• 제목/요약/키워드: Dot

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Quenched Fano effect due to one Majorana zero mode coupled to the Fano interferometer

  • Wang, Qi;Zhu, Yu-Lian
    • Current Applied Physics
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    • 제18권11호
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    • pp.1275-1279
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    • 2018
  • We investigate the change of the Fano effect by considering one Majorana zero mode to couple laterally to the single-dot Fano interferometer. It is found that the Majorana zero mode quenches the Fano effect thoroughly and causes the conductance to be independent of the dot level, the dot-lead coupling, and the increase of the Majorana-dot coupling. As a result, the linear conductance becomes only related to the interlead coupling and the magnetic-flux phase factor. These results can be helpful for the detection of Majorana zero mode.

DDInSAR 기반의 빙하연구를 위한 동남극 테라노바 만의 조위모델 정밀도 평가 (Accuracy Assessment of Tide Models in Terra Nova Bay, East Antarctica, for Glaciological Studies of DDInSAR Technique)

  • 한향선;이주한;이훈열
    • 대한원격탐사학회지
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    • 제29권4호
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    • pp.375-387
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    • 2013
  • 이중차분간섭기법(Double-Differential Interferometric SAR; DDInSAR)을 이용하여 빙하의 조위반응을 정확히 해석하기 위해서는 극지 해양에 대한 조위모델의 정밀도 평가가 수행되어야 한다. 이 연구에서는 동남극 테라노바 만에서 TPXO7.1, FES2004, CATS2008a, Ross_Inv 조위모델의 정밀도를 평가하기 위해 2년 동안 획득된 16쌍의 one-day tandem COSMO-SkyMed SAR 간섭영상으로부터 생성한 120개의 DDInSAR 영상과 수압식 파고계로 11일 동안 실측한 조위를 이용하였다. 먼저, DDInSAR 영상과 조위모델로 추출된 조위의 이중차분값(${\Delta}\dot{T}$)을 비교하였으며, 실측조위와 조위모델의 조위(T), 그리고 실측조위와 조위모델 조위의 24시간 차분값($\dot{T}$)을 비교하였다. ${\Delta}\dot{T}$와 T, $\dot{T}$의 평균제곱근오차(root mean square error; RMSE)는 조위모델의 역기압 효과(inverse barometer effect; IBE) 보정 후에 감소하였고, 이로부터 조위모델의 IBE는 필수적으로 보정되어야 함이 확인되었다. $\dot{T}$${\Delta}\dot{T}$는 T보다 작은 RMSE를 보였다. 이는 SAR 간섭쌍의 시간차(24시간) 동안의 차분값인 에 조위모델과 실측조위의 평균해수면 오차와 조위모델이 사용하는 조화상수 중 $S_2$, $K_2$, $K_1$, $P_1$의 오차가 상쇄되기 때문이다. 따라서 IBE가 보정된 조위모델의 $\dot{T}$${\Delta}\dot{T}$가 DDInSAR 기법에 사용될 수 있음을 확인하였다. 단기간 실측된 조위로는 최적의 조위모델 선정에 어려움이 있었으나, DDInSAR를 이용한 정밀도 평가에 의하면 Ross_Inv가 4.1 cm의 RMSE를 보여 테라노바 만의 DDInSAR에 가장 적합한 조위모델로 확인되었다.

하부 거울층을 이용한 AIGaAs/GaAs 완전 공핍 광 싸이리스터 특성 분석 (Analysis of AIGaAs/GaAs Depleted Optical Thyristor using bottom mirror)

  • 최운경;김두근;최영완
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권1호
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    • pp.39-46
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    • 2005
  • 본 연구에서는 광논리 및 광접속에 응용할 수 있는 GaAs/AIGaAs 구조의 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor, DOT)에 1/4 파장 거울층 (quarter wavelength reflector stacks, QWRS)을 제작하여 특성을 측정 분석하였다. 바닥면에 위치한 QWRS는 광 방출 효율뿐만 아니라 흡수 효율을 증가시킨다. 바닥면에 QWRS를 넣은 것과 그렇지 않은 두가지의 DOT를 제작하여 비선형 S-자 형의 전류-전압 특성, 광 방출 효율 및 흡수 효율을 측정, 분석하였다. 하부 거울층을 삽입한 DOT와 기존의 DOT의 스위칭 변화는 각각 1.82 V와 1.52 V로 흡수효율에서 20 % 증가함을 보인다. 뿐만 아니라, 하부 거울층을 이용한 DOT는 기존의 소자에 비하여 발광 효율 면에서 최고 46 % 향상된 결과를 나타낸다. 스위칭 특성을 분석하기 위하여 순방향 전압에서 비선형 s-자형의 전류-전압 특성을, 역방향 전압에서 완전 공핍 전압을 모의실험을 통하여 알아보았다. 모의실험 방법으로 유한 차분 방법 (finite difference method, FDM)을 이용하여 최적화된 DOT 각 층의 두께와 도핑 농도를 구하였다.

Novel DOT1L ReceptorNatural Inhibitors Involved in Mixed Lineage Leukemia: a Virtual Screening, Molecular Docking and Dynamics Simulation Study

  • Raj, Utkarsh;Kumar, Himansu;Gupta, Saurabh;Varadwaj, Pritish Kumar
    • Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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    • 제16권9호
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    • pp.3817-3825
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    • 2015
  • Background: The human protein methyl-transferase DOT1L catalyzes the methylation of histone H3 on lysine 79 (H3K79) at homeobox genes and is also involved in a number of significant processes ranging from gene expression to DNA-damage response and cell cycle progression. Inhibition of DOT1L activity by shRNA or small-molecule inhibitors has been established to prevent proliferation of various MLL-rearranged leukemia cells in vitro, establishing DOT1L an attractive therapeutic target for mixed lineage leukemia (MLL). Most of the drugs currently in use for the MLL treatment are reported to have low efficacy, hence this study focused on various natural compounds which exhibit minimal toxic effects and high efficacy for the target receptor. Materials and Methods: Structures of human protein methyl-transferase DOT1L and natural compound databases were downloaded from various sources. Virtual screening, molecular docking, dynamics simulation and drug likeness studies were performed for those natural compounds to evaluate and analyze their anti-cancer activity. Results: The top five screened compounds possessing good binding affinity were identified as potential high affinity inhibitors against DOT1L's active site. The top ranking molecule amongst the screened ligands had a Glide g-score of -10.940 kcal/mol and Glide e-model score of -86.011 with 5 hydrogen bonds and 12 hydrophobic contacts. This ligand's behaviour also showed consistency during the simulation of protein-ligand complex for 20000 ps, which is indicative of its stability in the receptor pocket. Conclusions: The ligand obtained out of this screening study can be considered as a potential inhibitor for DOT1L and further can be treated as a lead for the drug designing pipeline.

한탄바이러스 핵단백질을 이용한 항 한타바이러스 항체 검색용 Dot Blot Assay (Dot Blot Assay for Screening of Anti-hantavirus Antibodies by Using Nucleocapsid Protein of Hantaan Virus)

  • 조해월;정연준;김정림;반상자;남재환;이형우;이유진;김은정
    • 대한바이러스학회지
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    • 제26권1호
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    • pp.59-65
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    • 1996
  • For easy and rapid screening of hemorrhagic fever with renal syndrome (HFRS) without any laboratory equipment, dot blot enzyme immunoassay was developed and tried to detect anti-hantavirus antibodies. The nucleocapsid protein of Hantaan virus was isolated by affinity chromatography and used for making the dot strip. 28 of 29 Hantaan virus infected sera showed positive signals and 21 of 22 HFRS negative sera showed no positive signals. Anti-Seoul virus monoclonal antibody also exibited positive signal but the intensity of colorization was approximately 5 fold less than that of anti-Hantaan monoclonal antibody. The sensitivity of dot blot assay was equal or superior to indirect immunofluorescent assay (IFA) or ELISA test. Overall, the screening results with dot blot assay showed 92.2 % of concordance with IFA or ELISA test. This results suggests that dot blot assay could be applied a tool for easy and rapid screening of HFRS.

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Shape anisotropy and magnetic properties of Co/Ni anti-dot arrays

  • Deshpande, N.G.;Seo, M.S.;Kim, J.M.;Lee, S.J.;Lee, Y.P.;Rhee, J.Y.;Kim, K.W.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.444-444
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    • 2011
  • Recently, patterned magnetic films and elements attract a wide interest due to their technological potentials in ultrahigh-density magnetic recording and spintronic devices. Among those patterned magnetic structures, magnetic anti-dot patterning induces a strong shape anisotropy in the film, which can control the magnetic properties such as coercivity, permeability, magnetization reversal process, and magneto-resistance. While majority of the previous works have been concentrated on anti-dot arrays with a single magnetic layer, there has been little work on multilayered anti-dot arrays. In this work, we report on study of the magnetic properties of bilayered anti-dot system consisting of upper perforated Co layer of 40 nm and lower continuous Ni layer of 5 nm thick, fabricated by photolithography and wet-etching processes. The magnetic hysteresis (M-H) loops were measured with a superconducting-quantum-interference-device (SQUID) magnetometer (Quantum Design: MPMS). For comparison, investigations on continuous Co thin film and single-layer Co anti-dot arrays were also performed. The magnetic-domain configuration has been measured by using a magnetic force microscope (PSIA: XE-100) equipped with magnetic tips (Nanosensors). An external electromagnet was employed while obtaining the MFM images. The MFM images revealed well-defined periodic domain networks which arise owing to the anisotropies such as magnetic uniaxial anisotropy, configurational anisotropy, etc. The inclusion of holes in a uniform magnetic film and the insertion of a uniform thin Ni layer, drastically affected the coercivity as compared with single Co anti-dot array, without severely affecting the saturation magnetization ($M_s$). The observed changes in the magnetic properties are closely related to the patterning that hinders the domain-wall motion as well as to the magneto-anisotropic bilayer structure.

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광학적 망점확대의 상당산란면적 모델에 관한 연구 (Equivalent Scattering Area Model of Optical Dot Gain)

  • 강상훈
    • 한국인쇄학회지
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    • 제12권1호
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    • pp.43-55
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    • 1994
  • To investigate relations between Grain-shape of plate and Dot-Gain in the lithography, Printing plates were made by Mechanical Grain, Brush Grain and Electrolytic Grain method.Fine multi-grain by electrolytic method of them resulted in less Dot-grain on the paper, more damping water on the none image part of printing plate.

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Characterization of InAs Quantum Dots in InGaAsP Quantum Well Grown by MOCVD for 1.55 ${\mu}m$

  • 최장희;한원석;송정호;이동한
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.134-135
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    • 2011
  • 양자점은 전자와 양공을 3차원으로 속박 시키므로 기존의 bulk나 양자우물보다 양자점을 이용한 레이저 다이오드의 경우 낮은 문턱 전류, 높은 미분이득 및 온도 안전성의 장점이 있을 거라 기대되고 있다. 그러나, 양자점은 낮은 areal coverage 때문에 높은 속박효율을 얻지 못하고 있다. 이러한 양자점의 문제점을 해결하기 위해 양자점을 양자우물 안에 성장시켜 운반자들의 포획을 향상시키는 방법들이 연구되고 있다. 양자우물 안에 양자점을 넣으면 양자우물이 운반자들의 포획을 증가 시키고, 열적 방출도 억제하여 온도 안정성이 향상 되는 것으로 알려져 있다. 광통신 대역의 1.3 ${\mu}m$ 경우, GaAs계를 이용하여 InAs 양자점을 strained InGaAs 박막을 우물층으로 한 dot-in-a-well 구조의 연구는 몇몇 보고된 바 있다. 그러나 InP계를 사용하는 1.55 ${\mu}m$ 대역에서 dot-in-a-well구조의 연구는 아직 미미하다. 본 연구에서는 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 InP 기판 위에 InAs 양자점을 자발성장법으로 성장하였으며 dot-in-a-well 구조에서 우물층으로 1.35 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.69}Ga_{0.31}As_{0.67}P_{0.33}$ (1.35Q)를, 장벽층으로는 1.1 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.85}Ga_{0.15}As_{0.32}P_{0.68}$(1.1Q)를 사용하였다. 양자우물층과 장벽층은 모두 InP 기판과 격자가 일치하는 조건으로 성장하였다. III족 원료로는 trimethylindium (TMI)와 trimethylgalium (TMGa)을 사용하였으며 V족 원료 가스로는 $PH_3$ 100%, $AsH_3$ 100%를, carrier gas로는 $H_2$를 사용하였다. InP buffer층의 성장 온도는 640$^{\circ}C$이며 양자점 성장 온도는 520$^{\circ}C$이다. 양자점 형성은 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)를 이용하여 확인하였으며, 박막의 결정성은 쌍결정 회절분석(Double crystal x-ray deffractometry)를 이용하여 확인하였다. 확인된 성장 조건을 이용하여 양자점 시료를 성장하였으며 광여기분광법(Photoluminescence)을 이용하여 광특성을 분석하였다. Fig. 1은 dot in a barrier 와 dot-in-a-well 시료의 성장구조이다. Fig. 1(a)는 일반적인 dot-in-a-barrier 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장한 후 양자점을 성장하였다. 그 후 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 1(b)는 dot-in-a-well 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장 후 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하였다. 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 그 후에 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하고 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 2는 dot-in-a-barrier 시료와 dot-in-a-well 시료의 상온 PL data이다. Dot-in-a-barrier 시료의 PL 파장은 1544 nm이며 반치폭은 79.70 meV이다. Dot-in-a-well 시료의 파장은 1546 nm이며 반치폭은 70.80 meV이다. 두 시료의 PL 파장 변화는 없으며, 반치폭은 dot-in-a-well 시료가 8.9 meV 감소하였다. Dot-in-a-well 시료의 PL peak 강도는 57% 증가하였으며 적분강도(integration intensity)는 45%가 증가하였다. PL 데이터에서 높은 에너지의 반치폭 변화는 없으며 낮은 에너지의 반치폭은 8 meV 감소하였다. 적분강도 증가에서 dot-in-a-well 구조가 dot-in-a-barrier 구조보다 전자-양공의 재결합이 증가한다는 것을 알 수 있으며, 반치폭 변화로부터 특히 높은 에너지를 갖는 작은 양자점에서의 재결합이 증가 된 것을 알 수 있다. 이는 양자우물이 장벽보다 전자-양공의 구속력을 증가시키기 때문에 양자점에 전자와 양공의 공급을 증가시키기 때문이다. 따라서 낮은 에너지를 가지는 양자점을 모두 채우고 높은 에너지를 가지는 양자점까지 채우게 되므로, 높은 에너지를 가지는 양자점에서의 전자-양공 재결합이 증가되었기 때문이다. 뿐만 아니라 파장 변화 없이 PL peak 강도와 적분강도가 증가하고 낮은 에너지 쪽의 반치폭이 감소한 것으로부터 에너지가 낮은 양자점보다는 에너지가 높은 양자점에서의 전자-양공 재결합율이 급증하였음을 알 수 있다. 우리는 이와 같은 연구에서 InP계를 이용해 1.55 ${\mu}m$에서도 dot in a well구조를 성장 하여 더 좋은 특성을 낼 수 있으며 앞으로 많은 연구가 필요할 것이라 생각한다.

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Current-Voltage Characterization of Silicon Quantum Dot Solar Cells

  • Kim, Dong-Ho
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제10권4호
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    • pp.143-145
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    • 2009
  • The electrical and photovoltaic properties of single junction silicon quantum dot solar cells are investigated. A prototype solar cell with an effective area of 4.7 $mm^2$ showed an open circuit voltage of 394 mV and short circuit current density of 0.062 $mA/cm^2$. A diode model with series and shunt resistances has been applied to characterize the dark current-voltage data. The photocurrent of the quantum-dot solar cell was found to be strongly dependent on the applied voltage bias, which can be understood by consideration of the conduction mechanism of the activated carriers in the quantum dot imbedded material.

점이득 보정과 명도 보정을 이용한 서로 다른 매질 사이의 색정합 (Color matching using dot gain and intensity compensation for different substrates)

  • 이철희;이채수;김경만;하영호
    • 전자공학회논문지S
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    • 제34S권5호
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    • pp.73-85
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    • 1997
  • In a drop-on-demand thermal ink-jet printer, the dot size of an ink droplet expelled from a printer depends on the absorption of the paper. This causes severe differences between output images on the different paper materials. In this paper, the color matching algorithm for different papers is proposed. To achieve corresponding color reproduction, dot gain compensatio nbased on saturation was applied to predict color reproduction on a printer. If the dot gain of pigment increases, the white portion of paper decreases while the saturation value increases monotonically. As the results of dot gain compensation, intensity change may appear. Therefore, an intensity compensation without any hue variation is followed to match the colors of different subtrates.

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