ㆍ분석하였다. Side gate 길이가 줄어들수록 전달컨덕턴스는 증가하고, 커패시턴스는 감소하는 경향을 나타내었다. 게이트 전압이 1.8V일 때, side gate의 영향으로 C-V곡선에 굴곡이 나타났으며, 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.693-695
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• 2003

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 동작 온도에 따른 전류-전압 특성을 조사하였다. main gate와 side gate 길이는 각각 50nm, 70nm로 하였으며, main gate와 side gate 전압이 각각 1.5V, 3.0V일 때 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 조사하였다. 실온에서보다 77K일 때가 전류-전압 특성이 우수하였으며, 이때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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• pp.261-263
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• 2002

CMOS 소자들은 고속 동자 및 고집적을 위해 50nm이하로 작아지고 있다. 소자 scaling에서 중요한 것은 스케일 되지 않은 문턱 전압($V^{th}$ ), 고 전계, 기생 소스/드레인 저항과 임의의 dopant 분배에 의한 $V^{th}$ 변화율이다. 이런 일반적인 소자의 scaling down 문제들을 해결하기 위해 새로운 소자의 구조가 제안된다. 본 논문에서는 이런 문제들을 해결하기 위해 main-gate와 side-gates를 갖는 double-gate MOSFET에 대해 조사하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.690-692
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• 2003

본 논문에서는 main gate 50nm를 갖는 double gate MOSFET에서 side gate의 길이변화에 따른 주파수 특성을 조사하였다. side gate길이가 감소할수록 컷오프 주파수는 증가하는 것을 볼 수 있었다. 결과적으로 side gate 길이가 70nm일 때 최적의 동작 특성을 보였으며, 이때 컷오프 주파수는 41.4GHz로 매우 높은 컷오프 주파수를 갖음을 알았다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.486-489
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• 2002

본 논문에서는 50nm 이하의 double gate MOSFET의 특성을 조사하였다. 1.5V의 main gate 전압과 3V의 side gate 전압이 인가될 때 I-V 특성으로부터 IDsat=510$\mu$A/$\mu\textrm{m}$을 얻을 수 있었다. 이때, 전달 컨덕턴스는 111$\mu$A/V, subthreshold slope는 86mV/dec, DIBL값은 51.3mV이다. 그밖에 TCAD tool이 소자 시뮬레이터로서 적합함을 나타내었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권1호
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• pp.27-31
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• 2004

Models and simulations of gate tunneling current for thinoxide MOSFETs and Double-Gate SOIs are discussed. A guideline in design of leaky MOS capacitors is proposed and resonant gate tunneling current in DG SOI simulated based on quantum-mechanicalmodels. Gate tunneling current in fully-depleted, double-gate SOI MOSFETs is characterized based on quantum-mechanical principles. The simulated $I_G-V_G$ of double-gate SOI has negative differential resistance like that of the resonant tunnel diodes.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권10호
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• pp.16-24
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• 2009

Independent-Gate-Mode Double-Gate(IGM-DG) MOSFET는 기존의 DG-MOSFET의 3-terminal 소자구조가 갖고 있는 한계에서 벗어나 front-gate와 back-gate를 서로 다른 전압으로 구동하는 것이 가능하다. IGM-DG를 이용함으로써 4번째 단자의 자유도에 의해 회로설계가 간단해 질 뿐 아니라, 집적도를 향상시킬 수 있는 장점을 가진다. 본 논문에서는 IGM-DG MOSFET를 사용하여 RF 수신단을 설계하였고, HSPICE 시뮬레이션을 통해 회로성능을 검증하고 소자의 특성변화에 따른 최적의 회로설계 방향을 제시하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.498-501
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• 2002

본 논문에서는 main gate(MG)와 side gate(SG)를 갖는 double gate(DG) MOSFET를 디자인하고 TCAD를 이용하여 시뮬레이션하였다. MG와 SG의 길이(LMG, LSG)는 각각 50nm, 70nm로 하였으며, MG와 SG의 전압(VMG, VSG)이 각각 1.5V, 3.0V일 때 드레인전압(VD)을 0에서 1.5V까지 변화시키면서 핀치오프특성을 조사하였다. LMG가 아주 작음에도 불구하고, 핀치-오프특성이 아주 좋게 나타났다. 이것은 DG MOSFET의 VMG가 게이트를 제어하는 역할을 잘 수행하여 나노 구조에서 유용한 구조임을 알 수 있었다.