• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권6호
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• pp.603-609
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• 2022

Passivation quality is mainly governed by epitaxial growth of crystalline silicon wafer surface. Void-rich intrinsic a-Si:H interfacial layer could offer higher resistivity of the c-Si surface and hence a better device efficiency as well. To reduce the resistivity of the contact area, a modification of void-rich intrinsic layer of a-Si:H towards more ordered state with a higher density is adopted by adapting its thickness and reducing its series resistance significantly, but it slightly decreases passivation quality. Higher resistance is not dominated by asymmetric effects like different band offsets for electrons or holes. In this study, multilayer of intrinsic a-Si:H layers were used. The first one with a void-rich was a-Si:H(I₁) and the next one a-SiO_x:H(I₂) were used, where a-SiO_x:H(I₂) had relatively larger band gap of ~2.07 eV than that of a-Si:H (I₁). Using a-SiO_x:H as I₂ layer was expected to increase transparency, which could lead to an easy carrier transport. Also, higher implied voltage than the conventional structure was expected. This means that the a-SiO_x:H could be a promising material for a high-quality passivation of c-Si. In addition, the i-a-SiO_x:H microstructure can help the carrier transportation through tunneling and thermal emission.

• 한국엔터테인먼트산업학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.271-281
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• 2019

본 연구의 목적은 대학교 신입생들의 개별성 및 관계성이 대학생활적응에 미치는 영향을 살펴봄으로써 대학생활의 적응력을 높이기 위한 기초자료를 제공하는 데 있다. 연구대상은 충북 C시에 소재한 대학교에 재학 중인 1학년 신입생 383명을 대상으로 하였으며 영향요인을 살펴보기 위해 다중회귀분석을 실시하였다. 본 연구결과 첫째, 일반적 특성에 따른 차이에서 성별은 남학생들이 개별성이 더 높게 나타났으며, 성격은 외향적 학생들이 관계성이 더 높게 나타났다. 전공계열에서는 인문사회계열 학생들은 관계성이, 자연공학계열 학생들은 개별성이 더 높게 나타났다. 둘째, 대학생의 대학생활적응에 영향을 미치는 하위요인은 개별성에서는 자율성, 관계성에서는 친화성과 친밀성이 유의미한 것으로 나타났다. 특히 자율성이 대학생활적응에 가장 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. 이러한 연구결과를 근거로 정책제언을 하면 첫째, 개별성 및 관계성의 조화와 균형이 필요하다. 둘째, 자신이 스스로 선택할 수 있는 활동 및 학습 환경 조성이 필요하다. 셋째, 학과행사, 동아리활동 등 친화성 및 친밀성 증진을 위한 프로그램 개발이 필요하다. 넷째, 개별성 및 관계성 증진을 위해 면대면 접촉을 통한 정서 심리적 프로그램 지원이 활성화 되어야 할 것이다.

• 청정기술
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• 제16권4호
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• pp.277-283
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• 2010

Eosin Y는 식용색소와 염료로 사용되지만 유해한 독성 물질이다. 본 연구에서는 입상활성탄에 의한 eosin Y의 흡착특성을 조사하였다. 활성탄의 양을 고정한 상태에서 초기농도, 접촉시간, pH 및 흡착온도 등이 eosin Y의 흡착에 미치는 영향을 회분식 빛 흡착칼럼실험을 통하여 연구하였다. Eosin Y에 대한 활성탄의 흡착능은 pH 조절에 의해 크게 개선되었으며, pH=3에서 초기농도 10 mg/L의 99%를 제거할 수 있었다. 회분식 흡착실험을 통해 흡착등온선을 구한 결과 eosin Y의 흡착평형관계는 293~333K 범위에서 Freundlich식이 잘 적용되었다. 흡착등온식으로 부터 평가된 k와 ${\beta}$값은 각각 19.56~134.62, 0.442~0.678이었다. 고정층의 운전조건이 파괴곡선에 미치는 영향을 조사하였다. 층높이 3 cm, 유속 2 g/min에서 eosin Y의 유입농도가 10 mg/L에서 30 mg/L로 증가함에 따라 파괴시간은 470분에서 268분으로 감소하였으며, 층높이 3 cm, 유입농도 10 mg/L에서 eosin Y의 초기유속이 l 에서 3 g/min로 증가함에 따라 파괴시간은 272분에서 140분으로 감소하였다. 또한 층높이가 증가함에 따라 파괴시간도 증가하였는데, 흡착대의 길이는 비슷한 양상을 나타냈다.

• 산업융합연구
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• 제20권12호
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• pp.107-115
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• 2022

본 연구는 COVID-19 이후 보건계열과 비보건계열 대학생의 간호사의 이미지에 영향을 미치는 요인을 파악하고자 시도되었다. 연구는 수도권 4개 대학의 보건계열 133명과 비보건계열 123명의 대학생을 대상으로 2021년 11월 15일부터 2021년 11년 28일까지 수집하였다. 본 자료는 SPSS 22.0 Program 이용하여 기술통계, 상관관계 및 다중회귀분석으로 분석하였다. 연구결과, 일반적 특성 중 보건계열 대학생의 1학년 여부가 간호사이미지에 대해 통계적으로 유의미한 차이를 나타내었다(t=2.82, p=.006). 대학생의 간호사이미지는 보건계열과 비보건계열 모두 대중매체 이미지, 전공만족도와 양의 상관관계를 나타내었다. 보건계열 대학생은 대중매체 이미지, 전공만족도, 1학년 여부가 간호사 이미지에 영향을 미치고(F=40.42, p<.001) 비보건계열 대학생은 대중매체 이미지만 간호사 이미지에 영향을 미치는 것으로 나타났다(F=20.13, p<.001). 간호사 이미지의 제고를 위해 뉴미디어를 통한 대중매체와의 접촉을 강화하고 이에 대한 지속적인 관심을 가지고 체계적으로 접근하는 것이 필요하다.

• 자원환경지질
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• 제55권6호
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• pp.583-596
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• 2022

반구대 암각화의 암면은 접촉변성작용을 받아 혼펠스화된 암갈색 셰일이 주류를 이룬다. 이 암면은 일정 깊이의 풍화층을 형성하고 있으며 풍화층과 비풍화층은 광물 및 화학조성에 차이가 있다. 또한 암각화의 표면은 생물 및 화학적 풍화에 의해 전면에 걸쳐 담갈색으로 변색되었다. 비풍화층을 기준으로 색도를 측정한 결과, 풍화층에서는 백색 및 황색도가 증가하였으며, 색차(ΔE)는 5.54~36.89(평균 17.26)를 나타냈다. 암각화 표면의 풍화층에서는 비풍화층에 비해 CaO의 함량이 약 90% 감소하였으며 Sr도 같은 경향을 보였다. 특히 비풍화층의 공극률은 평균 0.4%이나, 풍화층에서는 25.0%로 산출되었다. 이는 방해석이 수분과 반응하며 용출되면서 표면으로부터 풍화층을 형성하기 때문으로 해석된다. 이를 근거로 X-선의 투과특성을 활용하여 암각화의 풍화심도를 모델링하면, 암면의 풍화심도는 대부분 1~2mm로 나타났다. 그러나 2mm 이상으로 분류된 영역은 주변의 풍화심도를 감안할 때, 최대 3~4mm 정도로 판단된다.

• 한국지구과학회지
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• 제43권6호
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• pp.762-776
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• 2022

이 연구의 목적은 지구과학 교사들이 변성암을 분류하기 위해 사용하는 개념 구조와 변성암을 분류하는 기준에 대해 알아보는 것이다. 이를 위해 연구자들은 전라북도 소재의 중학교와 고등학교의 지구과학교사 21명을 대상으로 사고 구술을 활용하여 변성암을 분류하는 과정에서 진술한 언어 자료를 수집하였다. 그리고 이렇게 수집된 언어 자료를 언어네트워크분석법을 활용하여 분석하였고, 그 결과는 다음과 같다. 첫째, 지구과학 교사들은 변성암을 분류하는 과정에서 암석에서 일반적으로 관찰할 수 있는 색, 구성 광물, 입자의 크기 등의 특징과 변성암에서 나타나는 엽리를 중심으로 분류하였다. 둘째, 지구과학 교사들은 변성암의 분류 기준에 관해 접촉 변성작용과 광역 변성작용 등 변성작용을 중심으로 인식하고 있었다. 그러나 관찰한 내용을 잘못 판단하여 다른 암석으로 오인하는 사례들이 나타났다. 그러므로 지구과학 교사들이 변성암이 형성되는 과학적 과정과 변성암에서 관찰되는 현상을 서로 연결하여 인식할 수 있도록 그들에게 변성암에 대한 관찰 정보와 경험을 충분히 제공할 필요가 있다.

• 한국융합학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.325-340
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• 2022

전 세계적으로 COVID-19의 초유 사태로 온라인 교육은 언택트 시대의 필수 요소로 자리 잡았고 4차 산업혁명시대에 맞는 다양한 콘텐츠와 시스템 변화에 대한 중요성도 증가되고 있는 실정이다. 대학에서도 ICT 기술의 접목과 새로운 시스템 설계, 구현을 위해 노력하는 상황이지만 클라우드 컴퓨팅 시스템 구축 관련 인식과 분위기는 미흡한 실정이다. 이에 본 연구에서는 업무 특성과 규모를 구분하여 "국내 사이버대학교 클라우드 컴퓨팀 시스템 구축"성공 요인의 중요도 분석을 조직 및 개인의 차원을 고려하여 중요도 우선순위를 도출하여 분석하고자한다. 클라우드 컴퓨팅에 관련 지식이 있는 전문가 설문을 통해 선행연구와 모형들 중에서 14개의 중요 요인을 도출하였다. AHP를 이용하여 클라우드 컴퓨팅 시스템 구축 성공 요인들에 대하여 어떠한 차이를 보이는지 분석하였다. 본 연구에서 제시된 성공 요인은 고등교육 기관뿐만 아니라 공공 정보시스템의 민간 클라우드 컴퓨팅 시스템 구축 성공을 위한 요인 도출에 목적을 두고 체계적인 전략 수립의 기반 자료로 활용되기를 기대한다.

• 대한토목학회논문집
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• 제42권2호
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• pp.181-186
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• 2022

댐체 구조물 사면부(RIM부)는 본체와 원지반이 접속하는 매우 중요한 접촉부(interface) 이다. 일반적으로 댐 구조물 사면부 지반보강을 위한 그라우팅 설계시 제한된 자료(시추공, 지질도 등)를 이용하여 계획하기 때문에 사면부 RIM 그라우팅 대상 원지반 특성을 정확하게 고려하여 설계하기는 매우 어려운 실정이다. 또한, 실제 차수성이 확보된 원지반에 설계시 계획된 그라우팅 물량을 천공 주입할 경우에는 차수성이 확보된 원지반이 교란되어 차수효과를 오히려 저해할 가능성도 있다. 이를 극복하기 위해서는 구조물 사면부(RIM) 그라우팅 수행 전에 지질여건을 우선적으로 고려하고 현장수리시험을 통하여 원지반에 대한 최적의 그라우팅을 실시여부를 결정하는 것이 기초처리 대상 지반의 차수성 확보에 매우 적합하다고 판단된다. 본 논문에 적용된 RIM부 그라우팅 판단여부를 결정하기 위하여 대상 구간의 사면구간 암반에 대하여, 파일럿 홀(Pilot hole) 수압시험 수행 분석결과 1 Lugeon 이하의 차수성을 나타내며, 시멘트 주입량 역시 1 kg/m 이하의 주입결과를 나타낸다. 이때는 그라우팅을 실시하는 것이 오히려 역효과가 난다고 판단된다. 이 시험결과 수치는 사면 절취시 육안관찰과 지질도 작성결과를 이용하여 분석할 때 댐 설계 기준인 1 Lugeon 이하의 경우가 되어, 괴상(Massive)의 차수성이 어느 정도 확보된 암반으로 평가할 수 있다. 따라서 댐체 구조물 사면부에 RIM 그라우팅의 실시 결정기준은 암반상태에서 1 Lugeon 차수성이고, 시멘트 주입량 역시 1 kg/m을 기준으로 하여 RIM 그라우팅 실시여부를 결정하는 것이 바람직하다고 판단된다.

• 대한화상학회지
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• 제22권2호
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• pp.66-70
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• 2019

Purpose: The necrotizing fasciitis is a terrifying infectious disease that can rapidly spreads to surrounding tissues when fascia is infected and it can cause sepsis to death if not properly diagnosed and treated. The purpose of this study is to investigate the characteristics, causes, and treatment methods of necrotizing fasciitis in Korea through reviewing patients admitted to our burn center. Methods: 21 patients with necrotizing fasciitis were selected for this study among those inpatients with electronic medical records (EMR) admitted to Hallym University Hangang Sacred Heart Medical Center from Jan 1, 2008 to June 30, 2019. The medical records and wound photos of those 21 selected subjects were reviewed. Results: There were 13 male and 8 female patients and mean age was 58.76 years old. 13 of 21 subjects were survived and 8 died (38% mortality rate). The surgical treatments performed were I&D, fasciotomy, debridement, allograft, burring, STSG, flap, and amputation. The most common causes were burns in 9 subjects (6 contact burns) and cellulitis occurred on skins in 5 subjects. And other various causes were observed as fournier's gangrene, stab wound, intramuscular injection, tumor and bleu toe syndrome (toe necrosis). The infected areas were 11 feet and legs, 7 hips, 3 abdomen and trunk in 21 subjects. Of the 8 deaths, 3 were infected in feet and legs, 2 were infected in hips, and 2 were infected in abdomen and trunk. As for underlying diseases, 12 patients with hypertension or diabetes were the highest and others such as cancer and stroke were found. Conclusion: The only method to increase the survival rate is to 'suspect' the disease as much as possible and perform early extensive excision. It is advisable to treat the disease by the burn center to properly provide adequate and optimal wound management, infection control, medical care and nutritional supports.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제36권4호
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• pp.413-417
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• 2023

Gallium Oxide (Ga₂O₃) is preferred as a material for next generation power semiconductors. The Ga₂O₃ should solve the disadvantages of low thermal resistance characteristics and difficulty in forming an inversion layer through p-type ion implantation. However, Ga₂O₃ is difficult to inject p-type ions, so it is being studied in a heterojunction structure using p-type oxides, such as NiO, SnO, and Cu₂O. Research the lateral-type FET structure of NiO/Ga₂O₃ heterojunction under the Gate contact using the Sentaurus TCAD simulation. At this time, the VG-ID and VD-ID curves were identified by the thickness of the Epi-region (channel) and the doping concentration of NiO of 1×10¹⁷ to 1×10¹⁹ cm-3. The increase in Epi region thickness has a lower threshold voltage from -4.4 V to -9.3 V at I_D = 1×10^-8 mA/mm, as current does not flow only when the depletion of the PN junction extends to the Epi/Sub interface. As an increase of NiO doping concentration, increases the depletion area in Ga₂O₃ region and a high electric field distribution on PN junction, and thus the breakdown voltage increases from 512 V to 636 V at I_D =1×10^-3 A/mm.