• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.499-500
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• 2008

In this paper, we design and implement the monolithic power factor correction IC for system power modules using a high voltage(50V) CMOS process. The power factor correction IC is designed for power applications, such as refrigerator, air-conditioner, etc. It includes low voltage logic, 5V regulator, analog control circuit, high-voltage high current output drivers, and several protection circuits. And also, the designed IC has standby detection function which detects the output power of the converter stage and generates system down signal when load device is under the standby condition. The simulation and experimental results show that the designed IC acts properly as power factor correction IC with efficient protective functions.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2001년도 ICCAS
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• pp.158.1-158
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• 2001

An algorithmic gray code analog-to-digital converter (ADC), which is based on gray coding, is proposed in this article. The realization method makes use of a MOS triangular function circuit to provide a high-speed operation and low accumulated error. The proposed ADC is simple, small in size and suitable for fabrication using a standard CMOS process. Simulation results showing the performances of the proposed circuit are also included.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.951-954
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• 2003

본 논문에서는 고속. 저전력에 적합한 개방 구조를 갖는 8-비트 500Msmaples/s 2-Step ADC 를 제안하였다. 500Msmaples/s 의 고속 동작을 위해서 기존의 M-DAC을 이용한 폐쇄 구조 대신 개방형 구조를 사용하였다. 이와 더불어 저전력을 구현하기 위해서 analog-latch 를 제안하여 동적 동작을 수행시킴으로써 전력 소모를 줄였으며 , mux 의 구현 시 reset switch를 이용하여 로딩 시간을 개선함으로써 high-speed 에 적합하도록 설계하였다. 제안된 ADC 는 1-poly 6-metal 0.18um CMOS 공정을 이용하였으며 1.8V 전원 전압을 이용하여 250mW 의 전력을 소모하며 500M 샘플링 주파수에서 120MHz 신호 입력 시 7.6 비트의 ENOB를 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.895-898
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• 2003

본 논문에서는 휴대폰에 사용하는 리튬-이론 배터리(Li-Ion battery)를 충전하기 위한 충전 IC 의 설계에 대해서 기술한다. 정전류(Constant Current)/ 정전압 (Constant Voltage) 방식을 이용하여 리튬-이론 배터리를 충전을 하였다. 이 충전 과정을 제어하기 위해서 일반적으로 사용되는 ADC, DAC 와 MICOM 을 사용하지 않고, hardwired control logic 을 이용하여 적은 면적을 가지고도 기존의 충전 과정을 수행하도록 하였다. 충전 IC 외부에 사용되는 저항들을 내부에 집적하여 사용하는 부품의 수를 현저히 줄였다. 충전기와 리튬-이온 배터리를 연결하는 선(wire)로 저항에 의한 전압강하(voltage drop)를 외부에서 보상할 수 있도록하여 리튬-이온 배터리가 가장 안정적인 전압인 4.2 V로 충전 될 수 있도록 하였다. 외부 온도 검사 블록에서 저항을 이용한 전압 분배를 사용하지 않고, 정전류원을 이용하여 외부 온도 변화를 측정할 수 있도록 하였다. 리튬-이온 배터가 전정류와 정전압으로 4.2 V로 충전 되었으며, 충전 IC 의 소비 전력은 37 mW(analog part)이다. 충전 IC는 0.6 ㎛ standard CMOS 공정을 이용하여 설계하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권12호
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• pp.91-99
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• 1994

We used CMOS current mirror and differenial amplifier to find out how the degradation of each devices in circuit affect total circuit performance. The devices in circuit wer degraded by hot-carrier generated during circuit operation and total circuit performance were changed according to the change of each device parameters. To examine the circuit performance phenomena of current mirror, we analyzed three diffent kinds of current mirrors and made correlation model between circuit performance and stressed device parameters, and compare hot-carrier immunity of these circuits. Also we analyzed how the performance of differential amplifier degraded from the initial value after hot-carrier stress incircuit operations.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(5)
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• pp.47-50
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• 2002

An extended-counting analog to digital converter (ADC) is designed to have a high resolution(14bit) with low power consumption and small dia area. First order sigma-delta modulator with a simple counter for incremental operation eliminates the need of big decimation filter in conventional sigma-delta type ADC. To improve the accuracy and linearity, extended mode of successive approximation is followed. For 14-bit conversion operation, total 263 clocks(1 clock for reset, 256 clocks for incremental operation and extended 6 clocks for successive approximation operation) are needed with the sampling rate of 10 Ms/s This ADC is implemented in a 0.6um standard CMOS technology with a die area of 1 mm ${\times}$ 0.75 mm.

• Journal of Welding and Joining
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• 제31권3호
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• pp.11-16
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• 2013

Through-silicon-via (TSV) is a major technology in microelectronics for three dimensional high density packaging. The 3-dimensional TSV technology is applied to CMOS sensors, MEMS, HB-LED modules, stacked memories, power and analog, SIP and so on which can be employed to car electronics. The copper electroplating is widely used in the TSV filling process. In this paper, the various Cu filling methods using the control of the plating process were described in detail including recent studies. Via filling behavior by each method was also introduced.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.289-292
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• 2005

New poly-Si TFTs have been proposed and fabricated in order to increases the output channel resistance ($r_o$). The counter-doped($p^+$) source is tied to the $n^+$ source and is extended into the channel region so that it employs the reverse bias depletion in the channel. As $V_{DS}$ is increased, the depletion width is increased and the effective channel width is reduced. Therefore, the output current saturates well and the $r_o$ is increased successfully. The proposed CMOS devices may improve the amplifier gain of data driver in active-matrix displays

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권12호
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• pp.98-107
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• 1993

This paper describes a design of a multi-bit oversampling noise-shaping D/A converter which achieves a resolution of 12 bits using oversampling technique. In the architecture the essential block which determines the whole accuracy is the analog internal D/A converter, and the designed charge-integration internal D/A converter adopts a differential structure in order to minimize the reduction of the resolution due to process variation. As the proposed circuit is driven by signal clocks which contains the information of the data variation from the noise-shaping coder, it minimizes the disadvantage of a charge-integration circuit in the time axis. In order to verify the circuit, it was integrated with the active area of 950$\times$650${\mu}m^{2}$ in a double metal 1.5-$\mu$m CMOS process, and testified that it can achieve a S/N ratio of 75 dB and a S/(N+D) ratio of 60 dB for the signal bandwidth of 9.6 kHz by the measurement with a spectrum analyzer.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권4A호
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• pp.466-471
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• 2004

반도체 방식의 용량형 지문인식센서의 신호처리를 위한 개선된 회로를 설계하였다. 최 상위 센서플레이트가 지문의 굴곡을 감지한 용량의 변화를 전압의 신호로 전환하기 위해서 전하분할 방식의 회로를 적용하였다. 지문센서 감도저하의 가장 큰 원인인 센서플레이트에 존재하는 기생용량을 최소화하고 융선(ridge)과 계곡(valley) 사이의 전압차를 향상시키기 위하여 기존과는 다른 아날로그버퍼회로를 설계하였다. 센서전압과 기준전압 신호를 비교하기 위해서 비교기를 설계하였다. 제안된 신호처리회로는 0.3$\mu\textrm{m}$ 표준 CMOS 공정으로 레이아웃을 실시하였다.