• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.312-312
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• 2013

GaN based light emitting diodes (LEDs) are important devices that are being used extensively in our daily life. For example, these devices are used in traffic light lamps, outdoor full-color displays and backlight of liquid crystal display panels. To realize high-brightness GaN based LEDs for solid-state lighting applications, the development of p-type ohmic electrodes that have low contact resistivity, high optical transmittance and high refractive index is essential. To this effect, indiumtin oxide (ITO) have been investigated for LEDs. Among the transparent electrodes for LEDs, ITO has been one of the promising electrodes on p-GaN layers owing to its excellent properties in optical, electrical conductivity, substrate adhesion, hardness, and chemical inertness. Sputtering and e-beam evaporation techniques are the most commonly used deposition methods. Commonly, ITO films on p-GaN by sputtering have better transmittance and resistivity than ITO films on p-GaN by e-bam evaporation. However, ITO films on p-GaN by sputtering have higher specific contact resistance, it has been demonstrated that this is due to possible plasma damage on the p-GaN in the sputtering process. In this paper, we have investigated the advanced sputtering using plasma damage-free p-electrode. Prepared the ITO films on the GaN based LEDs by e-beam evaporation, normal sputtering and advanced sputtering. The ITO films on GaN based LEDs by sputtering showed better transmittance and sheets resistance than ITO films on the GaN based LEDs by e-beam evaporation. Finally, fabricated of GaN based LEDs by using advanced sputtering. And compared the electrical properties (measurement by using C-TLM) and structural properties (HR-TEM and FE-SEM) of ITO films on GaN based LEDs produced by e-beam evaporation, normal sputtering and advanced sputtering. As a result, It is expected to form plasma damage free-electrode, and better light output power and break down voltage than LEDs by e-beam evaporation and normal sputter.

• Composites Research
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• 제29권5호
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• pp.262-268
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• 2016

본 연구에서는 피치계 탄소섬유기반 탄소종이에 바인더 피치와 PAN계 미분쇄 탄소섬유를 첨가하여 저온탄화를 통해 재함침된 탄소종이를 제작하였으며, 미분쇄 탄소섬유의 첨가가 탄소종이의 기계적 및 전기적 특성과 열전도도에 미치는 영향을 알아보았다. 실험 결과, 인장강도는 미분쇄 탄소섬유 함량 10 wt.%부터 20 wt.%까지 첨가하였을 때 크게 증가하였다. 또한, 미분쇄 탄소섬유 함량이 증가함에 따라 계면접촉저항은 감소하였으며, 전기전도도 및 열전도도는 증가하였다. 이러한 결과는 미분쇄된 탄소섬유의 첨가가 탄소종이의 밀도를 증가시킴에 따라 전기적 및 열적 전달 경로가 형성되었기 때문이라고 판단된다.

• Composites Research
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• 제31권6호
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• pp.412-420
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• 2018

본 연구에서는 면상발열체 특성을 향상시키기 위해 피치계 탄소종이에 전도성 탄소필러로 석유계 코크스, 카본블랙, 흑연을 페놀수지와 함께 함침시켰으며, 탄소종이에 함침된 탄소필러가 물리화학적 성질에 미치는 영향을 전기적, 열적 특성 분석을 통해 고찰하였다. 그 결과, 면저항과 계면접촉저항이 선형적으로 감소하였으며, 탄소필러의 함량이 증가함으로써 전기전도도와 열전도도가 향상하였다. 또한, 탄소종이에 1~5 V 전압을 인가하였을 경우 탄소종이의 면상발열 특성을 관찰하였을 때 5 V 전압에서 최대 $125.01^{\circ}C$로 발열 특성을 나타내었다. 이러한 결과는 탄소섬유 사이에 존재하는 미세공극이 채워짐으로써, 전기적 네트워크가 형성되어 전기적 및 열적 특성이 향상되었기 때문이다.

• 지구물리와물리탐사
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• 제16권2호
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• pp.79-90
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• 2013

지반조사에서 비파괴 조사 기술은 시추조사보다 경제적으로 비용이 덜 들고 광역에 걸친 지반정보를 제공하는 장점이 있다. 하지만 지반설계정수로서 적용하기에는 어려운 한정된 정보만을 제공하게 된다. 이를 극복하기 위해, 비파괴 조사 방법 중 하나인 전기비저항 탐사를 모형토조실험에 적용하여, 토질상태에 따른 비저항 반응과 함수비에 따른 비저항 반응을 분석하여 비저항 거동 양상에 대한 연구를 수행하였다. 실험에 사용한 토질은 주문진 표준사, 마사토이며 각 토질의 입도 분포, 균등계수를 구하여 실험에 있어 실험재료의 균질한 상태를 유지하였다. 실험에 사용한 모형의 제원은 $160{\times}100{\times}50$ (cm)의 아크릴 재질 토조이며, 각 토질의 높이는 30 cm를 유지하였다. 5TE(함수비측정센서)센서를 7 ~ 8cm 간격으로 수직하게 꽂아 층별 함수비를 측정하였다. 모형실험 결과 주문진 표준사는 비저항 거동 양상이 함수비에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었으며, 마사토는 함수비에 따라 비저항이 낮아진 후에도 시간경과에 따른 거동 양상에 큰 변화가 없는 것을 관찰하였다. 또한 토조 실험에 사용된 토양과 유사한 테스트 베드를 선정하여 그 반응을 비교 분석하였다. 이러한 실험을 통해 토질 상태와 함수비에 따른 다양한 비저항 거동 양상 자료를 수집하고, 비파괴 조사기술의 정확도를 향상 시켜 나간다면 지반설계정수를 산정하는데 있어 기초적인 연구가 될 수 있음을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제3권6호
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• pp.661-667
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• 1993

Conatact barrier metal용 selective W CVD 기술에서 $SiH_4//WF_6$(=R)유량비가 W막의 비저항, contact resistance, 접합주설전류 등의 전기적 특성에 미치는 영향을 $\beta$-W 의 생성에 촛점을 맞추어 조사하였다. R의 증가에 따라 W의 비저항이 증가하는데, 그 주원인은 $\alpha$-W로 부터 $\beta$-W 로의 상변태에 있다. $SiH_{4}$환원에 의한 CVD W에서 생성되는 $\beta$-W 는 산소에 의해서가 아니라 막내에 유입된 Si에 의하여 안정화된다. Si기탄상에 W를 증착할 때에는 R값이 클 경우에 $\beta$-W 가 생성되지만, TiN 기판상에 W를 증착할 때에는 R값이 큰 경우에도 $\beta$-W 가 생성되지 않는 것으로 나타났다. 또한 R이 증가함에 따라 접합누설전류가 증가하는데, 이것은 W-Si계면에 대한 수직방향으로의 Si의 소모뿐만 아니라 수평방향으로의 Si의 소모에도 그 원인이 있는 것으로 보인다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권2호
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• pp.283-287
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• 2017

Recently, Ni-InGaAs has been required for high-performance III-V MOSFETs as a promising self-aligned material for doped source/drain region. As downscaling of device proceeds, reduction of contact resistance ($R_c$) between Ni-InGaAs and n-InGaAs has become a challenge for higher performance of MOSFETs. In this paper, we compared three types of sample, vacuum, 2% $H_2$ and 4% $H_2$ annealing condition in rapid thermal annealing (RTA) step, to verify the reduction of $R_c$ at Ni-InGaAs/n-InGaAs interface. Current-voltage (I-V) characteristic of metal-semiconductor contact indicated the lowest $R_c$ in 4% $H_2$ sample, that is, higher current for 4% $H_2$ sample than other samples. The result of this work could be useful for performance improvement of InGaAs n-MOSFETs.

• 태양에너지
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• 제17권1호
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• pp.59-66
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• 1997

개방전압과 단락전류와 같은 태양전지 출력변수들은 접합깊이, 도핑농도, 금속접합 및 태양전지구조에 의한 변수들이다. 태양전지 설계의 중요한 요소로서 인이 도핑된 에미터와 금속사이의 금속접합은 일함수 차이가 작아 낮은 직렬저항을 가져야 한다. PESC 태양전지는 금속 접합장벽 전극으로 티타늄을 사용한다. 새로운 접합장벽 전극물질로 티타늄과 일함수가 비슷하지만 전기전도도가 우수한 크롬은 금속 접합장벽 전극으로 유망한 금속이다. 티타늄은 일함수 차가 작지만, 접합장벽으로 크롬은 태양전지 제조시 티타늄보다 우수한 전기적 특성들을 갖는다. 본 논문에서는 실리콘 태양전지의 접합장벽 금속전극의 특성을 비교 분석하였다.

• Geomechanics and Engineering
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• 제11권2호
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• pp.197-209
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• 2016

Clayey rock has large clay mineral content. When in contact with water, this expands considerably and may present a significant hazard to the stability of the rock in geotechnical engineering applications. This is particularly important in the present work, which focused on mitigating some unwelcomed properties of clayey rock. Changes in its physical properties were simulated by subjecting the rock to a low voltage direct current (DC) using copper, steel and aluminum electrodes. The modified mechanism of the coupled electrical and chemical fields acting on the clayey rock was analyzed. It was concluded that the essence of clayey rock electrochemical modification is the electrokinetic effect of the DC field, together with the coupled hydraulic and electrical potential gradients in fine-grained clayey rock, including ion migration, electrophoresis and electro-osmosis. The aluminum cathodes were corroded and generated gibbsite at the anode; the steel and copper cathodes showed no obvious change. The electrical resistivity and uniaxial compressive strength (UCS) of the modified specimens from the anode, intermediate and cathode zones tended to decrease. Samples taken from these zones showed a positive correlation between electric resistivity and UCS.

• 대한설비공학회:학술대회논문집
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• 대한설비공학회 2009년도 하계학술발표대회 논문집
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• pp.183-188
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• 2009

RFID method is a non-contact automatic identification technology, which attaches microchips and antennas to an object in a tag form, to send and process information sent to the network using wireless frequency. Drying and curing process is extremely important which minimizes the resistivity of RFID antennas. This research is about the drying characteristic of conductivity ink, and analyzes and compares the hot-air drying process and infrared drying process. Also, the research was done for the improvement in drying performance by using combined process of hot-air and infrared mechanism. The experiment result shows that the hot-air or infrared drying system used alone cannot meet the required performance in drying printing method using conductivity ink. The combined drying system of hot-air and infrared ray showed resistance low enough in short drying and curing time, and this mechanism makes drying and curing process for mass and continuous production possible on-line.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.269-276
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• 2009

Antimony doped tin oxide ($SnO_2:Sb$) films, which are used as the front contact and back reflector of thin film solar cells, have been deposited by d,c, magnetron sputtering. The dependence of electrical and optical properties of the films on the preparation conditions, such as $O_2$ gas ratio, substrate temperature, annealing temperature was investigated. The sputter gas composition was found to affect the properties of the films. With incorporating $O_2$ gas, the electrical and optical properties of films significantly were improved. The minimum resistivity and optical transmittance over 80 % in visible region were obtained at the oxygen concentration of 30 %, When the substrate temperature was higher, the resistivity of $SnO_2:Sb$ films was decreased, while the absorption edge shifted to shorter wavelength, indicating higher optical band gap. Heat treatment over $600^{\circ}C$ resulted in poorer electrical and optical properties due to SnO phase (102) plane.