• 한국치위생학회지
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• 제12권2호
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• pp.379-389
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• 2012

Objectives : The purpose of this study was to improve the practice level on dental hygienists'infection prevention by examining the actual condition of dental hygienists'infection control and analyzing factors of having influence upon this. Methods : A questionnaire survey was carried out from July 18, 2011 to August 26 targeting dental hygienists who work at medical institutions where are located in Daegu, Busan and Ulsan Metropolitan Cities and Gyeongsangnam buk-do. After then, the following conclusions were obtained. Results : 1. As a result of surveying practice by item in the practice level of infection prevention, the items with high practice level in the management of infectious diseases were surveyed to be 12 months(89.6%) for health-checkup cycle and to be having experience of vaccination(78.0%) for hepatitis type B. The items with high practice level in the management and practice of washing hands were indicated to be in order of regularly paper towel(87.7%) and hands cleaning after regular medical examination(80.5%). In the item of the practice on wearing and managing individual protection equipment, regularly wearing(93.1%) rubber globes given washing implements was indicated to be high. 2. As a result of analyzing working career, working institution, working region, and practice level of infectious-disease management, the appearance of fulfilling infection control guidelines at medical institution and the experience of education for infection control were indicated to have difference depending on working institution. Regularly health checkup was indicated to have difference depending on respondents' working career and working institution. 3. The whole average in the practice level of infection prevention according to working career, working institution, and working region was indicated to be 2.55 out of 3-point perfection. 4. Wearing latex gloves was indicated to have statistically significant difference depending on working institution(p<0.001) and working region(p<0.001). The exchange of latex gloves every patient and the use of paper apron had statistically significant difference depending on working region(p<0.001). 5. As a result of comparing the frequency of using protection equipment for preventing infection according to the management of infectious diseases, the statistically significant difference was shown depending on the appearance of infection control guidelines at medical institution(p<0.001), the appearance of having experience of health checkup(p<0.01), and the appearance of having experience of vaccination for hepatitis type B(p<0.05). Conclusions : The above-mentioned findings showed that the denture satisfaction of the denture-wearing senior citizens was linked to their subjective oral health awareness. Therefore it will be possible to improve denture-wearing elderly people's quality of life when oral health plans geared toward boosting their denture satisfaction are carried out.

• 한국안광학회지
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• 제15권4호
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• pp.319-328
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• 2010

목적: 안경광학과 임상실습의 현황 및 실태를 파악하여 임상실습의 효율적 운영과 질적 개선을 위한 자료를 얻고자 하였다. 방법: 전국의 30개 안경광학과를 대상으로 임상실습 현황에 대한 설문조사를 하였고 이중 4개 대학에서 161명의 학생으로부터 임상실습 실태에 대한 설문조사를 실시하였다. 결과: '임상실습을 위한 구체적 프로그램'이 마련되지 않은 곳은 60.7%였다. 대부분의 대학에서 임상실습을 졸업학점에 반영(96.4%)하였고, 각 대학의 임상실습에 관한 교과목명과 해당학점은 다양하였다. 실습 학생들에게 임상실습 수행 중 가장 어려웠던 사항은 '고객응대'였고 임상실습의 주 업무는 '안경원 청소 및 안경테와 도구정리'였다. 임상실습을 통해 가장 유익했던 점은 '안경업계 현실파악'이었다. 임상실습 전과 후의 진로 비교에서 '안경원'과 '안경/콘택트렌즈 관련업체'의 선호도는 감소하고 '안과 병의원'과 '전공과 관련 없는 일'의 선호도는 높아졌다. 결론: 안경광학과 임상실습의 효율적 운영과 학생들의 만족도를 높이기 위한 폭 넓은 연구와 학교와 실습업체 간의 긴밀한 협조와 관심이 요구된다.

• Current Research on Agriculture and Life Sciences
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• 제15권
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• pp.69-81
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• 1997

세계적(世界的)으로 양잠지역(養蠶地域)에서 큰 피해를 주는 핵다각체병(核多角體病)은 양잠현장(養蠶現場)에서 잠실(蠶室) 잠구류(蠶具類)의 철저한 포르말린 소독에도 불구하고 예방효과가 의문시(疑問視)되는 경우가 발생하며, 이는 병원체의 존부(存否) 만으로 본 질병(疾病)의 만연(蔓延)이 설명될 수 없기 때문이라는 사실을 실험병리학적(實驗病理學的)으로 입증(立證)하였다. 핵다각체병(核多角體病)의 발생(發生)을 조장(助長)하는 불량(不良) 환경요인(環境要因)을 파악하기 위하여 1979년부터 1993년 까지 15년간 한국 일본 필리핀 등지에서 57건의 사육사례를 조사하였다. 환경상태(環境狀態)와 발병사례(發病事例)의 연관성을 분석하므로써 발병생리(發病生理)와 관련된 환경요인(環境要因)을 해명한 결과, 고름병 발생빈도(發生頻度)는 상엽육과 인공사료육 간에 비슷한 경향을 나타내었고, 잠실 잠구류의 소독(消毒)방법에서는 포르말린 소독(消毒) 여부(與否)에 따른 차이가 인정되지 않았다. 교잡종(交雜種)은 원종(原種)보다 핵다각체병(核多角體病) 발생율이 다소 높은 수준이었으며, 특히 애누에때 부터 장기간 통기불량(通氣不良)인 사육환경에서는 발병률(發病率)이 현저하게 높았다. 또한, 1993년부터 1997년 까지 5년간의 실증시험(實證試驗)에서는 잠실(蠶室) 및 잠구류(蠶具類)의 청소와 사육실의 강제순환식(强制循環式) 환기(換氣)로 사육환경을 개선하므로써 인체(人體)에 유해(有害)한 농약을 사용하지 않고도 누에 핵다각체병(核多角體病) 발생을 효율적으로 제어할 수 있음을 입증(立證)하였다.

• 한국버섯학회지
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• 제4권4호
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• pp.135-143
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• 2006

1995년이후부터 재배되어온 큰느타리버섯은 배양중 오염율 증가, 발이상태불량, 기형버섯의 발생, 수량 격감 등 이른바 연작장해로 불리어지는 재배상 문제점들에 대한 원인파악과 해결책이 요구되어, 전국의 큰느타리버섯 주요 재배농가에서의 종균관리, 배지제조, 배양 및 생육관리 등 전반적인 재배실태와 연작장해 발생정도를 조사한 결과와 균배양, 버섯발생, 자실체 생육과정에서 발생된 병원균을 분리하여 동정한 결과는 다음과 같다. 가. 재배실태조사 결과 재배사 청결관리가 미흡하고 수확 후 재배사 세척 및 소독이 소홀하였다. 나. 발이유기시 습도가 90%이상, 환기는 소량 또는 억제하여 관리한 농가들에서 발이 유기부위에서 세균 및 곰팡이에 의한 오염과 기형버섯 발생 등으로 인해 수량이 낮았다. 다. 자실체 생육시 발이개체수가 과다하였고 환기 및 습도관리 미숙으로 자실체 갈변, 환기장해 등으로 자실체 생육이 불량하였다. 라. 강제흡기-강제배기 방식보다 강제흡기-자연배기 방식이나 자연흡기-강제배기 방식의 농가가 많아 발이 유기시 많은 양의 환기를 필요로 하는 큰느타리버섯 재배에 부적합한 환기시스템을 갖추고 있었다. 마. 큰느타리버섯 재배농가에서 수집한 병원균은 총 28점으로 세균13점, 곰팡이15점이었고 채집부위별로는 배양병에서 8점, 발이유기부위에서 12점, 자실체에서 8점을 분리하였다. 바. 큰느타리버섯 재배시 문제가 되는 세균은 Pseudomonas sp. Erwinia sp 가 많았는데, 발이유기 배지표면 오염과 자실체 갈변 및 괴사와 관련된 병징을 유발하였고, 곰팡이는 대부분 Trichoderma sp. 이었으며 주로 배양병 및 발이유기부위에서 발병하였다.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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• 제14권9호
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• pp.5107-5110
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• 2013

Background: Among women with haematuria, defining individuals under high risk for bladder cancer based on reproductive factors prior to cystoscopy would be of great benefit in the management of this condition. The aim of this study was to compare age and reproductive factors such as menopausal status, parity, age at first delivery and age at the last delivery between women who have haematuria with or without bladder cancer. Materials and Methods: A total of 463 patients underwent diagnostic cystoscopy in D$\ddot{u}$zce University Faculty of Medicine between 1 June 2008 and 1 June 2013. Female patients who presented with persistent microscopic or macroscopic haematuria and underwent standard evaluation for haematuria including urinalysis, urine culture, urine cytology, urinary tract imaging with excretory urography or computerized tomography with contrast enhancement and endoscopic evaluation of the urethra and bladder were included in this study. Exclusion criteria were tobacco use and high risk occupations for bladder cancer such as textile, dry cleaning, painting and etc. Forteen women had hematuria due to benign conditions, and 18 due to bladder cancer. Data were retrospectively retrieved from the medical records of Duzce University Hospital. Results: Patients with haematuria due to benign reasons did not significantly differ from patients who were found to have bladder cancer in terms of age (p=0.28), menopausal status (p=0.29), mean parity (p=0.38), being nulliparous (p=0.57), parity ${\geq}3$ (p=0.22), age ${\leq}18$ years at first delivery (p=1.00), age ${\geq}30$ years at last delivery (p=0.26), age ${\geq}35$ years at last delivery (p=0.23) and percentage of the patients with advanced age (${\geq}65$ years) (p=0.18). Conclusions: It is difficult to predict a high risk for developing bladder cancer in women with haematuria based solely on reproductive factors.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.344-344
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• 2014

Transparent amorphous oxide semiconductors such as a In-Ga-Zn-O (a-IGZO) have advantages for large area electronic devices; e.g., uniform deposition at a large area, optical transparency, a smooth surface, and large electron mobility >10 cm2/Vs, which is more than an order of magnitude larger than that of hydrogen amorphous silicon (a-Si;H).1) Thin film transistors (TFTs) that employ amorphous oxide semiconductors such as ZnO, In-Ga-Zn-O, or Hf-In-Zn-O (HIZO) are currently subject of intensive study owing to their high potential for application in flat panel displays. The device fabrication process involves a series of thin film deposition and photolithographic patterning steps. In order to minimize contamination, the substrates usually undergo a cleaning procedure using deionized water, before and after the growth of thin films by sputtering methods. The devices structure were fabricated top-contact gate TFTs using the a-IGZO films on the plastic substrates. The channel width and length were 80 and 20 um, respectively. The source and drain electrode regions were defined by photolithography and wet etching process. The electrodes consisting of Ti(15 nm)/Al(120 nm)/Ti(15nm) trilayers were deposited by direct current sputtering. The 30 nm thickness active IGZO layer deposited by rf magnetron sputtering at room temperature. The deposition condition is as follows: a rf power 200 W, a pressure of 5 mtorr, 10% of oxygen [O2/(O2+Ar)=0.1], and room temperature. A 9-nm-thick Al2O3 layer was formed as a first, third gate insulator by ALD deposition. A 290-nm-thick SS6908 organic dielectrics formed as second gate insulator by spin-coating. The schematic structure of the IGZO TFT is top gate contact geometry device structure for typical TFTs fabricated in this study. Drain current (IDS) versus drain-source voltage (VDS) output characteristics curve of a IGZO TFTs fabricated using the 3-layer gate insulator on a plastic substrate and log(IDS)-gate voltage (VG) characteristics for typical IGZO TFTs. The TFTs device has a channel width (W) of $80{\mu}m$ and a channel length (L) of $20{\mu}m$. The IDS-VDS curves showed well-defined transistor characteristics with saturation effects at VG>-10 V and VDS>-20 V for the inkjet printing IGZO device. The carrier charge mobility was determined to be 15.18 cm^2 V-1s-1 with FET threshold voltage of -3 V and on/off current ratio 10^9.

• 보존과학회지
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• 제27권4호
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• pp.441-450
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• 2011

이 연구는 토기 재질과 토양 특성에 따라 매장환경이 출토 토기에 미치는 물리화학적 영향을 연구하였다. 이를 위해 대전 학하, 아산 음봉, 화성 소근산 그리고 공주 행정중심복합도시 출토 토기와 토양을 연구 대상으로 하였다. 먼저 토기의 탈염을 통해 용출되는 이온의 화학종과 용출속도를 조사한 결과, 토기의 기공크기와 흡수율에 따라 토기 내 이온유입이 달라졌다. 즉 $1,000^{\circ}C$ 이상의 고온 소성된 토기는 기공이 작고 흡수율이 낮아 매장환경의 염 유입 현상이 거의 일어나지 않았다. 그러나 $800^{\circ}C$ 이하의 저온 소성된 토기는 기공이 크고 흡수율이 높아 다량의 염이 유입되어 증류수 탈염을 통해 염을 제거하였다. 탈염 2일 만에 40~60%의 염이 제거되었고 탈염 1주일 만에 60~80%의 염이 제거되었다. 또한 토양에 포화되어 있는 이온은 대부분 토기에도 동일한 비율로 존재하고 $K_2SO_4$와 같이 토양에 잔존하는 비료의 성분도 검출되었다. 그러나 모래 함량이 상당히 높은 사질 토양시료에서는 함유 이온량이 적어 토기에 유입되는 이온의 영향이 비교적 적었고 미사 및 점토 함량이 높은 토양에 매장되었던 토기는 유입되는 이온함량이 높았다. 그러나 저온소성된 토기에서는 다량 유입된 염에 의한 손상이 우려되므로 세척 이외의 탈염을 통한 염 제거가 필요하며 그 기간은 토기의 상태에 따라 달라질 수 있을 것으로 생각된다.

• 공업화학
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• 제5권2호
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• pp.199-208
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• 1994

본 연구에서는 초음파의 Cavitation에 의한 혼합효과와 표면세정 효과 그리고 유효 충돌빈도의 증가효과를 이용하여 구리이온을 함유한 용액으로부터 전착반응에 의한 구리의 회수공정에서 전착반응속도를 증가시키고자 초음파 진동자를 직접 반응기 벽면에 부착시킨 반응기를 제작하였다. 초음파 반응기에서 과전압과 황산구리의 농도를 변수로 하여 반응시간에 대한 전류밀도를 측정하고, 음극에 석출된 구리의 양에 의하여 초음파에 의한 반응속도 증가효과에 대하여 연구한 결과 초음파에 의한 효과는 과전압이 2.1V, 황산구리의 농도가 0.1M일 때 석출된 구리의 양이 초음파를 가하지 않은 반응기에 비하여 최고 582.2%까지 증가하였으며, 전류밀도는 최고 277.8% 증가하였다. 또한 전류밀도와 구리 석출량의 증가를 확산층의 두께 감소에 의한 증가효과와 표면세정과 유효충돌빈도의 증가에 의한 효과로 나누어 해석한 결과 초음파에 의한 확산층의 두께 감소로 인한 총괄 반응속도 증가율은 과전압이 2.2V, 황산구리의 농도가 0.1M일 때 최고 277.8%로 나타났으며, 표면세정과 유효 충돌빈도의 증가로 인한 총괄 반응속도 증가율은 과전압이 2.1V, 황산구리의 농도가 0.1M일 때 최고 253.6%로 나타났다.

• 보존과학회지
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• 제26권4호
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• pp.349-360
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• 2010

영천 신월동삼층석탑(보물 제465호)은 주로 담회색의 정동질 알칼리화강암으로 구성되어 있다. 주요 구성광물은 흑운모, 석영, 각섬석, 정장석 및 사장석이다. 이 탑은 기단부의 팔부중상을 중심으로 황갈색 및 흑색 변색이 심하며, 옥개석은 조각된 부분을 중심으로 탈락된 암편 등을 시멘트 몰탈로 보수한 흔적이 많다. 이 석탑의 전면에 걸쳐 적외선열화상분석을 실시한 결과, 미세균열과 박리 및 박락 현상은 심하지 않은 것으로 나타났다. 표면 변색 부위에 대한 휴대용 XRF 측정 결과, 변색 지점을 중심으로 Fe(평균 5,599ppm)와 S(평균 3,270ppm) 농도가 높게 나타났다. 또한 흑색 오염물로 피복된 부위는 Mn 함량(평균 2,155ppm)이 높게 검출되었다. 이는 암석 성분의 유리에 의한 무기오염물과 생물체의 고사에 의한 유기오염물이 공존하는 것이다. 전체적인 물리적 풍화는 북면(42.6%)과 남면(40.5%)에서 높게 나타나며 서면(30.6%)와 동면(34.0%)은 비슷한 훼손 양상을 보였다. 또한 변색 및 생물학적 풍화는 각각 북면(31.8%)과 동면(11.8%)이 가장 심하였다. 따라서 이 석탑은 생물 오염에 대한 세정과 약화된 재질에 대한 보존처리 및 지속적인 모니터링이 필요한 것으로 나타났다.

• 대한환경공학회지
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• 제38권6호
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• pp.291-298
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• 2016

불용성 전극은 전기화학 공정에 있어 가장 핵심적인 소재이며, 이를 이용한 전기화학적 수처리 공정은 난분해성 물질을 제거하는 유용한 방법으로서 이에 대한 연구가 지속적으로 이루어져 오고 있다. 전기화학적 수처리 공정은 주로 산화전극에서의 산화반응과 환원전극에서의 환원반응을 이용하는 것이다. 본 연구에서는 불용성 전극의 제조공정에서 전처리 방법이 전극의 수명에 미치는 영향을 평가하였다. 실험결과 촉매전극층을 코팅하는 물질계 및 코팅방법을 동일하게 하는 경우에도 기판의 전처리 방법 즉, 기판표면의 조도, 세정방법, 중간층 형성 여부 및 방법 등에 따라 전극의 수명이 크게 달라지는 것을 확인하였다. 실험은 가장 많이 사용되는 전극의 하나인 $IrO_2/Ti$ 전극을 대상으로 하였다. 샌드 블라스팅 공정의 경우 입도를 달리하는 샌딩 미디어를 이용하여 전극을 제조하고 이에 대한 수명을 평가한 결과 #80알루미나(입도 $212{\sim}180{\mu}m$)를 이용하는 경우가 가장 효과적인 것으로 나타났다. 기판에 대한 세정 공정은 arc plasma를 이용하는 것이 가장 우수하였으며, 중간층을 형성함에 있어서는 스퍼터링법을 이용하여 Ta 계열의 중간층을 형성하는 방법을 적용하는 것이 가장 바람직한 것으로 확인되었다.