• 한국공작기계학회논문집
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• 제17권1호
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• pp.120-125
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• 2008

A flip-chip bonding system using DPSS(Diode Pumped Solid State) Nd:YAG laser(wavelength : 1064nm) which shows a good quality in fine pitch bonding is developed. This laser bonder can transfer beam energy to the solder directly and melt it without any physical contact by scanning a bare chip. By using a laser source to heat up the solder balls directly, it can reduce heat loss and any defects such as bridge with adjacent solder, overheating problems, and chip breakage. Comparing to conventional flip-chip bonders, the bonding time can be shortened drastically. This laser precision micro bonder can be applied to flip-chip bonding with many advantage in comparison with conventional ones.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 International Symposium
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• pp.253-257
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• 2003

The low temperature flip chip technique is applied to the package of the temperature-sensitive devices for LCD systems and image sensors since the high temperature process degrades the polymer materials in their devices. We will introduce the various low temperature flip chip bonding techniques; a conventional flip chip technique using eutectic Bi-Sn (mp: $138^{\circ}C$) or eutectic In-Ag (mp: $141^{\circ}C$) solders, a direct bump-to-bump bonding technique using solder bumps, and a low temperature bonding technique using low temperature solder pads.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권1B호
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• pp.62-67
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• 2010

본 연구는 다양한 산업 환경에 적용되는 RFID 태그 개발에 있어 RFID 태그 패키징 개발과 RFID 태그 플립칩(flip chip) 접합 방법이 산업 환경 맞춤형 RFID 태그 개발에 미치는 영향에 대해 분석하였다. RFID 태그 플립칩(flip chip) 접합은 와이어 접합(wire bonding), 초음파 접합(ultrasonic bonding), 열융착 접합(heat plate bonding), 레이저 접합(laser bonding)으로 구분되어 있으며, 이런 접합 방법은 다양한 RFID 태그 개발의 적용 환경에 따라 적합한 접합 방법이 있음을 본 연구를 통해서 알 수 있었다. 극고온, 극저온, 다습, 고내구성 등 다양한 산업 환경 중 극고온 환경에서의 RFID 태그 개발은 빛 에너지를 흡수하여 열 에너지로 전환하는 레이저 접합 방법과 직접적인 열 전달 방식인 열융착 접합 방법은 접속 재료인 ACF의 손상으로 인해 부적합하고, 와이어를 이용하여 직접 범프와 패턴을 연결하는 와이어 접합 방법이 적합함을 알 수 있었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제22권4호
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• pp.38-47
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• 2023

Three dimensional (3D) packaging is a next-generation packaging technology that vertically stacks chips such as memory devices. The necessity of 3D packaging is driven by the increasing demand for smaller, high-performance electronic devices (HPC, AI, HBM). Also, it facilitates innovative applications across another fields. With growing demand for high-performance devices, companies of semiconductor fields are trying advanced packaging techniques, including 2.5D and 3D packaging, MR-MUF, and hybrid bonding. These techniques are essential for achieving higher chip integration, but challenges in mass production and fine-pitch bump connectivity persist. Advanced bonding technologies are important for advancing the semiconductor industry. In this review, it was described 3D packaging technologies for chip integration including mass reflow, thermal compression bonding, laser assisted bonding, hybrid bonding.

• Journal of Welding and Joining
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• 제26권3호
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• pp.30-36
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• 2008

A flip-chip bonding system using IR laser with a wavelength of 1064 nm was developed and associated process parameters were analyzed using Taguchi methods. An infrared laser beam is designed to transmit through a silicon chip and used for transferring laser energy directly to micro-bumps. This process has several advantages: minimized heat affect zone, fast bonding and good reliability in the microchip bonding interface. Approximately 50 % of the irradiated energy can be directly used for bonding the solder bumps with a few seconds of bonding time. A flip-chip with 120 solder bumps was used for this experiment and the composition of the solder bump was Sn3.0Ag0.5Cu. The main processing parameters for IR laser flip-chip bonding were laser power, scanning speed, a spot size and UBM thickness. Taguchi methods were applied for optimizing these four main processing parameters. The optimized bump shape and its shear force were modeled and the experimental results were compared with them. The analysis results indicate that the bump shape and its shear force are dominantly influenced by laser power and scanning speed over a laser spot size. In addition, various effects of processing parameters for IR laser flip-chip bonding are presented and discussed.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권1호
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• pp.19-26
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• 2007

본 연구의 목적은 CMOS 이미지 센서용 Au 플립칩 범프와 전해 도금된 Au 기판 사이의 초음파 접합의 가능성 연구이다. 초음파 접합 조건을 최적화하기 위해서, 대기압 플라즈마 세정 후 접합 압력과 시간을 달리하여 초음파 접합 후 전단 시험을 실시하였다. 범프의 접합 강도는 접합 압력과 시간 변수에 크게 좌우되었다. Au 플립칩 범프는 상온에서 성공적으로 하부 Au 도금 기판과 접합되었으며, 최적 조건 하에서 접합 강도는 약 73 MPa이었다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제20권4호
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• pp.498-504
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• 2002

Fluxless flip chip bonding process using plasma treatment instead of flux was investigated. The effect of plasma process parameters on tin-oxide etching characteristics were estimated with Auger depth profile analysis. The die shear test was performed to evaluate the adhesion strength of the flip chip bonded after plasma treatment. The thickness of oxide layer on tin surface was reduced after Ar+H2 plasma treatment. The addition of H2 improved the oxide etching characteristics by plasma. The die shear strength of the plasma-treated Sn-Pb solder flip chip was higher than that of non-treated one but lower than that of fluxed one. The difference of the strength between plasma-treated specimen and non-treated one increased with increase in bonding temperature. The plasma-treated flip chip fractured at solder/TSM interface at low bonding temperature while the fracture occurred at solder/UBM interface at higher bonding temperature.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권4호
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• pp.1-10
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• 2020

웨어러블 소자를 구현하기 위한 칩-섬유 접합 기술을 중심으로 전자 섬유에 대한 기술 개발 동향을 소개한다. 전자 부품을 섬유에 접합하기 위해서는 먼저 전자 부품에 전원 공급 및 전기적 신호를 주고 받기 위한 회로를 섬유에 구성해야 하며, 회로의 해상도와 밀도에 따라 전도성 실을 이용하는 자수법 또는 전도성 페이스트 등을 이용한 프린트법을 통해 구현할 수 있다. 전자 부품과 섬유를 접합하기 위해서는 솔더링, ACF/NCA, 자수법, 크림핑 등의 방법을 이용하여 영구적으로 접합하거나 후크, 자석, 지퍼 등을 이용하여 탈부착이 가능하도록 접합하는 방법이 있으며, 접합 배선의 밀도 및 용도에 따라서 단독 또는 융합하여 사용한다. 접합 이후에는 방수 등 사용환경에서의 신뢰성을 확보하기 위해 encapsulation 작업을 수행해야 하며, 현재는 PDMS 등의 폴리머를 이용한 방법이 널리 쓰이고 있다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 추계학술대회 논문집
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• pp.41-42
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• 2008

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권4호
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• pp.61-71
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• 1999

통신분야에서 사용주파수대역의 증가, 제품의 소형화 및 가격경쟁력등의 요구에 따라 RF 소자의 패키징 기술도 플라스틱 패키지 대신에 flip chip interconnection, MCM(multichip module)등과 같은 고밀도 실장기술이 발전해가고 있다. 따라서, 본 논문은 최근 수년간 보고된 응용사례를 중심으로 RF flip chip의 기술적인 개발방향과 장점들을 분석하였고, RF 소자 및 시스템의 개발단계에 따른 적합한 적용기술을 제시하였다. RF flip chip의 기술동향을 요약하면, 1) RF chip배선은 microstrip 대신에 CPW 구조을 선택하며, 2) wafer back-side grinding을 하지 않아서 제조공정이 단순하고 wafer 파손이 적어 제조비용을 낮출 수 있고, 3) wire bonding 패키징에 비해 전기적인 특성이 우수하고 고집적의 송수신 모듈개발에 적합하다는 것이다. 그러나, CPW 배선구조의 RF flip chip 특성에 대한 충분한 연구가 필요하며 RF flip chip의 초기 개발 단계에서 flip chip interconnection 방법으로는 Au stud bump bonding이 적합할 것으로 제안한다.