• 제목/요약/키워드: AuSn

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VLS 합성법을 이용한 ZnO 나노구조의 특성 (ZnO Nanostructure Characteristics by VLS Synthesis)

  • 최유리;정일현
    • 공업화학
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    • 제20권6호
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    • pp.617-621
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    • 2009
  • Zinc oxide (ZnO)을 금(Au)과 fluorine-doped tin oxide (FTO) 촉매로 산화실리콘($SiO_2$) 기판에 산화아연입자 20 nm, $20{\mu}m$를 각각 사용하여 기체-액체-고체(VLS) 합성법으로 성장시켰다. 나노로드의 표면특성, 화학조성, 그리고 결정특성을 엑스레이회절(X-ray diffraction (XRD)), 에너지 분산형 X선 분광기(Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX)), 표면 방출주사현미경(Field-emission scanning electron microscope (FE-SEM))으로 분석하였다. ZnO의 입자 크기 뿐만 아니라 결정형태가 성장에 크게 영향을 미쳤다. ZnO의 모든 나노구조가 6방정계(六方晶系), 단일결정구조를 가지고 있었다. 최적온도는 $1030^{\circ}C$, 입자크기는 20 nm이다. 그러므로 Au 대신 플루오린 첨가 도핑으로 전기음성도가 증가된 FTO 증착에 의해서 생성된 나노로드는 경제성 있는 대체물질로서의 가치가 있을 것으로 사료된다.

장군 연-아연-은 광상의 모암변질에 따른 원소분산 (Element Dispersion by the Wallrock Alteration of Janggun Lead-Zinc-Silver Deposit)

  • 유봉철
    • 자원환경지질
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    • 제45권6호
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    • pp.623-641
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    • 2012
  • 장군 연-아연-은 광상은 열수교대형 광상이다. 모암변질시 원소 분산을 알아보기 위해 모암, 열수변질대 및 연-아연-은 광맥에서 시료를 채취하였다. 이 광상은 능망간석화작용과 돌로마이트화작용으로 구성된 열수작용이 현저히 인지된다. 모암은 돌로마이트와 석회암이며 구성광물은 방해석, 돌로마이트, 석영, 금운모 및 흑운모 이다. 연-아연-은 광맥과 접촉한 부분에서 관찰되는 능망간석대는 주로 능망간석이 산출되며 소량 방해석, 돌로마이트, 쿠트나호라이트, 유비철석, 황철석, 황동석, 섬아연석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 연-아연-은 광맥으로부터 멀어짐에 따라 관찰되는 돌로마이트대는 주로 돌로마이트가 산출되고 소량 방해석, 능망간석, 황철석, 섬아연석, 황동석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 모암변질시 주원소, 미량 및 희토류원소들간의 상관계수는 $Fe_2O_3(T)$/MnO, Ga/MnO 및 Rb/MnO(돌로마이트 및 석회암)가 정의 상관관계를 갖고 MgO/MnO, CaO/MnO, $CO_2$/MnO 및 Sr/MnO(돌로마이트)와 CaO/MnO 및 Sr/MnO(석회암)가 부의 상관관계를 갖는다. 모암변질시 이득원소들은 $Fe_2O_3(T)$, MnO, As, Au, Cd, Cu, Ga, Pb, Rb, Sb, Sc, Sn 및 Zn 이고 손실원소들은 CaO, MgO, $CO_2$ 및 Sr 이다. 따라서 CaO, $CO_2$, $Fe_2O_3(T)$, MgO, MnO, Ga, Pb, Rb, Sb, Sn, Sr 및 Zn 등의 원소들은 모암이 돌로마이트내지 석회암인 열수교대형 광상의 탐사에 지시원소로서 활용될 수 있을 것이다.

월류(月留) 은(銀)-금(金) 열수광상(熱水鑛床)에서 산출된 함(含) Ge 광물(鑛物)인 Argyrodite의 산상(産狀)과 지구화학(地球化學) (Occurrence and Geochemistry of Argyrodite, a Germanium-Bearing Mineral(Ag8GeS6), from the Weolyu Ag-Au Hydrothermal Vein Deposits)

  • 소칠섭;윤성택;최선규
    • 자원환경지질
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    • 제26권2호
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    • pp.117-127
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    • 1993
  • 월류(月留) 은(銀)-금(金) 열수광상(熱水鑛床)의 맥상광석(脈狀鑛石)내에는 평균 34.9g/ton, 최대 145g/ton에 이르는 상당량의 게르마늄 (Ge)이 아지로다이트 (argyrodite)의 형태로 산출된다. 본 연구에서는, 전자현미분석법(電子顯微分析法)에 의하여 아지로다이트와 수반 광물의 광물화학(鑛物化學)을 검토하였고, ICP 질량(質量) 분광분석법(分光分析法)에 의하여 13개 광석시료내에 함유된 28개 원소(元素)의 정량분석(定量分析)을 수행하였다. 아지로다이트는 탄산염(炭酸鹽) 광물(鑛物)+석영(石英)+자연은(自然銀)+휘은석(煇銀石)+함은(含銀) 유염(硫鹽) 광물의조합으로 구성되는 후기 광물군(鑛物群)내에 산출되며, 이는 게르마늄의 침전(沈澱)작용이 초기 금(金) 및 후기의 은(銀) 침전(沈澱)으로 구성된 복잡한 광화작용(鑛化作用)중 후반부에서 진행되었음을 지시한다. 아지로다이트의 평균(平均) 화학조성(化學造成)은 $Ag_{7.90}(Ge_{0.76}Sn_{0.04})S_6$이며, 미량의 Cu, Fe, Sb, As, Sn 및 Zn이 함유되고, 특히 Cu에 의한 Ag, Sb에 의한 Ge의 체계적인 치환(置換)현상이 인지된다. 광석(鑛石)시료에 대한 정량분석결과, 금속원소의 침전작용(沈澱作用)은 $Fe{\rightarrow}Pb$, $Zn{\rightarrow}Cu{\rightarrow}Ag$, Sb, As, Ge의 순서로 진행되었고, 특히 Ge은 As 및 Sb와 강한 지화학적(地化學的) 친화도(親和度)를 가졌음을 규명하였다. Ge은 Cu, Pb, Zn, Mo 및 Sr과도 미약한 정(正)의 수반관계를 나타낸다. 월류(月留) 천열수계(淺熱水系)내 순환천수(循環天水)의 유입량(流入量) 증가에 기인한 냉각작용(冷却作用)에 수반하여, Ge은 주로 $175^{\circ}{\sim}210^{\circ}C$의 온도 범위에서 침전(沈澱)하였다.

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단결정 β-Ga2O3 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 (Schottky Barrier Diode Fabricated on Single Crystal β-Ga2O3 Semiconductor)

  • 김현섭;조민기;차호영
    • 전자공학회논문지
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    • 제54권1호
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    • pp.21-25
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    • 2017
  • 본 연구에서는 최근 차세대 전력 반도체로 관심을 받고 있는 단결정 ${\beta}-Ga_2O_3$를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 및 특성 분석을 수행하였다. 쇼트키 배리어 다이오드는 Sn으로 도핑된 $2{\mu}m$ 두께의 저농도 N 타입 에피층 상에 Pt/Ti/Au 쇼트키 접합으로 제작되었으며 측정된 특성은 > 180 V의 항복전압, $1.26m{\Omega}{\cdot}cm^2$의 온 저항, 그리고 1 V의 순 방향 전압에서 $77A/cm^2$, 1.5 V에서 $473A/cm^2$의 순방향 전류 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 단결정 ${\beta}-Ga_2O_3$의 전력반도체 활용 가능성을 확인 할 수 있었다.

Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 Interconnection 공정 (Interconnection Processes Using Cu Vias for MEMS Sensor Packages)

  • 박선희;오태성;엄용성;문종태
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.63-69
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    • 2007
  • Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 $20mA/cm^2$$30mA/cm^2$의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 $200{\mu}m$, 깊이 $350{\mu}m$인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다.

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MEMS 패키징에서 구리 Via 홀의 기계적 신뢰성에 관한 연구 (Mechanical Reliability Issues of Copper Via Hole in MEMS Packaging)

  • 좌성훈
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.29-36
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    • 2008
  • 본 연구에서는 MEMS 소자의 직접화 및 소형화에 필수적인 through-wafer via interconnect의 신뢰성 문제를 연구하였다. 이를 위하여 Au-Sn eutectic 접합 기술을 이용하여 밀봉(hermetic) 접합을 한 웨이퍼 레벨 MEMS 패키지 소자를 개발하였으며, 전기도금법을 이용하여 수직 through-hole via 내부를 구리로 충전함으로써 전기적 연결을 시도하였다. 제작된 MEMS 패키지의 크기는 $1mm{\times}1mm{\times}700{\mu}m$이었다. 제작된 MEMS패키지의 신뢰성 수행 결과 비아 홀(via hole)주변의 크랙 발생으로 패키지의 파손이 발생하였다. 구리 through-via의 기계적 신뢰성에 영향을 줄 수 있는 여러 인자들에 대해서 수치적 해석 및 실험적인 연구를 수행하였다. 분석 결과 via hole의 크랙을 발생시킬 수 있는 파괴 인자로서 열팽창 계수의 차이, 비아 홀의 형상, 구리 확산 현상 등이 있었다. 궁극적으로 구리 확산을 방지하고, 전기도금 공정의 접합력을 향상시킬 수 있는 새로운 공정 방식을 적용함으로써 비아 홀 크랙으로 인한 패키지의 파괴를 개선할 수 있었다.

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컴포넌트에서의 비정상적인 금속간화합물 성장이 보드 레벨 기계적 신뢰성에 미치는 영향 (The Effect of Abnormal Intermetallic Compounds Growth at Component on Board Level Mechanical Reliability)

  • 최재훈;함현정;황재선;김용현;이동춘;문점주
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.47-54
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    • 2008
  • 컴포넌트에서의 비정상적인 금속간화합물 성장이 보드 레벨 기계적 신뢰성에 미치는 영향을 연구하기 위하여, 전기 도금된 Ni/Au UBM과 Sn2.5Ag0.5Cu 솔더의 리플로우 횟수 및 고온 시효 시간에 따른 금속간 화합물 성장거동을 관찰하였다. 각 조건별로 처리된 컴포넌트에서 솔더 접합부의 기계적 특성을 비교하기 위하여, 전단 속도 변화에 따른 볼 전단 시험을 실시하여 전단에너지 값을 측정하였다. 마지막으로, 보드 레벨에서의 기계적 신뢰성 시험을 위하여 조건별로 처리된 컴포넌트를 PCB 보드에 실장하여, 3점 굽힘 시험 및 충격 시험을 실시한 후 파괴모드를 분석하였다.

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LTCC/Kovar 간의 Brazing 특성 연구 (Study on the Brazing Characteristics of LTCC/Kovar)

  • 이우성;조현민;임욱;유찬세;이영신;강남기
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 추계 기술심포지움 논문집
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    • pp.57-57
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    • 2000
  • 본 논문에서는 MCM 및 패키지의 Lid로 사용되는 합금인 Kovar (Fe-Ni-Co alloy) 와 LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) 간의 Brazing 특성을 연구하였다. 기존에 사용되고 있는 알루미나 패키지의 경우, 주로 80$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서 Brazing을 실시하고 있으며, 조성은 Ag-Cu 계열을 사용하고 있다. 하지만, LTCC 의 경우, 소결온도가 85$0^{\circ}C$ 내외로서 기존의 방법을 그대로 적용하기는 어려움이 있다. 또한 Brazing 특성에 따른 접착 강도는 Brazing Alloy 의 영향뿐만 아니라 LTCC 와 전도체 전극사이의 Metallization 에 크게 영향을 받는다. 따라서, 본 논문에서는 Brazing Alloy의 종류 (Ag-Cu, Au-Sn) 및 Brazing 조건에 따른 Brazing 특성뿐만 아니라, 전도체 전극내 유리질 함량에 따른 Brazing 특성을 평가하여 LTCC/Kovar 간의 최적의 Brazing 조건을 구현하고자 하였다.

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도재소부용 18K 금합금의 미량원소의 첨가에 따른 물리적 성질의 변화에 관한 연구 (A Study on Change of Physical Property in Porcelain Fused to 18K Gold Alloy by Small Additional Elements)

  • 이기대
    • 대한치과기공학회지
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    • 제30권2호
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    • pp.31-37
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    • 2008
  • A variety of the porcelain fused to gold(PFG) have been developed to which porcelain can be fused. PFG alloys developed for this purposed have a high melting point and do not discolor when combined with porcelain. The design of the compositions of PFG is very important to esthetic restorative materials applying to porcelain. The purpose of this study is on the change of physical and mechanical characteristics in PFG 18K alloy by the small additional elements. Principal results are as follows. The high Au alloy containing 18Karat gold contents is respectively Au(75%), Pd(10%), Pt(4%), Ag(4%), In(2%), Sn(2%), Cu(2%), Ti(1%). These alloys are composed mainly of gold, platinum, silver and palladium with a few percent of the additional elements. By the addition of small amounts of elements such as In, Sn, Ti, the fine grain castings are produced in gold alloy and the small addition of platinum is very effective in increasing of hardness and strength. These gold alloys are representative of the changes to be expected as a result of heat treatment. These changes in strength and hardness values are sufficient to demonstrate a significant difference in performance between a as-casted and a heat-treated. These alloys have mechanical properties characteristics of Type and Type gold alloys. These alloys are useful to porcelain-metal restorations and dental laboratory. Also the porcelain fused to metal(PFM) alloys containing gold are commonly use for dental purposes in dental laboratory.

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기계적 처리에 의한 반도체 IC칩 스크랩으로부터 유가금속의 분리에 관한 연구 (Separation of Metals from Intergrated Circuit Chip Scrap by Mechanical Beneficiation)

  • 이재천;이강인;이철경;양동효
    • 자원리싸이클링
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    • 제3권1호
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    • pp.38-43
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    • 1994
  • 국내의 반도체 회사에서 발생한 IC칩 스크랩의 기계적인 전처리를 통하여 귀금속 및 유가금속을 분리하는 연구를 행하였다. IC칩 스크랩을 절단, 분쇄한 뒤 분쇄된 스크랩의 입자크기에 따른 금속의 분포도를 조사하였으며 함유되어 있는 금속편을 자력선별에 의하여 분리하였다. 일련의 분쇄공정을 통하여 얻어 진 IC칩 스크랩 분쇄물의 입도분포는 +3 mm가 7.5%, 3~1 mm가 17.0%, -1 mm가 75.5%야였다. 분쇄물을 $700^{\circ}C$에서 배소하였을 때 중량감소율은 약 18%이였으며 입도분포에 따른 금속의 함량은 十3mm에서 97%, 1~3mm에서 96%, 1~0.595 mm에서 13% 및 0.595~0.5mm에서 3.7%이었다. Au는 99%가 -lmm의 분쇄물에 존재하였다. 자력선별기를 사용하여 700 및 1,500 Gauss로 Ni, Fe, Cu, Sn, Pb를 분리 회수할 수 있었다.

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