본 논문은 게이트 채널 길이 0.13 [${\mu}m$]의 p-MOS 트랜지스터에서 음 바이어스 온도 불안정(NBTI) 전류 스트레스 인가에 의한 게이트유기 드레인 누설(GIDL) 전류를 측정 분석하였다. NBTI 스트레스에 의한 문턱전압의 변화와 문턱전압아래 기울기와 드레인 전류 사이에 상관관계로부터, 소자의 특성 변화의 결과로 열화에 대한 중요한 메카니즘이 계면 상태의 생성과 관련이 있다는 것을 분석하였다. GIDL 전류의 측정 결과로부터, NBTI 스트레스에 기인한 계면상태에서 전자-정공 쌍의 생성이 GIDL 전류의 증가의 결과를 도출하였다. 이런 결과로 부터, 초박막 게이트 산화막 소자에서 NBTI 스트레스 후에 증가된 GIDL 전류를 고려해야만 한다. 또한, 동시에 신뢰성 특성과 직류 소자 성능의 고려가 나노 크기의 CMOS 통신회로 설계의 스트레스 파라미터들에서 반드시 있어야 한다.
지능형 객차 시스템에서 고속의 멀티미디어 데이터를 무선으로 주고받기 위해 UWB 방식의 WiMedia D-MAC을 고려할 수 있다. 그러나 현재 WiMedia에서는 2홉 이상의 통신 방법이 제공되지 않고 있어 UWB의 통신 제한 거리인 10미터를 넘어서는 경우 데이터를 주고받을 수 없다. 본 논문에서는 WiMedia를 기반으로 멀티홉 라우팅이 가능하도록 하기 위한 첫 번째 단계로 중계 디바이스를 선정하기 위한 알고리즘을 개발하였다. 중계 디바이스의 선정을 위해서 이웃 디바이스에 대한 정보를 비콘 프레임을 통해 얻도록 하였으며, 간단한 연산을 통해 일반 디바이스와 중계 디바이스를 결정하도록 하였다. 그리고 두 번째 단계로 모든 디바이스는 중계 디바이스를 통해 2홉까지의 라우팅 테이블을 만들 수 있고 일정 시간이 지나면 망상의 모든 디바이스를 위한 라우팅 테이블을 완성시킬 수 있다.
멀티미디어 콘텐츠를 초고속으로 제공하기 위한 IPTV 기술은 기존 네트워크 기술, 멀티미디어 기술 및 인터넷 기술 등을 결합하여 구축된 망이다. 그러나 현재 운용되고 있는 인터넷, 방송 및 웹 기술들은 이동장비를 통해 콘텐츠 서비스를 제공받는 사용자와 콘텐츠 서버간의 안전성 문제가 보장되어있지 않기 때문에 IPTV에 최적화되어 있지 않다. 이 논문에서는 콘텐츠를 제공받는 사용자가 이동장비를 통해 선택한 서비스를 안전하게 수신받기 위한 이동 장비와 콘텐츠 서버간의 사용자 인증 메커니즘을 제안한다. 제안된 메커니즘은 요금을 납부한 사용자의 서비스를 불법적으로 이용하는 사용자를 예방하기 위해 사용자 자신이 생성한 난수와 인증토큰을 사용하고 있다. 또한 제안 프로토콜은 사용자의 이동장비에 부착된 자바카드와 권한부여 서버사이에 공유키를 사용하여 사용자 정보, 사용자 프로파일과 같은 민감한 데이터를 암호화한 후 MAC을 사용하여 무선 구간에서 자주 발생하는 reply 공격과 man-in-the-middle 공격을 예방하고 있다.
기존에 사용 중인 컴퓨터 입력기기인 키보드와 마우스는 유비쿼터스 환경에서의 입력기기로서는 휴대성과 직관성의 결여로 사용하기에 부적합하다. 유비쿼터스 환경에서는 휴대성과 직관성이 강화된 차별화된 입력기기가 필요하다. 본 연구에서는 유비쿼터스 환경에 맞는 입력기기에 사용 가능한 센서에 대해 실험하고 그 결과를 바탕으로 유비쿼터스 환경에 맞는 입력기기를 제안하고자 한다.
This paper proposes a wavelength sensor based on the optical directional coupler. The finite-difference time-domain (FDTD) is used in analysis of the field intensity of tile light propagating thorough the structure. The device with tile width of 0.4 $\mu\textrm{m}$ and the thickness of 0.4 $\mu\textrm{m}$, which corresponding with the coupling length of 40$\mu\textrm{m}$, would provide tile linear relationship between the coupling efficiency against the wavelength. The device can sense the wavelength in a range between 1.5$\mu\textrm{m}$ and 1.6$\mu\textrm{m}$, with continuous resolution. The wide wavelength could be also done be paralleling th light to a number of wavelength-sensing modules with particularly required bands. Therefore, it could be employed as the wavelength sensing for most optical communications, optoelectronics, laser applications and etc.
In this paper, an epi layer and a device structure for InP/InGaAs p-i-n/HBT OEIC is designed for a receiving frontend of high speed optical communications. A 3 stage transimpedance circuit using the p-i-n/HBT device is also designed by SPICE simulations for a high sensitivity including ISI noises at a given bit rate. Our simulations show that the Personick's assumption which is not commonly satisfied have estimated a photoreceiver sensitivity too high, so thus we have to also consider ISI noises in OCIC receiver designs.
D2D(Device-to-Device) 통신이란 기지국, AP(Access Point) 등의 인프라를 거치지 않고 단말기 간에 직접 트래픽을 전달하는 통신 방법이다. 기존의 인프라를 통한 통신에 비해 D2D 통신은 근접성의 이점을 통해 자원의 효율성을 높이고 인프라의 부하를 줄일 수 있다. 특히 셀룰러 네트워크를 기반으로 한 D2D 통신은 전력 절약, 접속 시간 단축, 주파수 자원 절약 등의 이점이 있기 때문에 최근 이에 대한 다양한 연구가 발표되고 있다. 본고에서는 셀룰러 네트워크를 기반으로 한 D2D 통신기술을 소개하고 단말 탐색과 데이터 통신의 두 단계로 나누어 기술 현황을 알아본다.
Power metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices are widely used in power electronics applications, such as brushless direct current motors and power modules. For a conventional power MOSFET device such as trench double-diffused MOSFET (TDMOS), there is a tradeoff relationship between specific on-state resistance and breakdown voltage. To overcome the tradeoff relationship, a super-junction (SJ) trench MOSFET (TMOSFET) structure is studied and designed in this letter. The processing conditions are proposed, and studies on the unit cell are performed for optimal design. The structure modeling and the characteristic analyses for doping density, potential distribution, electric field, width, and depth of trench in an SJ TMOSFET are performed and simulated by using of the SILVACO TCAD 2D device simulator, Atlas. As a result, the specific on-state resistance of 1.2 $m{\Omega}-cm^2$ at the class of 100 V and 100 A is successfully optimized in the SJ TMOSFET, which has the better performance than TDMOS in design parameters.
본 논문은 OFDMA 셀룰러 네트워크 기반 최적 D2D 통신을 위한 모드 선택 및 자원할당 기법을 제안한다. 제안하는 기법은 단말의 채널 정보를 바탕으로 QoS를 만족하는 D2D-모드 가능 영역을 판별하고, Primal-Dual 알고리즘을 이용하여 최적의 해를 구한다. 시뮬레이션을 통해 제안하는 기법이 기존 기법대비 시스템 수율을 크게 개선함을 확인하였다.
이동통신망 내에서 셀룰러 주파수를 공유하여 사용하는 D2D(Device-to-Device) 단말들이 밀집한 지역에서는 D2D 단말이 대부분의 자원을 점유하므로 셀룰러 단말이 통신을 할 수 없는 문제점이 있다. 본 논문에서는 이러한 환경에서 셀룰러 통신을 보장하기 위해 셀룰러 단말과 인접한 범위에 있는 일부 D2D 단말에 대한 모드 선택기법을 제안한다. 제안기법은 밀집된 D2D 단말들로 인해 가용자원이 없는 셀룰러 단말의 주변에 있는 D2D 단말을 셀룰러 모드로 전환한다. 이를 통해 셀룰러 단말은 D2D 단말이 밀집한 지역에서 셀룰러 통신에 사용할 자원을 확보하여 셀룰러 통신을 할 수 있다. 시뮬레이션을 통해 이동통신망에서 D2D 밀집지역에 있는 셀룰러 통신의 성능이 향상되었음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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