Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.21
no.1
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pp.1-6
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2014
Flip chip bonded LED packages possess lower thermal resistance than wire bonded LED packages because of short thermal path. In this study, thermal and bonding properties of flip chip bonded high brightness LED were evaluated for Au-Sn thermo-compression bonded LEDs and Sn-Ag-Cu reflow bonded LEDs. For the Au-Sn thermo-compression bonding, bonding pressure and bonding temperature were 50 N and 300oC, respectively. For the SAC solder reflow bonding, peak temperature was $255^{\circ}C$ for 30 sec. The shear strength of the Au-Sn thermo-compression joint was $3508.5gf/mm^2$ and that of the SAC reflow joint was 5798.5 gf/mm. After the shear test, the fracture occurred at the isolation layer in the LED chip for both Au-Sn and SAC joints. Thermal resistance of Au-Sn sample was lower than that of SAC bonded sample due to the void formation in the SAC solder.
Seo, Seung-Ho;Son, Geun Sik;Seo, Kang Hyun;Choi, Soon-Mok
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.31
no.4
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pp.249-254
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2018
We researched about a bulk metallic glass system as an additive to an Ag paste for high temperature thermoelectric modules. Bulk metallic glass (BMG) ribbons were produced by using a rapid solidification process (RSP) under a cooling rate condition higher than $10^{\circ}C/sec$. We investigated BMG characteristics of the ribbons by means of x-ray diffraction (XRD) and differential scanning calorimetry (DSC) in order to evaluate the glass transition temperature ($T_g$) and the recrystallization temperature ($T_x$) lower than $400^{\circ}C$. A milling process was also developed to apply the BMG ribbons to a commercial Al paste as an additive for lower sintering temperature.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.4
s.37
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pp.315-321
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2005
Chip-on-glass technology to attach IC chip directly on the glass substrate of flat panel display was studied by using induction heating body in AC magnetic field. With applying magnetic field of 230 Oe at 14 kHz, the temperature of an induction heating body made with Cu electrodeposited film of 5 mm${\times}$5 mm size and $600{\mu}m$ thickness reached to $250^{\circ}C$ within 60 seconds. However, the temperature of the glass substrate was maintained below $100^{\circ}C$ at a distance larger than 2 mm from the Cu induction heating body. COG bonding was successfully accomplished with reflow of Sn-3.5Ag solder bumps by applying magnetic field of 230 Oe at 14 kHz for 120 seconds to a Cu induction heating body of 5mm${\times}$5mm size and $600{\mu}m$ thickness.
We fabricated a closed coils by using resistive-joint method and the joint resistance of the coils were estimated by field decay technique in liquid nitrogen. We used the Runge-kutta method for the numerical analysis to calculate the decay properties. The closed coil was wound by $(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x$/Ag tape. Both ends the tape were overlapped and soldered to each other. The current was induced in a closed coils by external magnetic flux density. Its decay characteristic was observed by means of measuring the magnetic flux density generated by induced current at the center of the closed coil with hall sensor. The joint resistance was calculated as the ratio of the inductance of the loop to the time constants. The joint resistances were evaluated as a function of critical current of loop, contact length, sweep time, and external magnetic flux density in a contact length of 7 cm. It was observed that joint resistance was dependent on contact length of a closed coil, but independent of critical current, sweep time, and external magnetic flux density. The joint resistance was measured to be higher for a standard four-probe method, compared with that for the field decay technique. This implies that noise of measurement in a standard four-probe method is larger than that of field decay technique. It was estimated that joint resistance was $8.0{\times}10^{-9}{\Omega}$ to $11.4{\times}10^{-9}{\Omega}$ for coils of contact length for 7 cm. It was found that 40Pb/60Sn solder are unsuitable for persistent mode.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.11
no.3
s.32
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pp.23-30
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2004
Interfacial reaction of Pb-free $Sn0.7wt{\%}Cu$ and $Sn3.8wt{\%}Ag0.7wt{\%}Cu$ solders and Pt during aging has been investigated. After the $Sn3.8wt{\%}Ag0.7wt{\%}Cu/Pt$ specimens were reflowed at $250^{\circ}C$ for 30s and the $Sn0.7wt{\%}Cu/Pt$ specimens were reflowed at $260^{\circ}C$, the specimens were aged at $125^{\circ}C,\;150^{\circ}C$ and $170^{\circ}C$ for 25-121 hours. The intermetallic thitkness and morphology change during aging were characterized using SEM, EDS and XRD. $PtSn_4$ and $PtSn_2$ were observed in the solder/pt interface and the intermetallic formation was governed by diffusion. The activation energy of intermetallic formation was 145.3 kJ/mol for$Sn3.8wt{\%}Ag0.7wt{\%}Cu/Pt$ specimens for $Sn0.7wt{\%}Cu/Pt$ specimens from the measurement of the intermetallic thickness with aging temperature and time.
Lee Ouk Sub;Hur Man Jae;Myoung No Hoon;Kim Dong Hyeok
Journal of Applied Reliability
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v.5
no.3
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pp.327-342
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2005
전자 패키지가 열을 받을 때 회로기판과 칩의 열팽창계수 차이에 의해 발생되는 응력은 솔더 조인트의 파손에 영향을 미친다. 본 연구에서는 이 영향을 정량적으로 규명하기 위하여 열충격시험기를 이용해 얻어진 솔더 조인트의 전기저항 변화와 수명과의 상관관계를 규명하였고, BGA솔더 조인트의 수명을 정량적으로 도출하였다. 또한 Sn-3.5Ag-0.5Cu 무연 솔더와 63Sn-37Pb 유연 솔더를 위의 실험에 동시에 적용시켜 건전성을 FORM(first-order reliability method)과 Weibull Function Model을 이용해 비교하였다.
Lee Jong-Beom;No Bo-In;Lee Yeong-Ho;Jeong Seung-Bu
Proceedings of the KWS Conference
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2006.05a
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pp.206-208
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2006
The reliability of BGA (ball grid array) package with OSP (organic surface preservative) surface finish under thermal cycle was investigated by using SEM (scanning electron microscopy), EDS(energy dispersive spectroscopy), image tool and ball shear test. The IMCs (intermetallic compounds) were increased with increasing number of thermal cycles. However, the shear strengths of solder ball were decreased with increasing number of thermal cycles. The order of solders which had the highest shear strength as follow: Sn-3.5wt%Ag-0.7wt%Cu, Sn-0.7wt%Cu, Sn-37wt%Pb.
Lee Ouk Sub;Hur Man Jae;Myoung No Hoon;Kim Dong Hyeok
Proceedings of the Korean Reliability Society Conference
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2005.06a
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pp.287-294
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2005
전자 패키지가 열을 받을 때 회로기판과 칩의 열팽창계수 차이에 의해 발생되는 응력은 솔더 조인트의 파손에 영향을 미친다. 본 연구에서는 이 영향을 정량적으로 규명하기 위하여 열충격시험기를 이용해 얻어진 솔더조인트의 전기저항 변화와 수명과의 상관관계를 규명하였고, BGA 솔더조인트의 수명을 정량적으로 도출하였다. 또한 Sn-3.5Ag-0.5Cu 무연솔더와 63Sn-37Pb 유연솔더를 위의 실험에 동시에 적용시켜 건전성을 FORM(first-order reliability method)과 Weibull Function Model을 이용해 비교하였다.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.20
no.2
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pp.59-64
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2013
In-situ annealing tests of Cu/Ni/Au/Sn-Ag/Cu micro-bump for 3D IC package were performed in an scanning electron microscope chamber at $135-170^{\circ}C$ in order to investigate the growth kinetics of intermetallic compound (IMC). The IMC growth behaviors of both $Cu_3Sn$ and $(Cu,Ni,Au)_6Sn_5$ follow linear relationship with the square root of the annealing time, which could be understood by the dominant diffusion mechanism. Two IMC phases with slightly different compositions, that is, $(Cu,Au^a)_6Sn_5$ and $(Cu,Au^b)_6Sn_5$ formed at Cu/solder interface after bonding and grew with increased annealing time. By the way, $Cu_3Sn$ and $(Cu,Au^b)_6Sn_5$ phases formed at the interfaces between $(Cu,Ni,Au)_6Sn_5$ and Ni/Sn, respectively, and both grew with increased annealing time. The activation energies for $Cu_3Sn$ and $(Cu,Ni,Au)_6Sn_5$ IMC growths during annealing were 0.69 and 0.84 eV, respectively, where Ni layer seems to serve as diffusion barrier for extensive Cu-Sn IMC formation which is expected to contribute to the improvement of electrical reliability of micro-bump.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.12
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pp.949-954
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2011
In this study, the characteristics and error ranges of the mechanical bonding strength were analyzed according to before and after thermal shock test for various chips of automotive application component using Sn-3.0Ag-0.5Cu solder. In the after thermal shock test, the mechanical bonding strengths tend to decrease, meanwhile decreasing rates of mechanical strengths were less then 12% at specimen's bonding area below 3.5$mm^2$, and were from 17 to 21% at specimen's bonding area above 12 $mm^2$. On the other hand, Specimen's mean deviation rates were about 5% at specimen's bonding area more than 12 $mm^2$. Inversely, at specimen's bonding area is less then 3.5 $mm^2$, mean deviation rates were increased to about 8%. It means that the smaller device size is, the larger mean deviation rate. In addition, error ranges and deviation rates of the mechanical bonding strengths may differ slightly depending on their bonding area. Furthermore, process conditions as well as method of mechanical reliability evaluation should be established to reduce the error ranges of bonding strength.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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