A source meter is a basic instrument to perform a measurement of DC characteristic of semiconductor devices. the source meter can be used as variable voltage source, variable current source, voltage meter, or current meter. The accuracy of the low current measurement can be improved with the compensation of leakage current and charge and discharge current. In the low current measurement, the RC time constant is extremely big, so the measurement speed is very low. In this thesis, the analysis of the behavior of the measurement current according to the RC time constant and output capacitance and the method to accelerate the measurement speed.
In this paper, we proposed measurement error reduction technique for the semiconductor device DC characteristic measurement system. Implemented system is composed of 4 SMUs, 2 VSUs, and 2 VMUs. Various efforts in hardware and software have been made to reduce the measurement errors due to the leakage current in measurement circuits. Internal and external sources of errors in measurement system especially in pA range measurement have been identified and removed. Experimental results show that the implemented system can be measure the DC characteristic of semiconductor devices in pA level.
The effect of external DC electric field on atmospheric corrosion behavior of zinc under a thin electrolyte layer (TEL) was investigated by measuring open circuit potential (OCP), cathodic polarization curve, and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). Results of OCP vs. time curves indicated that the application of external DC electric field resulted in a negative shift of OCP of zinc. Results of cathodic polarization curves measurement and EIS measurement showed that the reduction current of oxygen increased while charge transfer resistance ($R_{ct}$) decreased under the external DC electric field. Variation of OCP negative shift, reduction current of oxygen, and $R_{ct}$ increase with increasing of external DC electric field strength as well as the effect of external DC electric field on double-layer structure in the electrode/electrolyte interface and ions distribution in thin electrolyte layer were analyzed. All results showed that the external DC electric field could accelerate the corrosion of zinc under a thin electrolyte layer.
Kim, Dong-Youn;Im, Won-Sang;Hwang, Seon-Hwan;Kim, Jang-Mok
Journal of Power Electronics
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제15권6호
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pp.1593-1600
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2015
This paper proposes a novel compensation algorithm of current offset error for single-phase linear compressor in home appliances. In a half-bridge inverter, current offset error may cause unbalanced DC-link voltage when the DC-link is comprised of two serially connected capacitors. To compensate the current measurement error, the synchronous reference frame transformation is used for detecting the measurement error. When an offset error occurs in the output current of the half-bridge inverter, the d-axis current has a ripple with frequency equal to the fundamental frequency. With the use of a proportional-resonant controller, the ripple component can be removed, and offset error can be compensated. The proposed compensation method can easily be implemented without much computation and additional hardware circuit. The validity of the proposed algorithm is verified through experimental results.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.148-151
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2002
In order to prevent the failures of underground distribution power cables we need to measure insulation condition in the field. Until now we used DC high voltage as a power source for the cable diagnosis but it was not proper method to the XLPE insulation cables because DC high voltage can affect sound insulation and can't diagnose exactly insulation degradation. For these reasons we imported isothermal relaxation current measurement system called by KDA-1 from germany but it's reliability did not proved in our URD cables. DC voltage decay measurement system was developed by domestic company but they don't have field experience. In this paper we tried to prove reliability of these two systems in the field. Through the field diagnosis and Ac breakdown test the two systems showed similar results.
This paper proposes an algorithm to estimate the screw torque from parameters of induction motor and current of DC motor without strain gage and torque cell. The parameters of friction torque search for damping ratio and electromotive force constant use the motor torque and angula speed signals be generated in the induction motor, make use of oscilloscope and stroboscope for precise measured of experimental data, measured physical parameters through experimental. In addition the screw torque estimated use of measured current signals from induction moor. The results, theory and simulation recognized well coincidence.
We proposed and demonstrated DC(direct current) optical current sensor based on Faraday effect for HVDC(high voltage direct current). The RIG((Bi1.3Gd0.43Y1.27)Fe5O12) was adopted as Faraday device because of its high Verdet constant and good thermal stability. The differential amplification scheme for signal processing was present. The sensor showed high linear response for the input current. Measurement range of the sensor was 0~200A and measurement error was less than 1%.
We fabricated plate typed shunt resistors composed of carbon nanotube (CNT) and metal alloy for measuring DC current. CNT plates were prepared from dispersed CNT/Urethane solution by squeezing method. Cu/Ni alloys were prepared from composition-designed alloy wires for adjusting the temperature coefficient of resistance (TCR) by pressing them. As well, we fabricated a hybrid resistor by squeezing the CNT/Urethane solution on the metal alloy plate directly. In order to confirm the composition ratio of the Cu/Ni alloy, we used an energy-dispersed X-ray spectroscopy (EDX). Cross-section and surface morphology were analyzed by using a scanning electron microscopy (SEM). Finally, we measured the initial resistance of 2.35 Ω at 25℃ for the CNT paper resistor, 7.56 mΩ for the alloy resistor, and 7.38 mΩ for the hybrid resistor. The TCR was also measured to be -778.72 ppm/℃ at the temperature range between 25℃ to 125℃ for the CNT paper resistor, 824.06 ppm/℃ for the alloy resistor, and 17.61 ppm/℃ for the hybrid resistor. Some of the hybrid resistors showed a near-zero TCR of 1.38, -2.77, 2.66, and 5.49 ppm/℃, which might be the world best-value ever reported. Consequently, we could expect an error-free measurement of the DC current using this resistor.
Private electrical facilities are judged whether it is suitable for the insulation aging condition of their incoming underground cables using DC leakage current test method. In the case where the service point of utility is the secondary side of cut out switch installed in the electric pole, there is a problem that it is difficult to separate the lightning arresters(LA) because of their high position of the pole. Therefore, the field test voltage is applied at value lower than DC 30 kV, which are stated in the inspection guideline. However, this test could reduced the insulation performance of the LA by accelerating the electrical stress of the metal oxide varistor element in the pre-breakdown region. In this study, we analyzed the relationship between the DC test voltage and the leakage current using the non-destructive DC high voltage equipment with leakage current measurement function. The results show that the leakage current increases sharply above the specified test voltage. As a consequence, it could be contributed to improve insulation aging inspection method by selecting the possible test area on the VI characteristic curve of the pre-breakdown area of the LA.
In this paper, we design and implement the DC characteristic measurement system for semiconductor devices. The proposed system is composed of 4 SMU(Source and Measure Unit) channels. Various efforts in hardware and software have been made to reduce the measurement errors. Internal and external sources of errors in measurement system especially in pA range measurement have been identified and removed. Also, various digital signal processing techniques are developed. Calibration is executed under the control of microprocessor periodically. Experimental results show that the implemented system can measure the DC characteristic of semiconductor devices with less than 0.2% error in various voltage and current source/measurement range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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