• 성인간호학회지
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• 제22권2호
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• pp.113-120
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• 2010

Purpose: The purpose of this study is to examine the factors influencing the barriers faced by Korean nurses in addressing the patients' sexual health. Methods: The subjects in this study were nurses working at hospitals in Seoul and Jeonju. The data for this study were collected between November 2008 and December 2008. The subjects were assured of anonymity and confidentiality. Results: The barriers to addressing the patients' sexual health were moderate in the subjects. The nurses had moderate sexual knowledge and communication skills. In a stepwise regression analysis, the areas of work, communication skills, participation in sexual health training, and experience in Obstetrics and Gynecology accounted for 18.3% of the variance of the barrier for addressing the patients' sexual health. Conclusion: These findings emphasize the need for the development of a patient-centered sexual health-related curriculum for nurses, which has been briefly discussed in Korea. An educational program that improves the nurses' communication skills will be effective in reducing the barriers to addressing the patients' sexual health and will help the nurses become sexual health specialists.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2015년도 추계학술발표대회
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• pp.1736-1739
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• 2015

Social learning encourages and enables learners with common interests to communicate and share knowledge with others through social networks. However, social learning suffers a barrier on communication among learners with various la nguage and culture background. Aiming to avoid this barrier, this paper proposes a framework of cross-language s ocial learning system which can involve more learners' participation on the web. With this framework, an illustrati ve example of task-oriented collaborative learning paradigm is elaborated. It is expected that our proposed system can stimulate more learners to share the learning resource for deep discussions as well as to promote the knowled ge innovation.

• ETRI Journal
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• 제44권3호
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• pp.504-511
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• 2022

Monte Carlo simulations show that, as temperature increases, the average kinetic energy of channel electrons in a GaN transistor first decreases and then increases. According to the calculations, the relative energy change reaches 40%. This change leads to a reduced barrier height due to quantum coupling among the three-dimensional motions of channel electrons. Thus, an analysis and physical model of the gate leakage current that includes drift velocity is proposed. Numerical calculations show that the negative and positive temperature dependence of gate leakage currents decreases across the barrier as the field increases. They also demonstrate that source-drain voltage can have an effect of 1 to 2 orders of magnitude on the gate leakage current. The proposed model agrees well with the experimental results.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.1399-1404
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 10^-7 A/m일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널 효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.805-810
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• 2016

본 논문에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑 농도뿐만이 아니라 상하단 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등에 대하여 드레인 유도 장벽 감소 현상을 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 채널도핑 농도에 따라 큰 변화를 나타냈다. 채널길이가 25 nm 이하로 감소하면 드레인 유도 장벽 감소 현상은 급격히 상승하며 채널도핑농도에도 영향을 받는 것으로 나타났다. 산화막 두께가 증가할수록 도핑농도에 따른 드레인유도장벽감소 현상의 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 채널도핑 농도에 관계없이 일정한 DIBL을 유지하기 위하여 상단과 하단의 게이트 산화막 두께가 반비례하는 것을 알 수 있었다. 또한 하단게이트 전압은 그 크기에 따라 도핑농도의 영향이 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.92-97
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• 2008

In this Paper, we present a scaling theory for dual material surrounding gate (DMSGTs) MOSFETs, which gives a guidance for the device design and maintaining a precise subthreshold factor for given device parameters. By studying the subthreshold conducting phenomenon of DMSGTs, the effective conductive path effect (ECPE) is employed to acquire the natural length to guide the design. With ECPE, the minimum channel potential is used to monitor the subthreshold behavior. The effect of ECPE on scaling factor significantly improves the subthreshold swing compared to conventional scaling rule. This proposed model offers the basic designing guidance for dual material surrounding gate MOSFETs.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권2호
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• pp.110-116
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• 2009

The prominent advantages of Dual Material Surrounding Gate (DMSG) MOSFETs are higher speed, higher current drive, lower power consumption, enhanced short channel immunity and increased packing density, thus promising new opportunities for scaling and advanced design. In this Paper, we present Transconductance-to-drain current ratio and electric field distribution model for dual material surrounding gate (DMSGTs) MOSFETs. Transconductance-to-drain current ratio is a better criterion to access the performance of a device than the transconductance. This proposed model offers the basic designing guidance for dual material surrounding gate MOSFETs.

• 서비스연구
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• 제9권4호
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• pp.63-80
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• 2019

본 연구는 종합검진센터의 물리적 환경이 의료서비스가치와 의료서비스만족도를 매개변수로 하여 전환장벽에 미치는 영향 연구를 통해 종합건강검진센터의 경쟁력을 제고할 수 있는 전략적 시사점을 제시하는 것이다. 이러한 연구목적을 달성하기 위해 종합검진센터에서 건강검진을 받은 고객을 대상으로 총 324부의 설문조사를 실시하여 분석하였다. 가설검정 및 인과관계를 확인하기 위해 공분산구조분석을 하였다. 연구결과 물리적 환경이 의료서비스가치 및 의료서비스만족도에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 의료서비스가치도 의료서비스만족도에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 의료서비스가치는 전환장벽에 영향을 미치는 것으로 나타났지만 의료서비스만족도는 전환장벽에 영향을 미치지 못했다. 연구의 시사점으로는 물리적 환경이 의료서비스가치 및 의료서비스만족도에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났으므로 종합검진센터의 현대화를 통한 정확한 검진과 오진을 최소화할 수 있는 최신 의료장비를 갖추어야 한다. 또한 의료서비스가치가 전환장벽에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났으므로, 의료서비스가치를 제고할 수 있는 방안을 구축해야 한다. 경쟁 업체보다 차별화된 검진항목과 비용우위를 통해 지속가능한 고객유지 및 신규고객 창출을 도모해야 한다. 종합검진서비스와 함께 의료커뮤니케이션의 강화, 의료복합문화공간과 같은 서비스가치 향상을 위해 노력함과 동시에 우수 인력배치 및 끊임없는 교육을 통해 고객 우선의 종합검진센터 조직문화를 구축해야 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.386-386
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• 2012

We studied a bilateral switching device for spin transfer torque (STT-MRAM) based on 3D device simulation. Metal/P/N+or Metal/N/P+ junction device with $30{\times}30nm2$ area which is composed of one side schottky junction at Metal/P/N+ and Metal/N/P+ provides sufficient bidirectional current flow to write data by a drain induced barrier lowering (DIBL). In this work, Junction device confirmed that write current is more than 30 uA at 2 V, It is also has high on-off ratio over 105 under read operation. Junction device has good process feasibility because metal material of junction device could have been replaced by bottom layer of MTJ. Therefore, additional process to fabricate two outer terminals is not need. so, it provides simple fabrication procedures. it is expected that Metal/P/N+ or Metal/N/P+ structure with one side schottky junction will be a promising switch device for beyond 30 nm STT-MRAM.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1986년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.206-210
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• 1986

Double Ion Implantation methods are used to improve the stiffness os carrier profiles, and then the analytical solutions to Poisson`s equation are derived with summation of each carrier profile. Numerical analyses are done using profer boudary conditions and the results show that the improvement of voltage-dependent-capacitance ratio (C(!)/C(25)) is obtained up to B.6. The third ion implantation is for the enhancement of the Schottky barrier height.