• 제목/요약/키워드: Bi

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열처리 온도 및 분위기 변화에 따른 Bi-2223 초전도 선재에서의 특성변화 (superconducting properties of Bi-2223 tapes with various heat treatment condition)

  • 하동우;이동훈;하홍수;오상수;김홍대;양주생;윤진국;최정규;권영길
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.527-530
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    • 2002
  • A lot of efforts have been focused on the optimization of PIT parameters for Bi-2223/Ag wire. In this paper, initial annealing of Bi-2223/Ag wire to transform Bi-2212 orthorhombic from Bi-2212 tetragonal Precursor was investigated. This initial annealing step at low oxygen partial pressure were to transform Bi-2212 orthorhombic structure and to reduce the formation of second phases at superconducting wire. However Bi-2223 Phases were appeared at higher annealing temperature. Critical currents(Je) of Bi-2223/Ag tapes were sintered at low oxygen Partial pressure were higher than that of the wires sintered at atmosphere condition. In order to investigate the effect of rolling reduction ratio, Bi-2223/Ag HTS tapes were rolled with different reduction ratio. There were no clear difference of Je and filaments shape with various rolling reduction ratio.

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Electroless Ni-PUBM과 Sn-based 무연솔더의 계면반응에 미치는 Bi합금원소의 영향 (Effects of Bi in Sn-based Pb free solder on interfacial reaction and Electroless Ni-PUBM)

  • 조문기;전영두;백경욱;김중도;김용남
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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    • pp.128-132
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    • 2003
  • 무전해 Ni-P UBM과 3가지 경우의 무연 솔더간의 계면연구를 통해 Bi가 솔더의 합금원소로 들어감에 따라 계면반응에 어떠한 영향을 줄 수 있는 가를 연구했다. 3가지 다른 무연 솔더는 Bi가 각각 $0wt\%,\;4.8wt\%,\;58wt\%$들어간 Sn3.5Ag, Sn3.5Ag4.8Bi, Sn58Bi 이다. reflow를 수행한 후에 세 가지 솔더에서 나타나는 계면에서의 IMC는 $Ni_3Sn_4$로서 어떤 다른 솔더도 Bi를 함유한 IMC가 계면에선 관찰되지 않았다. 다만 SnAgBi 솔더의 경우 특이하게 솔더내에서 침상의 $Ni_3Sn_4$가 reflow후에 관찰되었다. 또한 반응속도의 척도가 되는 Ni-P UBM소모속도를 비교해 보면 reflow후의 SnAg와 SnAgBi의 경우에는 비슷하나 SnBi의 경우에는 알서 두 솔더에 비해 눈에 띠게 느림을 관찰하였다. 이러한 Ni-P UBM의 소모경향을 Bi의 함량, 그에 따른 Sn의 상대적인 함량의 관점에서 고찰하고자 한다.

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동테이프 위의 Bi-계 초전도 후막에서 전구체분말 조성의 영향 (The Effect of the precursor powder composition for Bi-system superconducting thick films on Cu tapes)

  • 한상철;성태현;한영희;이준성;김상준
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.65-68
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    • 1999
  • A well oriented Bi2212 superconductor thick films were fabricated by screen printing with a Cu-free Bi-Sr-Ca-O mixture powder on a copper plate and heat-treating at 820-88$0^{\circ}C$ for several minute in air. During the heat-treatment, the printing layer partially melted by reaction between the Cu-free precursor and CuO of the oxidizing copper plate. In the partial melting state, it is believed that the solid phase is Bi-free phase and Cu-rich phase and the composition of the liquid is around Bi : Sr : Ca : Cu = 2 : 2 : 0 : 1. Following the partial melting, the Bi2212 superconducting phase is formed at Bi-free phase/liquid interface by nucleation and grows. With decreasing the Bi composition in the precursor powder, the critical temperature(T$_{c}$) of the fabricated Bi2212 thick film increased to about 79 K.K.

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Bi가 첨가된 Sn-3.5Ag 솔더볼과 Cu/Ni-Co/Au 하부층과의 접합 강도 연구 (Shear Strength of Sn-3-5Ag-$\chi$Bi Solder Balls Reflowed on Cu/Ni-Co/Au Metallizations)

  • 신승우;유진
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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    • pp.98-103
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    • 2002
  • BGA(Ball Grid Array) 패키지의 솔더볼 패드 중의 하나인 Au/Ni-Co/Cu 금속층 위에 Bi가 첨가된 Sn-3.5Ag-$\chi$Bi 솔더볼을 리플로우시켰다. 리플로우한 후 130 $^{\circ}C$에서 열처리함에 따른 계면상 및 솔더 내부의 상변화를 관찰하였다. 계면에는 (Ni,Co)$_3$Sn$_4$외에 (Au,Ni,Co,Bi)Sn$_4$가 생성되었음을 관찰할 수 있었고, 솔더 내부에는 (Au,Ni,Co,Bi)SH$_4$, Ag$_3$Sn, Bi 상이 혼재되어 있었다. Nano-indentation에 의한 경도 측정 결과, Bi 함량 증가에 따라 경도는 증가하였으나, 볼전단(Ball Shear) 테스트 결과는 Bi가 증가됨에 따라 오히려 볼전단 강도값이 감소하였다. 이는 파면 검사 결과, 파괴 경로가 주로 계면의 금속간 화합물과 솔더 사이에서 진행함에 기인한 것이다. 솔더 내부의 파괴 경로를 가진 2.5Bi가 가장 우수한 볼전단 강도값을 나타내었는데, 이는 솔더내의 Bi의 고용강화에 기인한 것으로 보인다.

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고성능 풀 스윙 BiCMOS 논리회로의 설계 (Design of High Performance Full-Swing BiCMOS Logic Circuit)

  • 박종열;한석붕
    • 전자공학회논문지B
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    • 제30B권11호
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    • pp.1-10
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    • 1993
  • This paper proposes a High Performance Full-Swing BiCMOS (HiF-BiCMOS) circuit which improves on the conventional BiCMOS circuit. The HiF-BiCMOS circuit has all the merits of the conventional BiCMOS circuit and can realize full-swing logic operation. Especially, the speed of full-swing logic operation is much faster than that of conventional full-swing BiCMOS circuit. And the number of transistors added in the HiF-BiCMOS for full-swing logic operation is constant regardless of the number of logic gate inputs. The HiF-BiCMOS circui has high stability to variation of environment factors such as temperature. Also, it has a preamorphized Si layer was changed into the perfect crystal Si after the RTA. Remarkable scalability for power supply voltage according to the development of VLSI technology. The power dissipation of HiF-BiCMOS is very small and hardly increases about a large fanout. Though the Spice simulation, the validity of the proposed circuit design is proved.

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SYMMETRIC BI-(f, g)-DERIVATIONS IN LATTICES

  • Kim, Kyung Ho;Lee, Yong Hoon
    • 충청수학회지
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    • 제29권3호
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    • pp.491-502
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    • 2016
  • In this paper, as a generalization of symmetric bi-derivations and symmetric bi-f-derivations of a lattice, we introduce the notion of symmetric bi-(f, g)-derivations of a lattice. Also, we define the isotone symmetric bi-(f, g)-derivation and obtain some interesting results about isotone. Using the notion of $Fix_a(L)$ and KerD, we give some characterization of symmetric bi-(f, g)-derivations in a lattice.

Intuitionistic Fuzzy Bi-ideals of Ordered Semigroups

  • Jun, Young Bae
    • Kyungpook Mathematical Journal
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    • 제45권4호
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    • pp.527-537
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    • 2005
  • The intuitionistic fuzzification of the notion of a bi-ideal in ordered semigroups is considered. In terms of intuitionistic fuzzy set, conditions for an ordered semigroup to be completely regular is provided. Characterizations of intuitionistic fuzzy bi-ideals in ordered semigroups are given. Using a collection of bi-ideals with additional conditions, an intuitionistic fuzzy bi-ideal is constructed. Natural equivalence relations on the set of all intuitionistic fuzzy bi-ideals of an ordered semigroup are investigated.

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플라즈마분자선에피탁시법으로 성장한 산화비스무스아연 박막의 구조특성 (Structural Characterization of Bismuth Zinc Oxide Thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy)

  • 임동석;신은정;임세환;한석규;이효성;홍순구;정명호;이정용;조형균
    • 한국재료학회지
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    • 제21권10호
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    • pp.563-567
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    • 2011
  • We report the structural characterization of $Bi_xZn_{1-x}O$ thin films grown on c-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. By increasing the Bi flux during the growth process, $Bi_xZn_{1-x}O$ thin films with various Bi contents (x = 0~13.17 atomic %) were prepared. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed the formation of Bi-oxide phase in (Bi)ZnO after increasing the Bi content. However, it was impossible to determine whether the formed Bi-oxide phase was the monoclinic structure ${\alpha}-Bi_2O_3$ or the tetragonal structure ${\beta}-Bi_2O_3$ by means of XRD ${\theta}-2{\theta}$ measurements, as the observed diffraction peaks of the $2{\theta}$ value at ~28 were very close to reflection of the (012) plane for the monoclinic structure ${\alpha}-Bi_2O_3$ at 28.064 and the reflection of the (201) plane for the tetragonal structure ${\beta}-Bi_2O_3$ at 27.946. By means of transmission electron microscopy (TEM) using a diffraction pattern analysis and a high-resolution lattice image, it was finally determined as the monoclinic structure ${\alpha}-Bi_2O_3$ phase. To investigate the distribution of the Bi and Bi-oxide phases in BiZnO films, elemental mapping using energy dispersive spectroscopy equipped with TEM was performed. Considering both the XRD and the elemental mapping results, it was concluded that hexagonal-structure wurtzite $Bi_xZn_{1-x}O$ thin films were grown at a low Bi content (x = ~2.37 atomic %) without the formation of ${\alpha}-Bi_2O_3$. However, the increased Bi content (x = 4.63~13.17 atomic %) resulted in the formation of the ${\alpha}-Bi_2O_3$ phase in the wurtzite (Bi)ZnO matrix.

환원법에 의한 직접 메탄올 연료전지(DMFC)용 Pt-Bi/Carbon 전극제조 (Synthesis of Pt-Bi/Carbon Electrodes by Reduction Method for Direct Methanol Fuel Cell)

  • 김관성;김민경;노동균;탁용석;백성현
    • 공업화학
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    • 제22권5호
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    • pp.479-485
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    • 2011
  • 다양한 비율의 Pt와 Bi를 carbon black (Vulcan XC-72R)에 담지시킨 Pt-Bi/C 촉매를 환원법을 이용하여 합성하였다. Pt와 Bi의 전구체로는 염화백금산($H_2PtCl_6{\cdot}xH_2O$)과 비스무스트리질산($Bi(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$) 수용액을 각각 사용하였으며, 금속을 carbon에 담지하기 전, 금속물질의 분산도를 높여주기 위해 열처리와 산처리를 수행한 carbon black을 사용하였다. XRD (X-ray Diffraction) 분석과 XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석을 통하여 Pt-Bi/C 촉매 내에 Pt와 Bi가 소성시키기 전에는 BiPt 혹은 $Bi_2Pt$로 존재하지만 $500^{\circ}C}$에서 소성을 한 후에는 Pt 격자구조 안으로 Bi가 침투하여 alloy을 형성하는 것을 확인하였다. 합성한 전극의 메탄올 산화반응은 전기화학분석장치(Potentiostat; Princeton applied research, VSP)를 사용하여 0.5 M $CH_3OH$와 0.5 M $H_2SO_4$의 혼합수용액에서 순환전압법(cyclic voltammetry, CV)을 이용해 측정하였다. 메탄올 산화에 대한 전기화학적 촉매 활성을 평가한 결과 적절한 양의 Bi를 첨가한 경우, 메탄올 산화반응에 대한 높은 촉매활성을 나타냄을 확인하였다. 메탄올 산화에 대한 활성은 전극과 전해질 사이의 안정성과 밀접한 관련이 있다. 정전압법(Chronoamperometry, CA)을 이용하여 전극의 안정성을 평가한 결과 메탄올 산화반응에 높은 활성을 나타내는 촉매일수록 전극의 안정성도 높은 것을 확인하였다.

In vitro에서 핵산치환인자 BAP이 단백질-분자 샤페론 복합체 해리에 미치는 영향 (A Nucleotide Exchange Factor, BAP, dissociated Protein-Molecular Chaperone Complex in vitro)

  • 이명주;김동은;이태호;정영기;김영희;정경태
    • 생명과학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.409-414
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    • 2006
  • 소포체는 세포막의 합성뿐만 아니라 세포막에 존재하거나 세포외로 분비되어져야 할 단백질을 합성하는 세포내 소기관이다. 소포체에서 단백질이 합성되어질 경우 이황화결합이 형성되고 glycosylation 등의 수식이 일어나며, 이와 동시에 folding과 assembly과정을 거쳐 삼차원적 구조로 성숙이 되는데 이 과정은 folding enzyme과 molecular chaperone의 도움을 받아 이루어진다. 소포체 내에 존재하는 molecular chaperone 중 가장 잘 알려진 것으로 BiP이 있다. BiP의 기능은 N-terminus의 ATPase domain에 의해 조절되고 ATPase domain은 이것과 선택적으로 결합하는 조절인자에 의해 ATPase의 활성이 영향을 받는다. BiP의 핵산치환조절인자로서 발견된 BAP은 ATPase domain에 결합된 ADP를 ATP로 치환하는 것으로 기능이 알려져 있다. 이 BAP의 핵산치환기능이 BiP의 샤페론 작용에 어떤 영향을 미치는지를 in vitro에서 항체 heavy chain을 이용하여 알아보았다. BAP은 ATP보다 ADP가 결합되어 있는 BiP과 더 잘 결합을 하며, in vitro에서 BiP과 결합하고 있는 unfolded 단백질을 BAP은 BiP으로부터 해리하였다. 또한 소포체내에 존재하는 Hsp70 homologue chaperone인 BiP과 Grp170에 대한 BAP의 결합특이성을 anti-Grp170과 anti-BAP 항체로 co-immunoprecipitation을 하여 확인한 결과 BAP은 Grp170과 결합을 하지 않았다. 따라서 BAP은 ER내에 존재하는 동일한 family group에 속하는 Grp170과 BiP에 대하여 BiP에만 특이성을 갖는 것으로 나타났다.