Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2002.11a
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- Pages.486-489
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- 2002
Characteristics analysis of Sub-50nm Double Gate MOSFET
Sub-50nm Double Gate MOSFET의 특성 분석
Abstract
In this paper, we have investigated characteristics of sub-50nm double gate MOSFET. From I-V characteristics, we obtained =510
본 논문에서는 50nm 이하의 double gate MOSFET의 특성을 조사하였다. 1.5V의 main gate 전압과 3V의 side gate 전압이 인가될 때 I-V 특성으로부터 IDsat=510