After The Yellow Emperor's Canon of Internal Medicine, The text researches of pathologic change to the liver disease concluded the next, 1, The category of liver-disease(肝病) include the Symptoms of abnormality due to vital energy and blood motion, emotion and intention, muscular and reproductive function, and legions around descending liver channel. 2. In the theory that Liver-Yang energy(肝陽氣) is always overproducing, Liver-Yin blood(肝陰血) is always lacking, pathologic characteristics for liver disease is functional change of malfunction of the use of body(體用失調), So nourishing the liver and kidney is used for the principal aspects of a disease. regulating and calm the liver is used for the secondary aspects of a disease as the treatment plan, 3. If malfunctioning of the functions of dispersion and discharge(疏泄), Iiver-energy(肝氣) is becoming degected, So overproduct and overflow of ascent and exhalation of liver-yang(肝陽) is becoming blood are ascending following energy. complete usage of Yin-blood(陰血) is responsible for some kinds of mass formed by blood stasis in the early stage of pathogenesis of liver disease syndrome of the energy system as the progession of disease extravasated blood is forming. the pathologic characteristics is appeared loss of control of the vital energy and blood(體用失調) at the liver disease. 4. Sthenia-syndrome of liver(肝實證) and liver-heat syndrome(肝熱證) is appered that overproducing and overflow of dispersion(疏泄太過) and discharge is responsible for overfunctioning of liver disease or some kinds of heat syndrome such as liver fire(肝火), Sthenia of liver-yang(肝陽上亢), the syndromes of sthenic liver heat(肝實熱) are appered. deficiency of the liver(肝虛證) and cold syndrome of liver(肝寒證) is classified pathologic characteristics of cold and heat, deficiency and excess that regression of sensory, motor, mental due to lack of dispersion and discharge(疏泄不及), or intruding of the cold miasma, are degected. 5. The liver is close relation of physiologic function and internal organ such as spleen, stomach, lung, heart, kidney, gall bladder by the meridian channels, because of property of wind Zang, rapid progession is classified by phthologic charateristics.
본 연구의 목적은 다면적 인성검사(MMPI-2)의 임상척도와 뇌기능지수 중 자기조절지수와의 관련성을 알아보고자 하는데 있다. 연구는 상담센터에 내원한 20세 이상의 성인 남녀 중 자원한 41명을 대상으로 진행하였다. 자기보고식 검사지인 다면적 인성검사(MMPI-2)를 이용해 검사를 진행했으며, 2채널 뇌파측정기를 이용해 Fp1,과 Fp2에서 뇌파를 측정하였다. 연구결과는 다면적 인성검사(MMPI-2)의 임상척도인 척도2(D)와 자기조절지수 중 휴식 즉, 알파파와 음의 상관을 보였으며, 다면적 인성검사(MMPI-2) 척도3(Hy)은 집중력 즉, 저베타파와 양의 상관성을 보였고, 척도 7(Pt)은 휴식과 음의 상관성을 보였다. 상담현장에서 다면적 인성검사(MMPI-2)와 SQR을 상호 보완하여 사용할 수 있다는데 본 연구의 의의가 있다. 이러한 결과는 세 가지 시사점을 갖는 것으로 해석 가능하다. 첫째, 우울한 정서를 가진 사람들은 타인의 시선과 평가에 민감하여 대인관계를 맺을 시 많은 에너지를 사용하게 되어 휴식이 유지되지 못하기 때문에 피로도가 상승할 수 있다. 둘째, 지나치게 타인의 관심을 얻으려고 하고 쾌활한 모습을 지닌 사람들은 활동력이 높을 것으로 여겨진다. 셋째, 불안과 긴장 상태로 스트레스가 높아진 사람들은 쉽게 지치고 짜증과 불쾌감이 상승할 수 있다는 것을 시사한다.
인터넷 기술을 채택한 기업들은 왜곡된 시장 신호에 혼란을 겪고 있다. 이처럼 새로운 기업현상에 직면한 기업들이 시장의 신호가 아니라, 시장의 결과를 이용하여 전략의 지침으로 삼고자 하는 것은 당연하다고 할 수 있다. 그러나 일반적으로 새로운 정보기술의 출시 초기에는 시장의 신호를 신뢰할 수는 없다. 새로운 정보기술은 기업과 고객들로 하여금 난무하는 실험들을 촉발시키고, 이러한 실험들은 경제적 지속성이 없다고 볼 수 있다. 이러한 결과로 인해서, 시장의 행동은 왜곡되고, 기업은 시장의 행동을 조심스럽게 해석해야 한다. 서론에서 비즈니스 모델의 개념을 검토하고, 비즈니스 모델에서 전략의 역할들을 소개한다. 2장 에서는 전략분석을 통한 시장, 제품, 가치사슬 및 추구하지 말아야할 시장, 제품, 사업영역들에 대해서 분석하고, 고개들을 만족시키기 위한 전략적 포지셔닝 방법들을 소개하고, 이러한 전략적 포지셔닝에 정보기술을 어떻게 이용하는 방법들을 제시하고 있다.. 3장 에서는 전략을 형성하는데 유용한 요인들을 이해하기 위한 주요 프레임웍들을 소개한다. 전략적 그리드 모형을 이용하여 정보기술이 기업의 운영과 전략에 미치는 효과를 네 가지 범주로 분류하고 있으며, 전략적 조정 모델은 비즈니스 모델의 모든 구성요소들에 걸쳐서 비즈니스와 정보기술 간의 조정을 평가할 수 있는 방법을 제시한다. 본 연구는 비즈니스 모델의 개념을 검토하고, 전략을 형성하는 요인들과 이러한 요인들을 이해하기 위해 유용한 프레임웍들을 소개한다. 본 연구의 목적은 지속가능한 경쟁 우위를 산출하기 위해서 어떻게 정보기술을 이용하는지에 대한 지침을 제공하고자 한다.
Investigation for industrial revolution has been recognized as an important issue of historical science, since industrial revolution itself was a historical moment in modern economic society and in the forming of modern capitalistic culture. If clothing culture had been developed in close relation to social culture. industrial revolution which gave a base for modern capitalistic culture, would be a birth of modern clothing as well as a moment for modernization of western clothing. As it takes for granted that industrial revolution, historical phenomenon is a developmental base of modern clothing culture. This study tried to enlighten the origin of modern clothing culture phenomenon with investigation of industrial revolution as a historical moment in modern clothing culture through documental study. Historian's point of view and method of studying are important when we investigate the clothing phenomenon. Although culture phenomenon of industrial revolution has been evaluated usually through socialogical aspect, studying for clothing culture phenomenon must be carried out on aethetical as well as well as sociological aspect, on account of dualism of clothing, as it is social and artistic nature. In 19th century, there were technical improvement, changing patterns of production, changing social relation and beginning of mass culture. At the same time clothing culture phenomenon was changed in relation to modern capitalistic society. The findings of the study could be summarized as follows. 1. Technical improvement in textile industry and fitting process brought about mechanization of clothing industry. 2. Appearance of popular clothing culture made it easy to spread to various classes of society. 3. Development of transportation system and communication channel made it internationalization of western clothing. 4. Recognition of importance in functional style of clothing. 5. The pursuit of modern aesthetics made rapid changing mode of clothing. Above distinctive features of modern clothing culture were derived from by-product of machinary culture, mass culture, internationalism, rapidly changing mode of various culture during industrial revolution. Industrial revolution was a change of the material world as well as in industry owing to machine advent, then the culture part that displayed directly these changes was the plastic arts of living that mould the material. The problem of clothing construction caused by industrial revolution was solved by pursuing the functional aesthetics. Clothing phenomenon as a process of value transfer participates mass culture in closs relation to general change of various culture caused by industrial revolution. Therefore western clothing gained the qualities of modern culture, condensed as function, and popularity in the process of modernization.
Carbon nanotube (CNT) field effect transistors and sensors use CNT as a current channel, of which the resistance varies with the gate voltage or upon molecule adsorption. Since the performance of CNT devices depends very much on the CNT/metal contact resistance, the CNT/electrode contact must be stable and the contact resistance must be small. Depending on the geometry of CNT/electrode contact, it can be categorized into the end-contact, embedded-contact (top-contact), and side-contact (bottom-contact). Because of difficulties in the sample preparation, the end-contact CNT device is seldom practiced. The embedded-contact in which CNT is embedded inside the electrode is desirable due to its rigidness and the low contact resistance. Fabrication of this structure is complicated, however, because each CNT has to be located under a high-resolution microscope and then the electrode is patterned by electron beam lithography. The side-contact is done by depositing CNT electrophoretically or by precipitating on the patterned electrode. Although this contact is fragile and the contact resistance is relatively high, the side-contact by far has been widely practiced because of its simple fabrication process. Here we introduce a simple method to embed CNT inside the electrode while taking advantage of the bottom-contact process. The idea is to utilize a eutectic material as an electrode, which melts at low temperature so that CNT is not damaged while annealing to melt the electrode to embed CNT. The lowering of CNT/Au contact resistance upon annealing at mild temperature has been reported, but the electrode in these studies did not melt and CNT laid on the surface of electrode even after annealing. In our experiment, we used a eutectic Au/Al film that melts at 250$^{\circ}C$. After depositing CNT on the electrode made of an Au/Al thin film, we annealed the sample at 250$^{\circ}C$ in air to induce eutectic melting. As a result, Au-Al alloy grains formed, under which the CNT was embedded to produce a rigid and low resistance contact. The embedded CNT contact was as strong as to tolerate the ultrasonic agitation for 90 s and the current-voltage measurement indicated that the contact resistance was lowered by a factor of 4. By performing standard fabrication process on this CNT-deposited substrate to add another pair of electrodes bridged by CNT in perpendicular direction, we could fabricate a CNT cross junction. Finally, we could conclude that the eutectic alloy electrode is valid for CNT sensors by examine the detection of Au ion which is spontaneously reduced to CNT surface. The device sustatined strong washing process and maintained its detection ability.
리튬금속전지(LMB)는 매우 큰 이론 용량을 갖지만 단락(short circuit), 수명 감소 등을 야기하는 덴드라이트(dendrite)가 형성되는 큰 문제점을 갖고 있다. 본 연구에서는 poly(dimethylsiloxane) (PDMS)에 graphene oxide (GO) nanosheet를 고르게 분산시킨 PDMS/GO 복합체를 합성하였고 이를 박막 형태로 코팅하여 덴드라이트의 형성을 물리적으로 억제할 수 있는 막의 효과를 이끌어내었다. PDMS의 경우, 그 자체로는 이온 전도체가 아니기 때문에 리튬 이온의 통로를 형성시켜 리튬 이온의 이동을 원활하게 하기 위하여 5wt% 불산(HF)으로 에칭하여 PDMS/GO 박막이 이온전도성을 가질 수 있도록 하였다. 주사전자현미경(scanning electron microscopy, SEM)을 통해 전면 및 단면을 관찰하여 PDMS/GO 박막의 형상을 확인하였다. 그리고 PDMS/GO 박막을 리튬금속전지에 적용하여 실시한 배터리 테스트 결과, 100번째 사이클까지 쿨롱 효율(columbic efficiency)이 평균 87.4%로 유지되었고, 박막이 코팅되지 않은 구리 전극보다 과전압이 감소되었음을 전압 구배(voltage profile)를 통해 확인하였다.
자연하천은 사행을 보이며 만곡부 외측에 웅덩이 그리고 만곡과 만곡을 연결하는 직선 유로에 여울이 형성된다. 웅덩이는 수심이 깊으며 유속이 느리고, 여울은 수심이 비교적 얕고 유속이 빠른 특징이 있다. 사행유로를 따라 자연적으로 발달하는 웅덩이-여울 연속구조에 근래들어 관심이 집중되는 이유는 이러한 하천형태학적 구조가 생물학적인 다양성을 증가시키기 때문이다. 본 연구에서는 금강의 지류인 갑천 상류구간을 대상으로 웅덩이-여울 연속구조에서 하상토의 입도특성을 조사하였다. 대상구간인 갑천 상류부는 자갈하천으로 사행에 의한 웅덩이 1개소와 여울 3개소를 포함하고 있으며, 구간 상류측에 보로 인해 상하류에 형성된 웅덩이 2개소가 위치한다. 아울러 조사대상 구간의 습지 및 샛강에서 채취한 하상토의 입도특성도 살펴보았는데, 여울에서의 중앙입경이 웅덩이에서보다 약 4배 큰 것으로 나타났다. 또한, 평수량 및 홍수량에 대하여 부등류 계산을 실시하여, 유사이동에 중요한 웅덩이와 여울에서 평균유속, 전단응력, 무차원 전단응력(Shields 수), 그리고 무차원 전단속도를 검토하였다.
본 연구에서는 4대강 살리기 사업 후 퇴적현상이 지배적으로 발생하는 남한강과 섬강 합류부 구간을 대상으로 2차원 수치모형인 CCHE2D 모형을 이용하여 하천의 흐름 및 하상변동에 대한 해석을 수행하였다. 대상지점 합류부는 남한강 본류의 만곡부에 지류 섬강이 유입되는 특성을 갖는다. CCHE2D 모형은 비평형 유사이송을 해석하며 소류사와 부유사 조정거리가 중요한 입력변수로 대상지점에서는 소류사 조정거리가 하상변동에 가장 큰 영향을 주는 것으로 나타났다. 수치모의 결과 유량비($Q_r$) 변화가 남한강과 섬강 합류부 지점에서 흐름 및 하상변동에 영향을 미쳤으며, $Q_r{\leq}2.5$인 경우에는 합류전 본류의 유속이 증가하여 흐름박리구역을 감소시켰으며 이로 인해 합류부 내측의 퇴적이 감소하였다. $Q_r$>2.5이면 합류부 구간에 퇴적이 증가하여 사주가 형성될 가능성이 높은 것으로 나타났다. 수치모의를 통해 2013년에 발생한 유량비 변화에 의해 합류부에 고정사주가 형성된 것을 알 수 있었다.
유기 전계효과 트랜지스터(OFETs)는 유기 반도체를 채널층으로 하여 유연한 기판에서 제작할 수 있어 차세대 전자 소자 분야에서 각광받고 있다. 특히 diketopyrrolopyrrole (DPP) 계열 고분자 반도체는 다른 유기 반도체에 비하여 전하 이동도가 높아 활발하게 활용되고 있지만 여전히 무기 반도체에 비하여 낮아, 유기반도체의 전하 이동도를 향상시키기 위한 여러 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 절연체와 고분자 반도체사이에 자가 조립 단층 박막을 형성하여 표면 에너지를 제어함으로써 고분자 반도체의 결정성을 향상시키고자 하였다. 이를 통해 고분자 박막의 결정성을 성공적으로 제어할 수 있었고, 유기 반도체의 전하 이동도를 3.57×10-3 cm2V-1s-1에서 5.12×10-2 cm2V-1s-1로 약 14배 향상시킬 수 있었다.
Gallium Oxide (Ga2O3) is preferred as a material for next generation power semiconductors. The Ga2O3 should solve the disadvantages of low thermal resistance characteristics and difficulty in forming an inversion layer through p-type ion implantation. However, Ga2O3 is difficult to inject p-type ions, so it is being studied in a heterojunction structure using p-type oxides, such as NiO, SnO, and Cu2O. Research the lateral-type FET structure of NiO/Ga2O3 heterojunction under the Gate contact using the Sentaurus TCAD simulation. At this time, the VG-ID and VD-ID curves were identified by the thickness of the Epi-region (channel) and the doping concentration of NiO of 1×1017 to 1×1019 cm-3. The increase in Epi region thickness has a lower threshold voltage from -4.4 V to -9.3 V at ID = 1×10-8 mA/mm, as current does not flow only when the depletion of the PN junction extends to the Epi/Sub interface. As an increase of NiO doping concentration, increases the depletion area in Ga2O3 region and a high electric field distribution on PN junction, and thus the breakdown voltage increases from 512 V to 636 V at ID =1×10-3 A/mm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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