• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1373-1374
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• 2007

We has been synthesized $(POB)_{2}Ir(pic)$ as a red emitting materials and evaluated in the organic light emitting diodes (OLED). The layer of $Alq_3$ doped with $(POB)_{2}Ir(pic)$ as emitters has been demonstrated. The structure of the device is ITO/ NPB (40 nm) / $Zn(HPB)_2$ (40 nm)/ $Alq_3$ : $(POB)_{2}Ir(pic)$ (30 nm) / LiF / Al. We varied the doped rate of $(POB)_{2}Ir(pic)$. The doped rate is 0.4 %, 0.6%, 0.8 and 1.2%, respectively. When the doped rate of the $Alq_3$:$ Ir(POB)_{2}(pic)$ was 0.6%, white emission is achieved. The Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of the white emission are (0.316, 0.331) at an applied voltage of 10.75V.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.81-81
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• 2007

Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 deep 서브마이크론 집적회로의 다층배선구조률 실현하기 위해 inter-metal dielectric (IMD), inter-layer dielectric layers (ILD), pre-metal dielectric (PMD) 층과 같은 절연막 외에도 W, Al, Cu와 같은 금속층을 평탄화 하는데 효과적으로 사용되고 있으며, 다양한 소자 제작 및 새로운 물질 등에도 광범위하게 응용되고 있다. 하지만 Cu damascene 구조 제작으로 인한 CMP 응용 과정에서, 기계적으로 깨지기 쉬운 65 nm의 소자 이하의 구조에서 새로운 저유전상수인 low-k 물질의 도입으로 인해 낮은 하력의 기계적 연마가 필요하게 되었다. 본 논문에서는 전기화학적 기계적 연마 적용을 위해, I-V 특성 곡선을 이용하여 active, passive, transient, trans-passive 영역의 전기화학적 특성을 알아보았으며, Cu 막의 표면 형상을 알아보기 위해 scanning electron microscopy (SEM) 측정과 energy dispersive spectroscopy (EDS) 분석을 통해 금속 화학적 조성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.319-320
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• 2006

In order to improve the ESD(Electrical Static Discharge) resistance of multilayer chip varistors, we have investigated ZnO-$Pr_6O_{11}$ based chip varistor by applying tape casting technology, whose fundamental component were ZnO : $Pr_6O_{11}$ :$Co_3O_4$: $Y_2O_3$: $Al_2O_3$=93.67: 2.53:2.53:1.25 : 0.015 (wt %). The effect of sintering condition on the multilayer chip varistors and electric properties was studied. The electrical properties and ESD resistance of multilayer chip varistor could be influenced the sintering temperature and condition.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.309-310
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• 2006

In this paper, frequency characteristic of FBAR was studied as a function of annealing temperature. we have used Li dopant to enhance electrical properties of ZnO thin film. Li:ZnO thin film was deposited on Al(300 nm)/$SiO_2$(500 nm)/Si($500\;{\mu}m$) and each layer was patterned. Thermal treatment was executed in range of between 300 and $600^{\circ}C$ in $O_2$ ambient. We observed that the resistivity of ZnO is enhanced under the influence of Li doping and return loss in FBAR frequency properties is improved through annealing.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.05a
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• pp.193-196
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• 2005

유기발광소자의 발광층의 두께에 따른 임피던스의 변화를 살펴보았다. 임피던스는 두께에 따라 저항의 변화에 따른 의존성을 보이며, 그에 따른 임피던스와 Cole-Cole 반원의 변화, 두께에 따른 $1/\tau$ 의 변화를 살펴보았다. 발광층의 두께는 각각 100, 200, 300 nm의 두께로 열증착하여 실험하였고, 소자의 구조는 $ITO/Alq_3/Al$의 구조로 측정 하였다. 유기발광소자의 발광층인 $Alq_3$의 두께가 증가함에 따라 임피던스의 크기가 증가하고, 위상각의 크기는 100nm의 경우 0V에서 용량성을 보이다가 6~10V까지 부성저항특성을 나타낸 후 약 22V에서 저항성을 나타내고, 200과 300 nm의 경우 12V까지 용량성을 나타내다 이후 22V 근방에서 $0^{\circ}$에 가까워지며 저항성을 나타내는 것을 알 수 있었다. 또한 두께에 따른 Cole-Cole 반원을 살펴보면 두께가 증가할수록 반원의 크기가 증가하는 것을 알 수 있으며, 이를 통해 간단한 등가회로를 예측할 수 있었다. 그리고 벌크내의 용량성$(C_p)$을 측정하여 두께의 증가에 따라 $C_p$ 값이 감소하는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.373-374
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• 2007

We have fabricated polymer light-emitting diodes(PLED) in a structure of Glass/ITO/PVK/Al. Poly(N-vinylcabazole) (PVK) was deposited on the ITO glass with the spin coating method. PVK thickness is respectively 500nm, 300nm, 250nm and 200nm with the spin coter rotation speed of 2000, 3000, 4000 and 5000rpm. V-I, wavelength-transmittance, P-L and SEM of the fabricated devices were measured. From the result of P-L measurement, it was kept the optic properties of PVK raw powder when PVK thickness is 250nm. The knee-voltage of PVK PLED with 250nm thickness was 7V.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.113-113
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• 2010

유비쿼터스 시대를 맞이하여 현재의 전자제품은 초고주파 환경에서의 소형화된 마이크로파 소자를 요구하고 있다. 마이크로파 대역에서 세라믹 소재는 대부분의 폴리머 소재에 비해 낮은 유전손실 값을 보이고 있어 향후 확대되는 고주파화에 적합한 소재로 평가되고 있다. 하지만 세라믹 재료는 깨지기 쉬운 특성을 가지고 있어 공정 및 취급이 어려우며 높은 소결온도를 가지고 있어 융점이 낮은 재료와의 집적화에 있어서 난점을 가지고 있다. 이를 위해 본 연구실에서는 실온에서 세라믹을 비롯한 금속 및 폴리머 재료의 치밀한 코팅막의 성막 및 이종 접합이 가능한 Aerosol Deposition (AD 법)에 주목하였고 마이크로파 소자 제작 공정으로서 AD 법의 응용 가능성을 연구하였다. 마이크로파 소자의 기판으로서는 AD 법을 이용하여 유전손실이 낮고 플렉서블한 $Al_2O_3$-PTFE 혼합 기판을 제작하고 적용하였다. 금속 선로 패터닝 제작 공정으로는 도금법이 대표적이지만 고비용 및 복잡한 공정 절차, 폐화학용액으로 인한 환경문제 등의 단점을 지니고 있어 이를 대체하는 금속 선로 패터닝 공정이 절실히 요구되고 있다. 이를 위해 본 연구에서는 AD 법을 이용하여 금속 필름을 제작하고 대체 공정으로서의 가능성을 확인하였다. 하지만 AD 법을 이용한 세라믹 필름 제작에 관한 연구는 크게 활성화되어 있는 반면에 금속 필름의 제작, 특성 측정 및 개선에 관한 연구는 그에 비해 미비한 수준이다. 이를 위해 이번 연구에서는 AD 법을 이용하여 금속 필름을 성막 시에 영향을 미치는 요인을 고찰하였으며 또한 마이크로파 소자의 도체 손실에 크게 관계되는 금속 필름의 비저항 특성의 측정 및 개선에 관한 연구를 수행하였다. 이를 위해 본 연구에서는 정전장 시뮬레이션을 활용하여 AD 법으로 성막된 금속 필름의 정밀한 비저항 측정에 관한 연구방법을 마련하고 후열처리를 통한 비저항 특성을 개선시키는 연구를 진행하였다.

• Journal of the Korean Society of Industry Convergence
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• v.20 no.2
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• pp.149-155
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• 2017

Mechanical properties of carbon coated $SiC_f/SiC$ composites have been investigated, in conjunction with a detailed analysis of microstructure. Especially, the fracture behavior of $SiC_f/SiC$ composites by the induction of carbon coating layers has been examined. The matrix region of $SiC_f/SiC$ composites with ultra-fine SiC powders were consolidated by a liquid phase sintering (LPS) process, using a sintering additive of $Al_2O_3-Y_2O_3$ powder compound. In this composite, plain and satin- woven Tyranno SA fabrics were also utilized as a reinforcing material. A carbon interfacial layer was coated around satin-woven SiC fabrics. The characterization of LPS-$SiC_f/SiC$ composites was investigated by means of SEM and three point bending test.

• Journal of Welding and Joining
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• v.28 no.5
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• pp.80-85
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• 2010

This study focused on laser assisted machining (LAM) of silicon nitride ceramic that efficiently removes the material through machining of the softened zone by local heating. The effects of laser-assisted machining parameters were studied for cost reduction, and active application in processing of silicon nitride ceramics in this study. Laser assisted machining of silicon nitride allows effective cutting using CBN tool by local heating of the cutting part to the softening temperature of YSiAlON using by the laser beam. When silicon nitride is sufficiently preheated, the surface is oxidized and decomposed and then forms bloating, micro crack and silicate layer, thereby making the cutting process more advantageous. HIPSN and SSN specimens were used to study the machining characteristics. Higher laser power makes severer oxidation and decomposition of both materials. Therefore, HIPSN and SSN specimens were machined more effectively at higher power.

• Korean Journal of Metals and Materials
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• v.48 no.12
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• pp.1078-1083
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• 2010

In this study, high temperature oxidation behavior of Alloy 617 was investigated to evaluate the effect of grain size for Alloy 617. The grain size of grain-refined Alloy 617 (GR617) was reduced to $5{\mu}m$ from $71{\mu}m$ for as-received Alloy 617 (AR617) by recrystallization after cold rolling. After high temperature aging, the oxide layers of AR617 and GR617 consisted of $Cr_2O_3$ external oxide scale and $Al_2O_3$ internal oxide. The external oxide scale resulted in a Cr-depleted zone and a carbide free zone below the scale. The depth of the carbide free zone was deeply formed in GR617. On the other hand, the depth of the internal oxide layer in GR617 was shorter than that in AR617. After a 3-point bending test, crack propagation of GR617 was more restricted than that of AR617 because of the different microstructure of the internal oxide.