Kim, Hong-sik;Patel, Malkeshkumar;Kim, Hyunki;Kim, Joondong
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.389.2-389.2
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2016
The flexible solid state device has been widely studied as portable and wearable device applications such as display, sensor and curved circuits. A zero-bias operation without any external power consumption is a highly-demanding feature of semiconductor devices, including optical communication, environment monitoring and digital imaging applications. Moreover, the flexibility of device would give the degree of freedom of transparent electronics. Functional and transparent abrupt p/n junction device has been realized by combining of p-type NiO and n-type ZnO metal oxide semiconductors. The use of a plastic polyethylene terephthalate (PET) film substrate spontaneously allows the flexible feature of the devices. The functional design of p-NiO/n-ZnO metal oxide device provides a high rectifying ratio of 189 to ensure the quality junction quality. This all transparent metal oxide device can be operated without external power supply. The flexible p-NiO/n-ZnO device exhibit substantial photodetection performances of quick response time of $68{\mu}s$. We may suggest an efficient design scheme of flexible and functional metal oxide-based transparent electronics.
도시유역의 중 하류부에 주로 설치되는 4방향 합류맨홀에서 과부하 흐름에 의한 에너지 손실은 도심지 침수피해를 가중시키는 주요 원인이다. 과부하 4방향 합류맨홀에는 유입관의 유입조건에 따라 흐름 양상이 크게 변화되며, 중간맨홀 뿐만 아니라 3방향(T형) 합류맨홀의 흐름조건을 구성한다. 그러므로 유입관의 유입유량 변화에 따른 과부하 4방향 합류맨홀의 에너지 손실 변화 분석 및 손실계수 산정이 필요하다. 본 연구에서는 하수도시설기준을 준용하여 맨홀직경 및 관경을 1/5로 축소 한 수리실험 장치를 제작하였다. 과부하 사각형 4방향 합류맨홀에서 유입관의 유입유량비 변화에 따른 손실계수를 산정하기 위하여 유입관(주 유입관 및 양측면 유입관)의 유입유량비를 10% 간격으로 변화시켜 다양한 유량조건(40 case)을 선정하였다. 실험 결과 중간맨홀에서 0.40의 가장 낮은 손실계수가, $90^{\circ}$ 접합맨홀에서 1.58의 가장 높은 손실계수가 산정되었다. 또한 합류맨홀(T형, 4방향)의 경우 측면 유입유량이 한쪽으로 편향될수록 보다 큰 손실계수를 나타냈다. 유입관의 유입유량 조건 변화에 따른 손실계수를 산정하여 손실계수 범위도를 작도하였으며, 과부하 사각형 4방향 합류맨홀에서 모든 흐름조건을 고려할 수 있는 손실계수 산정식을 제시하였다. 제시된 산정식은 유입관의 유입유량이 변화하는 배수시스템의 설계 및 검증에 적용이 가능할 것으로 판단된다.
This study concerned with the steel beam of bonding method and bonded steel beams by this method and both ends of different height, steel beams and steel beams in the center makes the junction. Both ends and the central part of steel beams connecting the lower flange by additional combining steel plates to convey stress, the stress to focus on the beam connections are passed to both ends of steel beams, and strength of beam connections is improved and steel structural beams is proposed to minimize the loss by Incision. If you use the developed method, the construction period is shortened, and reducing the amount of material can decrease the cost and reduction in floor height can be maximized business feasibility.
This paper reviews the characteristics technical trends in Power MOSFET technology that are leading to improvements in power loss for power electronic system. The power electronic technology requires the marriage of power device technology with MOS-gated device and bipolar analog circuits. The technology challenges involved in combining power handling capability with finger gate, trench array, super junction structure, and SiC transistor are described, together with examples of solutions for telecommunications, motor control, and switch mode power supplies.
도시 우수 배수 시스템에서 우수 관거는 개수로 흐름 상태로 가정하여 설계되었기 때문에 합류맨홀에서의 에너지 손실은 일반적으로 중요하게 고려되지 않았다. 그러나 과부하흐름에서 에너지 손실은 관거의 배수능력을 저하시켜 도심지역의 침수피해를 가중시키는 요인이 된다. 그러므로 과부하 합류맨홀 내에서의 수두 손실을 분석할 필요가 있다. 본 연구에서는 합류맨홀에 대한 문헌조사 및 현장조사를 실시하여 실험장치를 제작하고 실험조건을 선정하였다. 선정된 실험조건인 맨홀 형상 조건(사각형, 원형), 유출유량($Q_3$)에 대한 측면유입유량($Q_2$)의 비($Q_2/Q_3$) 및 실험 유량(2.0, 3.0, $4.0{\ell}$/sec)을 변화시키면서 실험을 실시하였다. $Q_2/Q_3$가 증가할수록 손실계수가 증가하므로 과부하 합류맨홀에서의 손실계수는 측면 유입관로의 유입유량의 영향을 크게 받는다고 판단된다. 맨홀의 형상변화 및 유량변화에 따른 손실계수는 거의 동일하게 산정되었다. 또한, $Q_2/Q_3$와 손실계수의 관계식을 제시하였다.
본 논문에서는 저부엽과 저손실 특성을 갖는 고전력 20-출력 스트립라인 전력분배기를 설계, 제작하고 측정하였다. 20-출력전력분배기는 S 대역 선형 배열 안테나의 급전회로를 위해 설계되었으며, 좁은 빔폭과 매우 낮은 저부엽 특성을 위해 Dolph-Chebyshev 전류 분포를 활용하였다. 20-출력 전력분배기는 8-출력 분배기 1개, 4-출력 분배기 3개와 링 하이브리드 전력분배기 3개로 구성되었으며, 전력분배의 기본적인 구조로는 T-접합 분배 구조를 사용하였다. 삽입손실과 반사손실을 개선하기 위해서 노치를 T-접합 분배 구조에 적용하였으며 N형 커넥터와 스트립라인 사이의 천이구조를 수정하였다. 설계, 제작된 전력분배기는 대역 내에서 약 0.3 dB의 삽입손실과 8o 보다 작은 rms 위상 부정합 특성을 보였다. 20-출력 전력분배기 2개를 대칭적으로 구성할 경우 40 dB 이상의 저부엽 특성 결과를 20-출력 전력분배기 측정 결과로부터 합성할 수 있었다.
EFG Si 태양전지를 전류-전압, 표면광전압, 전자빔유도_전류, 전자미세프로브, 전자역산란의 여러 가지 기술을 이용하여 분석하였다. 전류-전압 그래프를 여러 온도에서 측정한 결과 EFG-Si 태양전지는 전압에 따라 변하는 shunt 저항을 가진 것이 밝혀졌다. 이러한 shunt 저항은 precipitate와 grain boundary에 의해 생긴 것으로 공간전하영역 내의 불순물 에너지 준위로 tunneling에 의해 이동한 캐리어의 재결합으로 일어난 결과이다. 전류-전압 과 표면광전압 기술을 결합하면 태양전지의 pn접합과 기판 (substrate)을 동시에 분석할 수 있다. Diode ideality factor와 표면 광전압은 Pn접합의 특성을, 소수캐리어 확산거리는 substrate특성을 표시한다. EFG 태양 전지를 분석한 결과, 전압에 따라 변하는 shunt 저항은 효율에 따라 정도 차이는 있지만 모든 시편에서 발견되며, 태양전지의 성능을 저하시키는 중요한 원인 중의 하나가 된다.
In this paper, The SSPA(Solid State Power Amplifier) is 100 watts amplifier which is used with C-Band Satellite communication Up-Link frequency, 5.875 ∼6.425 GHz. SSPA requires more output power than is available from a single GaAs FET with result it is necessary to combine the output of many device. To achieve a high power, it is important to make a good N-way power divider which has a small different phase, good combining efficiency and high power handling capability. The reliability of Power GaAs FET decrease with increasing junction temperature, power amplifier in general dissipate amount of power. It is important to provide them with a heatsink and a temperature compensation circuit to dispose of the unwanted heat. To compensate temperature, Using PIN diode attenuator, it is enable to get a precision gain control. The output power of the SSPA is more than 100 watt with which the TWTA (Traveling-Wave Tube Amplifier) can be replaced. Each stage was measured by the Network analyzer PH8510C, Power meter Booton 42BD, The gain is more than 53 dB, flatness is less than 1.5 dB.
Applying a first-principles computational approach combining density-functional theory and matrix Green's function calculations, we have studied the effects [2+2] cycloaddition olligormerization of fullerene $C_{60}$ chains on their junction charge transport properties. Analyzing first the microscopic mechanism of the switching realized in recent scanning tunneling microscope (STM) experiments, we found that, in agreement with experimental conclusions, the device characteristics are not significantly affected by the changes in electronic structure of $C_{60}$ chains. It is further predicted that the switching characteristics will sensitively depend on the STM tip metal species and the associated energy level bending direction in the $C_{60}-STM$ tip vacuum gap. Considering infinite $C_{60}$ chains, however, we confirm that unbound $C_{60}$ chains with strong orbital hybridizations and band formation should in principle induce a much higher conductance state. We demonstrate that a nanoelectromechanical approach in which the $C_{60}-STM$ tip distance is maintained at short distances can achieve a metal-independent and drastically improved switching performance based on the intrinsically better electronic connectivity in the bound $C_{60}$ chains.
In the present study, the optofluidic droplet manipulation in a microfluidic platform was demonstrated via theoretical and experimental approaches. Optical scattering force and gradient force were used to separate and trap droplets. Two types of droplets were generated by a T-junction method in the microfluidic channel. While they approach a test region where the optical beam illuminates the droplets, they were pushed by the optical scattering beam. The displacement by the laser beam is dependent on the refractive index of the droplets. By using the optical gradient force, the droplets can be trapped and coalesced. In order to bring the droplets in a direct contact, the optical gradient force was used to trap the droplets. A theoretical modeling of the coalescence was derived by combining the optical force and drag force on the droplet.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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