The core/shell of nanowires (NWs) with Cu-doped CdSe quantum dots were fabricated as an electron transport layer (ETL) for perovskite solar cells, based on ZnO/TiO2 arrays. We presented CdSe with Cu2+ dopants that were synthesized by a colloidal process. An improvement of the recombination barrier, due to shell supplementation with Cu-doped CdSe quantum dots. The enhanced cell steady state was attributable to TiO2 with Cu-doped CdSe QD supplementation. The mechanism of the recombination and electron transport in the perovskite solar cells becoming the basis of ZnO/TiO2 arrays was investigated to represent the merit of core/shell as an electron transport layer in effective devices.
Recently semiconductor doped glasses have attracted attention as nonlinear optical materials because of their large third order nonlinear optical properties. The transparent and homogeneous CdS-doped SiO2 glass thin films were obtained by the dip=coating process of the sol-gel method. Thin films were consisted of glasses containing CdS microcrystallites which were formed by dissolved Cd2+ and S2- ions in a SiO2 matrix solutions. A subsequent thermal treatment of this samples led the formation of colloidal agglomerates and finally of microcrystallites. The size of CdS microcrystallites was about 4 to 15 nm after thermal treatments at various heating conditions. From the optical absorption spectra of the CdS-doped SiO2 glass films it was found that the absorption edge was blue-shifted compared with that of the bulk CdS crystal(~2, 4 eV) and that the amount of energy shift was inversely proportional to the crystal size. And the band gap energy increased with the decrease in crystallite size indicating that the quantum size effects occured.
Park, Su-Dong;Lee, Hee-Woong;Kim, Bong-Seo;Kim, Byung-Geol;Song, Jae-Young
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.05b
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pp.34-37
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2004
It is well known that Ag-CdO alloy for electrical contactor has been widely used in weak or middle electric current field. But it is necessary to decrease Cd contents without decrease of contactor property because Cd is harmful to human body. The present work has been carried out to investigate effects of Mm (misch metal) addition on the property of Ag-CdO alloy for electrical contactor. As the results of present works, hardness and strength was improved and arc resistance was improved, also, in spite of decrease Cd contents by the Mm addition. It was estimated that Ag-oxide particle was refined by Mm addition.
The Mossbauer spectra of the $Ni_{1-x}Cd_xFeAlO_4$ system were investigated with the Cd content x at room temperature. The spectra of the samples exhibit various patterns as follows 1) superparmagnetic relaxation for 0$\leq$x$\leq$0.2, 2) ferrimagnetic sextet for 0.3$\leq$x$\leq$0.5, 3) ferromagnetic relaxation for x=0.6, 0.7, 4) paramagnetic doublet for 0.8$\leq$x$\leq$1, with the Cd content x. In the samples with x values from 0 to 0.2, the substituted $Cd^{2+}$ ions transfer the $Al^{3+}$ ions from A-site to B-site mainly. The superparamagnetic relaxation effect and the ferromagnetic relaxation effect are derived from the $Al^{3+}$, $Cd^{2+}$ respectively. The magnetic structure of the $Ni_{1-x}Cd_xFeAlO_4$ system was explained by the Yafet-Kittel model.
In order to find the optical properties of CdSe thin film and CdSe nanostructure, the following experiments were performed: the CdSe wurtzite nanostructure was made by using 99.99% CdSe (Aldrich) powder with the $SiO_x$ substrates and the $AlO_x$ membranes in $7{\times}10^{-6}$ torr vacuum. (The average vacuum coating speed being 1 ${\AA}$/sec). The calculations obtained were about 200 nm diameter of nanotubes on the $AlO_x$ membranes and a crystallite size of about 2 nm on the $SiO_x$ substrates. These results were verified through the Scanning Electron Microscopy (SEM) analysis, thin film X-ray diffraction analysis and emission spectroscopy.
To investigate the scattering layer effect of a $TiO_2$ multilayer in dye-sensitized solar cells (DSSCs), we designed a new DSSC system, assembled with a CdS-$TiO_2$ scattering layer electrode. A high-magnification SEM image exhibited hollyhock-like particles with a width of 1.5-2.0 ${\mu}m$ that were aggregated into 10-nm clumps in a hexagonal petal shape. The efficiency was higher in the DSSC assembled with a CdS-$TiO_2$ scattering layer than in the DSSC assembled with $TiO_2$-only layers, due to the decreased resistance in electrochemical impedance spectroscopy (EIS). The short-circuit current density ($J_{sc}$) was increased by approximately 7.26% and the open-circuit voltage ($V_{oc}$) by 2.44% over the 1.0 wt % CdS-$TiO_2$ composite scattering layer and the incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE) in the maximum peak was also enhanced by about 5.0%, compared to the DSSC assembled without the CdS-$TiO_2$scattering layer.
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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v.16
no.2
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pp.130-135
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2005
Cadmium selenide is one of the group IIb-VI compounds, which is the promising semiconductor material due to its wide range of technological applications in optoelectronic devices such as photoelectrochemical cells, solid state solar cells, thin film photoconductors etc. CdSe has optical band gap of 1.7-1.8eV and proper conduction band edge for water splitting. CdSe films are coated with small thickness(20-50nm) nanocrystalline $TiO_2$ film by electrodeposition or chemical bath deposition methods and PEC properties of CdSe and CdSe/$TiO_2$ sandwich structure are studied. The photoactivity of CdSe and CdSe/$TiO_2$ films deposited on titanium substrate is studied in aqueous electrolyte of 1M NaOH solution. Photocurrent and photovoltage obtained were of the order of 2-4 mA/$cm^2$ and 0.5V, respectively, under the intensity of illumination of 100 mW/$cm^2$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.671-671
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2013
실리콘 태양전지와 박막형 태양전지의 뒤를 이어, 제3세대로 분류되는 양자점 감응형 태양전지(QDSC)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이 태양전지의 TCO로는 주로 ZnO, TiO2가 대부분 사용되고 있으며, 양자점 물질로는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe 등의 카드뮴 및 납을 주 성분으로 하는 물질들에 대한 연구만 중점적으로 이루어지고 있는 실정이다. 이런 물질들은 현재까지 알려진 한도 내에서는 QDSC 효율 중 가장 좋은 효율을 나타내고는 있으나 이런 타입의 QDSC가 상용화된다면 환경에 노출되었을 때에 미치는 악영향이 매우 큰 중금속 물질들로 이루어져 있어, 이를 극복할 수 있는 친환경 성분의 물질에 대한 연구 또한 필요한 시점이다. 따라서 본 연구에서는 CdS를 대체할 수 있는 물질로 Ag2S를 선정, 이에 대한 연구를 진행하였다. Ag2S는 밴드갭이 1.1eV의 물질로, CdS의 2.3 eV와 비교해 상당히 작은 밴드갭을 가져 월등히 넓은 영역에서 빛을 흡수할 수 있다는 장점을 가지고 있으며, 동시에 이로 인한 전자-정공 재결합이 빨라 태양전지로 제작시에 Voc가 낮게 형성된다는 단점도 가지고 있다. 태양전지에 사용된 TCO물질은 ZnO 나노선을 사용했으며, 본 연구실에서 기존에 개발한 수열합성법을 통해 제작하였다. 이를 활용하여 최종적으로 제작한 태양전지의 효율은 CdS/ZnO QDSC가 1.2%, Ag2S/ZnO QDSC가 1.2%로 동일한 성능을 나타냈으며, CdS를 대체할 물질로 Ag2S의 가능성을 보여준 결과라 할 수 있다.
Park, Jin-Ju;Lee, Seung-Hyeop;Seol, Min-Su;Yong, Gi-Jung
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.370-370
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2011
ZnO 나노 라드 위에 Quantum dot을 형성하고 최종적으로 TiO2를 Atomic Layer Deposition방법으로 증착하여, 그 passivation 효과가 solar cell의 효율에 미친 영향에 대한 실험을 진행하였다. 암모니아 솔루션을 이용한 Hydrothermal 방법으로 수직한 1차원 형태의 ZnO 나노라드를 TCO 기판 위에 성장시킨다. 여기에 잘 알려진 SILAR와 CBD 방법으로 CdS, CdSe 양자점을 증착한다. 그리고 amorphous TiO2로 표면을 덮는 과정을 거치는데, TiO2가 좁은 간격으로 형성된 ZnO라드 구조 위에서 균일하고 정밀하게 증착되도록 하기 위해 Atomic Layer Deposition을 이용하였다. 사용된 precursor는 Titanium isopropoxide와 H2O이며, 실험상에서 0~5 nm 두께의 TiO2 박막을 형성해 보았다. 다양한 분석 방법을 통해 TiO2/QDs/ZnO의 shell-shell-core 구조를 조사했다. (Scanning Electron Microscopy (SEM), Transmission Electron Microscopy (TEM), X-Ray Diffraction (XRD), and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)). 이를 solar cell에 적용하고 I-V curve를 통해 그 효율을 확인하였으며, Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS)를 통해서 재결합 측면에서 나타나는 변화 양상을 확인하였다.
The effects of SiO2 MnO2 and sintering atmospheres (O2, N2) on the piezoelectric properties and densification behaviors of Pb0.98Cd0.02Zr0.36Ti0.39Ni0.083Nb0.167O3 were investigated. The addition of SiO2 to the system enhanced the rate of densification but supressed the rate of grain growth. On the other hand the addition of MnO2 to the system did not nearly affect the rate of densification but increased slightly the rate of grain growth The densification of Pb0.98Cd0.02Zr0.36Ti0.39Ni0.083Nb0.167O3 containing of SiO2 or MnO2 was promoted with increasing the partial pressure of O2. The relative dielectric constant ($\varepsilon$r) and piezoelectric constant (d33) of Pb0.98Cd0.02Zr0.36Ti0.39Ni0.083Nb0.167O3 containing of SiO2 or MnO2 sintered under O2 atmosphere were higher than under N2 atmosphere. Whereas the mechanical quality factor (Qm) of specimens sintered under O2 atmosphere were lower than under N2 atmosphere. Thus the sintering atmosphere of O2 and N2 in Pb0.98Cd0.02Zr0.36Ti0.39Ni0.083Nb0.167O3 containing of SiO2 or MnO2 acted as donor and acceptor respectively. As the amount of SiO2 increased the relative dielectric constant ($\varepsilon$r) and piezoelectric constant (d33) of Pb0.98Cd0.02Zr0.36Ti0.39Ni0.083Nb0.167O3 but the mechanical quality factor (Qm) did not nearly change, In the case of the addition of MnO2 to the system the relative dielectric constant ($\varepsilon$r) and piezoelectric constant (d33) of Pb0.98Cd0.02Zr0.36Ti0.39Ni0.083Nb0.167O3 sintered under O2 atmosphere decreased rapidly with increasing the amount of MnO2 but they were unchanged with increasing the amount of MnO2 under N2 sintering atmosphere. Therefore the differences of the relative dielect-ric constant ($\varepsilon$r) and piezoelectric constant (d33) due to sintering atmosphere were diminished as the amount of MnO2 increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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