• 패션비즈니스
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• 제23권2호
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• pp.77-88
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• 2019

One way of appling 3D printing to garments is through the combination of 3D polymer filaments in textile fabrics. it is essential to understand the interface between the polymer and the 3D composite fabric in order to enhance the adhesion strength between the polymers and the peeling strength between the fabric and the polymer. In this study, the adhesion of composite printed specimens using a combination of fabric and polymers for 3D printing was investigated, and also the change in adhesion was investigated after the composite fabric printed with polymers was subjected to constant pressure. Through this process, the aims to help develop and utilize 3D printing textures by providing basic data to enhance durability of 3D printing composite fabrics. The measure of the peeling strength of the composite fabric prepared by printing on a fabric using PLA, TPU, Nylon polymer was obtained as follows; TPU polymer for 3D printing showed significantly higher peel strength than polymers of composite fabric using PLA and Nylon polymer. In the case of TPU polymer, the adhesive was crosslinked because of the reaction between polyurethane and water on the surface of the fabric, thus increasing the adhesion. It could be observed that the adhesion between the polymer and the fiber is determined more by the mechanical effect rather than by its chemical composition. To achieve efficient bonding of the fibers, it is possible to modify the fiber surface mechanically and chemically, and consider the deposition process in terms of temperature, pressure and build density.

• 공업화학
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• 제32권1호
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• pp.91-96
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• 2021

본 연구에서는 다양한 환경 공정에서 사용되는 황화수소 제거용 흡착탑 효율을 향상시키기 위해 유동 분석 및 흡착성능 향상 연구를 수행하였다. 연구를 위해 상업적으로 이용 가능한 다양한 활성탄에 칼륨(potassium, K)을 담지하여 개질 활성탄을 제조하였다. 또한 열처리 여부에 따라 흡착 성능과 열처리 과정에서 변화된 표면 특성 사이의 높은 상관관계를 고찰하고자 하였다. 함침법을 통해 K로 코팅된 활성탄은 57배 이상의 흡착 성능을 확인하였다. 이는 균일한 기공 형성과 탄소 표면의 K의 강한 결합은 황화수소의 화학적 및 물리적 흡수에 기여한다고 판단하였다. 다양한 상용 활성탄의 표면 구조에 대한 SEM 분석은 열처리를 통한 표면 특성의 변형으로 인해 기공 구조가 파괴되어 흡수 성능이 저하되는 것으로 확인하였다. 각 활성탄의 압력 손실 특성은 입자 크기와 모양에서 가장 낮은 압력 손실이 관찰되었다. 따라서 2~4 mesh 크기의 탄소입자 범위와 불규칙한 모양이 흡착탑의 성능을 향상시키고 경제적 효율성을 확보할 수 있다고 제안하였다.

• 청정기술
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• 제19권2호
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• pp.165-172
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• 2013

본 연구에서는 고정층 반응기(높이 15 cm, 내경 0.5 cm)에서 K-계열 건식 흡수제($K_2CO_3/Al_2O_3$, 한국전력공사 전력연구원)를 이용하여 반응압력 변화에 따른 염화수소 흡수 실험을 수행하였다. 반응온도는 가스화 직후, 필터를 거쳐서 주입되는 것을 가정하여 $400^{\circ}C$로 설정하였으며, 반응기체 농도는 750 ppm HCl ($N_2$ balance)으로 설정하였다. 반응압력은 1, 5, 10, 15, 20 bar로 증가시켰다. 압력이 증가할수록 K-계열 흡수제의 흡수 성능이 증가하였다. 흡수제를 구성하고 있는 주요 물질인 $K_2CO_3$가 HCl 가스와 반응하여 KCl 결정을 형성하였으며, 강한 결합에너지로 인하여 흡수제의 재생이 실질적으로 불가능하였다. 이에 대한 광학적, 물리적, 화학적 특성을 SEM, EDX, BET, TGA, XRD를 이용하여 분석하였다. $400^{\circ}C$, 20 bar 조건(가스화 이후 탈할로겐 공정의 온도 및 압력조건)에서 $K_2CO_3$ 흡수제는 Ca 계열 및 Mg 계열의 흡수제에 비해 높은 HCl 흡수능 및 HCl/$N_2$ 분리 거동을 보였다.

• 공업화학
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• 제9권3호
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• pp.424-429
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• 1998

본 연구는 두 가지의 공중합체인 poly(ethylene-co-vinyl alcohol)(PEVA) [9.9mol%와 17.8mol% vinyl alcohol(VA)]에 용매인 에틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 1-부텐, 디메틸 에테르(DME) 및 클로로디플로로메탄(CDFM)과의 구름점(cloud-point)을 얻기 위해 온도 $230^{\circ}C$와 압력 1,800bar까지 상거동 실험을 수행하였다. 실험장치로는 평형조(view cell)를 이용한 고온, 고압에서 실험할 수 있는 정지형(static type)을 사용하였다. PEVA(9.9mol% VA) -DME계에 있어서 PEVA의 농도를 1.4~20.0wt%에 걸쳐 변화시킬 때의 압력과 온도에 따른 상거동을 알아보았다. PEVA(17.8mol% VA)-DME계의 압력-온도에 따른 상거동은 1.9~6.8wt%에 걸친 농도 범위에서 나타내었다. PEVA(9.9mol%와 17.8mol% VA)와 DME간의 혼합물 구름점은 VA와 DME간의 수소결합에 의하여 압력이 480bar 이하에서 나타났다. PEVA(9.9mol%와 17.8 mol% VA)-DME계에 대해 압력-농도(P-x) 등온곡선 관계를 나타내었다. PEVA(9.9mol%와 17.8 mol% VA)와 용매인 에틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 1-부텐 및 CDFM과의 상거동은 1,800bar 이하에서 음의 기울기를 보였으며, PEVA(9.9mol% VA)-DME계에 대한 상거동은 $80^{\circ}C$에서 $160^{\circ}C$ 온도범위에서 온도가 감소함에 따라 압력이 감소하는 양의 기울기를 가짐을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제27권3호
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• pp.39-50
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• 1999

라디에타소나무, 케루잉, 딜레니아, 터미날리아 및 칼로필롬 단판에 내화약제로서 20% 제2인산암모늄 수용액을 상압 침지 및 진공가압침지 처리한 시험을 실시 하였으며, 라디에타소나무와 케루잉 단판의 구성형태와 내화약제의 침지처리 조건들을 여러형태로 조합한 합판을 요소 멜라민 수지와 페놀수지 접착제를 사용하여 제조하였다. 결과, 라디에타소나무가 케루잉보다 약제보유도 및 처리효과가 뛰어났으며, 진공가압침지가 상압침지보다 약제보유면에서는 유효하였다. 그리고, 기계적 성질에 있어 단판첨지법으로 내화처리를 하여 제조한 합판이 반드시 접착력 및 휨강도적 성질의 저하를 가져오지는 않았으며, 내화성에 있어서는 요소 멜라민수지 접착이 우수한 성능을 보였다. 결과적으로, 접착 강도성능과 내화성능을 고려한 단판 수종의 적정한 선택, 층간구성(조합) 및 교호약제처리가 실제 사용시 가능할 것이다.

• 한국분말재료학회지
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• 제16권6호
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• pp.416-423
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• 2009

Diamond/SiC composites are appropriate candidate materials for heat conduction as well as high temperature abrasive materials because they do not form liquid phase at high temperature. Diamond/SiC composite consists of diamond particles embedded in a SiC binding matrix. SiC is a hard material with strong covalent bonds having similar structure and thermal expansion with diamond. Interfacial reaction plays an important role in diamond/SiC composites. Diamond/SiC composites were fabricated by high temperature and high pressure (HPHT) sintering with different diamond content, single diamond particle size and bi-modal diamond particle size, and also the effects of composition of diamond and silicon on microstructure, mechanical properties and thermal properties of diamond/SiC composite were investigated. The critical factors influencing the dynamics of reaction between diamond and silicon, such as graphitization process and phase composition, were characterized. Key factor to enhance mechanical and thermal properties of diamond/SiC composites is to keep strong interfacial bonding at diamond/SiC composites and homogeneous dispersion of diamond particles in SiC matrix.

• 대한화학회지
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• 제30권5호
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• pp.475-482
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• 1986

$Ni^{2+}$와 D-penicillamine사이의 착물형성반응에 대한 반응속도 및 평형에 관한 수용액중에서 실시하였다. 속도론적 실험은 압력-급변법을 사용하여 pH8~9범위에서 실시하였다. D-Penicillamine은 질소와 유황원자를 주게로 하여 pH＞9.2조건에서 $Ni^{2+}$이온에 배위하나 pH값 8.25∼9.07범위에서 총괄 안정도 상수값이 급격히 감소하며 비해리된 mercapto기가 결합에 참여하지 않는 것으로 밝혀졌다. 또한 이 착물 형성반응에 있어 율속단계는 $Ni^{2+}$이온의 내부 배위권으로 부터 물분자가 유리되는 과정임이 밝혀졌다.

• 펄프종이기술
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• 제45권3호
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• pp.1-8
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• 2013

Hanji has been used mainly for preservation paper because of superior mechanical properties. However, it was not used in printing for inkjet and laser printer-printed letters. In this study, machine-made Hanji was prepared with five different contents of paper mulberry 20, 40, 60, 80 and 100% and managed by same pressure calendering. By increasing of paper mulberry contents, tearing index and folding endurance of machine-made Hanji increased because of increased fiber-to-fiber bonding. Printability property of machine-made Hanji improved by decreasing of paper mulberry contents. After 20 hours accelerated aging, the initial folding endurance of machine-made Hanji was reduced by approximately one-fourth degree. Between 40 and 100% contents of paper mulberry was showed similar levels about preservation property. The machine-made Hanji of paper mulberry 60% content was suitable for permanence and printability properties using preservation paper and printer-printed letters.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체재료 기술교육
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• pp.7-11
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• 2002

In this study, Au thin films were etched with a $Cl_2/Ar$ gas combination in an in an inductively coupled plasma. The etch properties were measured for different gas mixing ratios of $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ while the other process conditions were fixed at rf power (700 W), dc bias voltage (150 V), and chamber pressure (15 mTorr). The highest etch rate of the Au thin film was 3500 $\AA/min$ and the selectivity of Au to $SiO_2$ was 4.38 at a $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ gas mixing ratio of 0.2. The surface reaction of the etched Au thin films was investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. There is Au-Cl bonding by chemical reaction between Cl and Au. During the etching of Au thin films in $Cl_2/Ar$ plasma, Au-Cl bond is formed, and these products can be removed by the physical bombardment of Ar ions. In addition, Optical emission spectroscopy (OES) were investigated to analyze radical density of Cl and Ar in plasma. The profile of etched Au investigated with scanning electron microscopy (SEM).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.199-200
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• 2009

This paper describes the electrical properties of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin films with different nitrogen doping concentrations. The in-situ-doped poly 3C-SiC thin films were deposited by using atmospheric-pressure chemical vapor deposition (APCVD) at $1200^{\circ}C$ with hexamethyldisilane (HMDS: $Si_2$ $(CH_3)_6)$ as a single precursor and 0 ~ 100 sccm of $N_2$ as the dopant source gas. The peaks of the SiC (111) and the Si-C bonding were observed for the poly 3C-SiC thin films grown on $SiO_2/Si$ substrates by using X-ray diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) analyses, respectively. The resistivity of the poly 3C-SiC thin films decreased from $8.35\;{\Omega}{\cdot}cm$ for $N_2$ of 0 sccm to $0.014\;{\Omega}{\cdot}cm$ with $N_2$ of 100 sccm. The carrier concentration of the poly 3C-SiC films increased with doping from $3.0819\;{\times}\;10^{17}$ to $2.2994\;{\times}\;10^{19}\;cm^{-3}$, and their electronic mobilities increased from 2.433 to $29.299\;cm^2/V{\cdot}S$.