The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.38A
no.12
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pp.1145-1147
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2013
There are two FFT(Fast Fourier Transform) algorithms, which are DIT(Decimation-In-Time) and DIF(Decimation-In- Frequency). Even the DIF algorithm is more widely used because of its various implementation architectures, the DIT structures have not been investigated. In this paper, the DIT Radix-4 algorithm is derived and its efficient butterfly structure is proposed for SoC(System on a Chip) implementation.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.16
no.1
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pp.683-690
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2015
Two basic FFT(Fast Fourier Transform) algorithms are the DIT(Decimation-In-Time) and the DIF (Decimation-In-Frequency). In spite of the advantage of the DIT algorithm is to generate a sequential output, various structures have not been made. In this paper, a new DIT Radix-4 FFT butterfly structure are proposed and implemented using Verilog coding. Through synthesis, it is shown that the 64-point FFT is implemented by 6.78 million gates. Since the proposed FFT structure has the advantage of a sequential output, it can be used in OFDM communication SoC(System on a Chip) which need a high speed FFT output.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.328.1-328.1
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2014
MOSFET degradation의 대부분은 hot-carrier injection에 의한 interface state (Dit)의 생성에서 비롯되며 따라서 본 연구에서는 신뢰성에 대한 한 가지 방법으로 Charge pumping method를 이용하여 MOSFET의 interface trap(Dit)의 변화를 측정하였다. 소스와 드레인을 ground로 묶고 게이트에 펄스를 인가한 후 Icp를 측정하여 Dit를 추출하였다. 온도를 293~343 K까지 5 K씩 가변했을 때 293K의 Icp(${\mu}A$)는 0.12 nA 313 K는 0.112 nA 343 K는 0.926 nA이며 Dit (cm-1/eV-1)는 $1.61{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.49{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.23{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1)이다. 측정결과 Dit는 Icp가 높은 지점에서 추출되며 온도가 높아지게 되면 Icp전류가 낮아지고 Dit가 줄어드는 것을 볼 수 있다. 온도가 올라가게 되면 carrier들이 trap 준위에서 conduction band 위쪽에 이동하게 되어서 interface에 trap되는 양이 작아지게 된다. 그래서 이때 Icp를 이용해 추출한 Dit 는 실제로 trap의 양이 줄어든 것이 아니라 Thermal excess 현상으로 인해 측정되는 Icp의 양이 줄어든 것으로 분석할 수 있다.
This paper proposes DIT (Digital Investment Trust) agent based on ECSSL (Elliptic Curve SSL). This DIT agent is a banking project using IT (Investment Trust) conception based on EC (Electronic Commerce) and can manage micro payment, account opening and account transferring. In addition, ECSSL (Elliptic Curve SSL) protocol is implemented which consists of much better encryption functions than existing SSL (Secure Socket Layer) Protocol. Therefore, This DIT agent based on ECSSL protocol protects a customer's information and asset from third party.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.16
no.8
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pp.5579-5585
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2015
In FFT(Fast Fourier Transform) implementation, DIT(Decimation-In-Time) and DIF (Decimation-In-Frequency) methods are mostly used. Among them, various DIF structures such as Radix-2/4/8 algorithm have been developed. Compared to the DIF, the DIT structures have not been investigated even though they have a big advantage producing a sequential output. In this paper, a butterfly structure for DIT Radix-8 algorithm is proposed. The proposed structure has smaller latency time because of Radix-8 algorithm in addition to the advantage of the sequential output. In case of 4096-point FFT implementation, the proposed structure has only 4 stages which shows the smaller latency time compared to the 12 stages of Radix-2 algorithm. The proposed butterfly can be used in FFT block required the sequential output and smaller latency time.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2002.04b
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pp.951-954
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2002
본 논문에서 제안하는 DIT(Digital Investment Trust) 시스템은 전자상거래 결재 방법으로 이용되는 디지털 캐쉬 시스템을 확장한 개념으로서, 소액지불뿐만 아니라, 계좌 생성 및 계좌 이체를 할 수 있으며, 투자 신탁의 개념을 도입한 인터넷 기반의 은행업무 프로젝트이다. DIT 시스템에선 계좌 생성과 계좌 이체에 암호화 알고리즘인 ADES를 이용하여 고객의 정보를 암호화시켰으며, RSA 알고리즘을 이용하여 전자서명을 하여 고객의 정보와 자산을 제 3자로부터 보호하였다.
There has been rapid diffusion of digital innovation technology(DIT) such as 3 D CAD, CAE, simulation software which enable firms to see the future results of intended product designs through 3 D diagram and simulated results. This technology helps firms to reduce trial and error process by solving later stage problems in earlier stages. The DIT being the technology reflecting the real world, as a tool representing the simplified form of the real world, the degree of reflecting the real world(fidelity) is important in utilizing the DIT. This study is an exploratory research examining the process of reviewing the fidelity of the DITs and developing the complementary process necessary for utilizing the DIT with 'not good enough' fidelity. This study could draw out, from its case study, an exploratory hypothesis about the process of developing the complementary process. In the process, there is an analysis of the corresponding relationship between the actual data and the output data of the DIT, e.g. simulated result. Then the input data or output data are adjusted on the basis of the analysis of the corresponding relationship so that the discrepancy between the actual data and the expected interpretation of the output data, through the adjustment, of the DIT, can be reduced. This process is sometimes accompanied by the process of generating experimental data, which reflect the unique situation of the product development process of a company, to be put to the data base of DIT. The complementary process is the process requiring knowledge sharing and adjustment activities across different divisions. This study draw outs implications for effective management of the fidelity of DIT tools.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2002.11c
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pp.2183-2186
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2002
본 논문에서 제안하는 DIT(Digital Investment Trust) 시스템의 보안설계는 계좌 생성 및 계좌 이체, 자산관리에 관련된 정보를 제 3자로부터 보호하기 위해 ADES(Advanced DES)를 이용하여 고객의 정보를 암호화시켰으며, 전자서명을 위해 ECC, S_SHA 알고리즘을 사용하였다. 특히 전자상거래 결재 상에서 사용하는 전자 화폐는 복사본 생성이 용이하기 때문에 악의의 사용자가 불법 복제하여 전자화폐를 반복적으로 사용할 수 있으므로, 이중사용을 방지하기 위한 사전 검출 방법인 Schnorr 알고리즘을 사용하였다.
The effect of $NH_3$ plasma passivation on the chemical and electrical characteristics of ALD HfAlO dielectric on the InGaAs substrate was investigated. The results show that $NH_3$ plasma passivation exhibit better electrical & chemical performance such as much lower leakage current, lower density of interface trap(Dit) level, and low unstable interfacial oxide. $NH_3$ plasma passivation can effectively enhance interfacial characteristics. Therefore $NH_3$ plasma passivation improved the HfAlO dielectric performance on the InGaAs substrate.
The purpose of this study was to investigate moral judgment among dental hygiene students in Korea. Data was collected through self-reported questionnaires in March, 2008. The Korean version of the DIT(Defining Issues Test) was adopted to evaluate levels of moral judgment, which was measured by the score of P(%). The data were analyzed by a t-test, ANOVA. The results were as follows: 1) The mean score of P(%) was 41.16. 2) The score of P(%) revealed significant differences by family form(p = 0.003).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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