• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권6호
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• pp.1063-1068
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• 2008

화학기상증착법으로 제조된 $TiO_2$ 광촉매 볼을 이용하여 마이크로웨이브와 자외선을 동시에 조사시켜 메틸렌블루 수용액의 광촉매 분해실험을 하였다. 광촉매반응에 마이크로웨이브와 자외선을 같이 사용하기 위하여 마이크로웨이브에 의해 방전되는 무전극자외선램프를 개발하였다. 실험결과 마이크로웨이브의 강도, 반응수용액의 순환유속 그리고 산화보조제의 첨가량이 증가할수록 광촉매분해속도가 증가하였다. 특히 과산화수소를 첨가한 광촉매반응에 마이크로웨이브를 부가한 실험의 반응속도상수는 $0.0197min^{-1}$이고 광촉매반응에 과산화수소만을 첨가한 경우의 속도상수는 $0.0061min^{-1}$로 약 3배정도 높은 값을 나타내었다. 본 연구의 결과로부터 광촉매반응에 마이크로웨이브가 미치는 영향을 정량적으로 평가하기는 어렵지만, 과산화수소가 첨가되는 광촉매반응에 마이크로웨이브의 조사가 매우 중요한 인자인 것을 알 수 있었다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.177-181
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• 2006

반도체를 만드는데 있어서 여러가지 박막을 형성하는 공정이 있다. 이때 가장 많이 쓰이는 방법이 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법이나 PVD(Physical Vapor Deposition)방법이다. 이들 방법으로 막을 형성하게 되면, 웨이퍼 이면에도 막이 형성되게 된다. 웨이퍼 후면에 증착된 막은 공정 특성상 두께분포가 균일하지 못하고 다음 공정 중에 웨이퍼 전면을 오염시킬 수 있다. 후면의 박막이 있는 상태로 웨이퍼가 batch 방식의 습식공정이 진행되면, 후면의 박막이 떨어져 나와서 웨이퍼 전면을 오염시키게 된다. 또한 공정에 따라서 기판전면은 식각 시키지 않고 후면만 식각 시키는 경우가 발생하는데, 이때 웨이퍼 아래에 설치된 노즐을 사용하여 웨이퍼 후면의 박막을 식각할 수 있다. 본 연구는 노즐에서 약액이 분사되는 방향과 위치를 조절하여 매엽식 장비에서 웨이퍼 후면의 막을 균일하게 식각 시킬 수 있는 노즐을 제작하고 웨이퍼 후면의 $Si_{3}N_{4}$막을 분당 $1000{\AA}$이상 식각 하였으며 균일도를 5% 이하로 하였다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2002년도 춘계학술강연 및 발표대회
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• pp.53-53
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• 2002

본 연구에서는 산화텅스텐($WO_3$) 분말을 이용하여 여러 금속 기판에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법에 관한 연구를 수행하였다. 본 연구에서 언급되는 W 코팅은 Lee 등이 보고한 W, Cu 산화물을 이용하여 W-Cu 복합분말을 제조하는 것으로부터 아이디어가 출발되었으며, 본 연구의 결과는 기존의 6불화 텅스텐 가스($WF_6$) 를 열 분해하여 증착시키는 화학증착법(CVD: chemical vapor deposition)과 순수 텅스텐 target을 sputtering하여 증착시키는 물리증착법(PVD: physical vapor deposition)과 달리, 산화텅스텐 분말, 금속 기판, 및 수소 가스만을 사용하기 때문에 경제적으로 큰 장점이 있는 새로운 코팅법의 하나로 연구되었다. 본 연구에서는 새로운 코팅법의 기구와 여러 금속에서 코팅되는 W의 코팅 현상 등에 대해 간단히 언급하고자 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.346-346
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• 2010

Using a novel deposition technique, which can be described as pulsed chemical vapor deposition (CVD), $TiO_2$ thin films were synthesized on carbon fibers. We show that these films exhibit extraordinary high absorption capacities of toluene vapor. Such an absorption phenomenon of toluene at room temperature was not found for other $TiO_2$ samples. We expect that $TiO_2$ thin films prepared here can be used for removing volatile organic compounds from indoor atmosphere. Structures of there $TiO_2$ films were studied by SEM and XPS, and the results are discussed.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.1003-1006
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• 2004

We have fabricated poly-Si TFTs at 170$^{\circ}C$ using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) and excimer laser annealing (ELA). A Poly-Si film with large grains exceeding 5000${\AA}$ and a $SiO_2$ film with high breakdown field are deposited by ICP-CVD. A high mobility exceeding 100$cm^2$/Vs with a low sub-threshold swing of 0.76V/dec was obtained.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.294-298
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• 2004

Carbon nanotubes(CNTs) were synthesized by thermal chemical vapor deposition(CVD) method. To fabricate CNT gas sensor, catalyst metal layer was deposited on microstructure. The CNT gas detecting layer was grown by thermal CVD method on the catalyst metal layer. In order to investigate the gas sensing characteristics of the fabricated CNT gas sensor, it was exposed in NO$_2$ gas and sensitivity, response, and recovery time were measured. As the result, this sensor has better reproductibility and faster recovery time than another CNT gas sensors.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.88-92
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• 2010

본 연구에서는 기존의 반도체 공정을 이용하여 bottom gate, top gate구조의 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작하였다. 게이트 특성에 따른 특성을 연구하기 위하여 열화학 기상 증착법(CVD)으로 탄소나노튜브를 디바이스에 직접 성장시키고, 탄소나노튜브의 성장 특성 및 I-V동작 특성을 분석하였다. 제작된 탄소나노튜브 FET는 p-type, 즉 hole이 다수 캐리어로 존재하는 트랜지스터이며 구동전압에 따라 conductance 변화하는 특성을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.188.2-188.2
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• 2014

Chemical vapor deposition (CVD) method is usually used to grow high-quality large area graphene. In the CVD process, copper is an especially important catalytic-substrate due to the fact that graphene films grown on Cu foils are predominantly one monolayer thick. In this study, we has grown graphene on several types of copper substrates: Cu foils and copper single crystal surfaces such as Cu(100) and Cu(111) are chosen. To investigate the differences between graphene grown on foils and single crystals, we use Raman spectroscopy, X-ray diffraction and atomic force microscopy. Details of the experimental results will be presented.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.250-250
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• 2013

본 연구에서는 차세대 상변화메모리(PCRAM)와 초고속 소자(FET) 등의 응용을 위하여 사용되고 있는 Ge 소재를 제조하기 위해새롭게 전구체를 개발하고 이를 CVD (Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용하여 증착실험을 실시하였다. 새롭게 개발된 Ge 전구체 (isopropyl germane)는 기존 Ge 전구체보다 합성비용이 경제적이며 공정이 간단하고 상업적 생산에도 적합하다는 장점을 갖고 있다. Ge 박막의 증착은 증착압력, 증착온도, reactive gas (H2) 유량, carrier gas(Ar) 유량, 기판(Si, Pt 등) 등을 변수로 하여 실험하였다. 증착된 박막에 대하여 FE-SEM, XRD 등을 통하여 기본적인 물성분석을 실시하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.234-235
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• 2008

The surface flatness of heteroepitaxially grown 3C-SiC thin films is a key factor affecting electronic and mechanical device applications. This paper describes the surface flatness of poly(polycrystalline) 3C-SiC thin films according to Ar flow rates and the geometric structures of reaction tube, respectively. The poly 3C-SiC thin film was deposited by APCVD (Atmospheric pressure chemical vapor deposition) at $1200^{\circ}C$ using HMDS (Hexamethyildisilane : $Si_2(CH_3)_6)$ as single precursor, and 1~10 slm Ar as the main flow gas. According to the increase of main carrier gas, surface fringes and flatness are improved. It shows the distribution of thickness is formed uniformly.