• 제목/요약/키워드: AS(Array Switch)

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Reconfigurable Optical Add-Drop Multiplexer Using a Polymer Integrated Photonic Lightwave Circuit

  • Shin, Jang-Uk;Han, Young-Tak;Han, Sang-Pil;Park, Sang-Ho;Baek, Yong-Soon;Noh, Young-Ouk;Park, Kang-Hee
    • ETRI Journal
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    • 제31권6호
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    • pp.770-777
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    • 2009
  • We have developed a fully functional reconfigurable optical add-drop multiplexer (ROADM) switch module using a polymer integrated photonic lightwave circuit technology. The polymer variable optical attenuator (VOA) array and digital optical switch array are integrated into one polymer PLC chip and packaged to form a 10-channel VOA integrated optical switch module. Four of these optical switch modules are used in the ROADM switch module to execute 40-channel switching and power equalization. As a wavelength division multiplexer (WDM) filter device, two C-band 40-channel athermal arrayed waveguide grating WDMs are used in the ROADM module. Optical power monitoring of each channel is carried out using a 5% tap PD. A controller and firmware having the functions of a 40-channel switch and VOA control, optical power monitoring, as well as TEC temperature control, and data communication interfaces are also developed in this study.

완전 결합형 ATM 스위치 구조 및 구현 (II부 스위치 엘리먼트 ASIC화 및 스위치 네트워크 구현에 대하여) (Structure and Implementation of Fully Interconnected ATM Switch (Part II : About the implementation of ASIC for Switching Element and Interconnected Network of Switch))

  • 김경수;김근배;박영호;김협종
    • 한국통신학회논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.131-143
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    • 1996
  • In this paper, we propose the improved structure of fully interconnected ATM Switch to develop the small sized switch element and represent practical implementation of switch network. As the part II of the full study about structure and implementation of fully interconnected ATM Switch, this paper especially describes the implementation of an ATM switching element with 8 input port and 8 output port at 155 Mbits/sec each. The single board switching element is used as a basic switching block in a small sized ATm switch for ATM LAN Hub and customer access node. This switch has dedicated bus in 12 bit width(8 bit data + 4 bit control signal) at each input and output port, bit addressing and cell filtering scheme. In this paper, we propose a practical switch architecture with fully interconnected buses to implement a small-sized switch and to provide multicast function withoutany difficulty. The design of switching element has become feasible using advanced CMOS technology and Embedded Gate Array technology. And, we also represent Application Specific Integrated Circuit(ASIC) of Switch Output Multiplexing Unit(SOMU) and 12 layered Printed Circuit Board for interconnection network of switch.

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FET 스위치를 이용한 2.6 GHz 용 SPA 안테나 설계 (Design of SPA Antenna Using FET Switch for 2.6 GHz)

  • 강현상;박영일;용환구;김병성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권10호
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    • pp.1137-1144
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    • 2012
  • 본 논문에서는 펨토셀에서 기기 간의 상호 간섭을 해결하기 위해 2.6 GHz Wimax 밴드용 switched parasitic array(SPA) 안테나를 설계하였다. 설계한 SPA 안테나는 방사체(radiator)로 동작하는 단일 급전 ${\lambda}/4$ 모노폴 안테나가 중앙에 있고, 스위칭에 따라 반사체(reflector)와 유도체(director)로 동작하는 4개의 기생소자가 이를 둘러싸고 있으며, 이들 기생소자는 개방된 모노폴이 각각 둘러싸고 있다. 본 논문에서는 기존의 PIN 다이오드가 아닌 RF FET 스위치를 사용하여 빔 조향을 함으로써 간단한 구조의 저가, 저전력 안테나를 설계하였으며, 스위치의 특성에 따른 SPA 안테나의 성능을 분석하였다. 제작한 안테나의 크기는 반지름 65 mm, 높이 35 mm이고, 2.6 GHz에서 전후방비가 15 dB 이상이며, 스위칭에 따라서 8방향으로 빔 조향이 가능하다.

갈륨비소 광스위치 및 그 어레이의 제작 (Fabrication of GaAs Photonic Switch and Its Array)

  • 김택무;이승원;추광욱;권오대;정문식;강봉구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.1260-1262
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    • 1992
  • We have developed an optical switch array, which consists of 16X8 reflective symmetric self electrooptic effect devices(RS-SEED), from MOCVD-grown GaAs/AlGaAs low-barrier(LB) multiple quantum well (MQW) structures.

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10W급 MEMS 스위치를 이용한 송수신모듈 소형화 개발 (Miniaturization Development of Transmit/Receive Module using a 10W MEMS switch)

  • 이희민;전병철;이복형
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권12호
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    • pp.2417-2424
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    • 2016
  • 항공기용 능동위상배열레이다와 같이 한정된 플랫폼에 장착되는 레이다에 사용하는 부품은 소형/경량화 특성이 매우 중요하다. 또한 최근의 능동위상배열레이다는 목표물의 탐지/추적이 가능한 다목적 레이다로 사용하기 위해 수천 개의 송수신모듈이 안테나의 배열형태로 개발되며, 여기에 적용하기 위한 송수신모듈 크기와 무게는 전체 레이다를 설계하는데 중요한 요소이다. 본 논문에서는 국산화 개발된 10W급 RF MEMS 스위치를 이용하여 소형 송수신 모듈을 개발하였고, 기존에 순환기(Circulator)를 사용한 것보다 회로 면적을 약 86.5% 수준으로 줄였다. 개발된 송수신모듈은 주요 전기적 요구 성능을 만족했을 뿐만 아니라, MIL-STD의 환경시험을 통과하여 군수 부품으로 적합함을 확인하였다. 송수신모듈에 적용된 MEMS 스위치는 적응형 수신기 (Adaptive Tunable Receiver), 재구성 가능한 스마트 능동위상배열안테나(Reconfigurable smart active antenna), 광대역 빔조향 안테나 등에도 적용할 수 있다.

MEMS 스위치 기반 재구성 고출력 증폭기를 갖는 재구성 능동 배열 안테나 시스템 (A Reconfigurable Active Array Antenna System with Reconfigurable Power Amplifiers Based on MEMS Switches)

  • 명성식;엄순영;전순익;육종관;;임규태
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권4호
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    • pp.381-391
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    • 2010
  • 본 논문에서는 상용 초고주파 MEMS 스위치를 이용하여 세 개의 주파수 대역에서 재구성 동작이 가능한 주파수 재구성 능동 배열 안테나 시스템(Reconfigurable Active Array Antenna System: RAA System)을 제안하였다. MEMS 스위치는 삽입 손실 및 선형성 특성이 우수하고 격리도가 높아 주파수 재구성 시스템 구현 시, 재구성을 위한 스위치로 인한 성능 열화가 거의 없다는 장점이 있다. 제안된 주파수 재구성 능동 배열 안테나 시스템은 간단한 구조의 임피던스 매칭 회로(Reconfigurable impedance Matching Circuit: RMC)를 갖는 주파수 재구성 증폭기(Reconfigurable Front-end Amplifier: RFA)가 집적화 되어 있으며, 안테나 방사체(Reconfigurable Antenna Element: RAE)와 재구성 제어 보드(Reconfiguration Control Board: RCB)로 구성되어 있다. 본 논문에서 제안한 RAA 시스템은 850 MHz, 1.9 GHz, 3.4 GHz의 세 개 주파수로 재구성되어 동작하며, 안테나 방사체는 $2{\times}2$ 배열을 가지고 각각의 방사체는 광대역 다이폴 형태를 갖는다. 제작된 RAA 시스템은 실험을 통하여 그 타당성을 확인하였다.

A Study of 0.5-bit Resolution for True-Time Delay of Phased-Array Antenna System

  • Cha, Junwoo;Park, Youngcheol
    • International journal of advanced smart convergence
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    • 제11권4호
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    • pp.96-103
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    • 2022
  • This paper presents the analysis of increasing the resolution of True-Time-Delay (TTD) by 0.5-bit for phased-array antenna system which is one of the Multiple-Input and Multiple Output (MIMO) technologies. For the analysis, a 5.5-bit True-Time Delay (TTD) integrated circuit is designed and analyzed in terms of beam steering performance. In order to increase the number of effective bits, the designed 5.5-bit TTD uses Single Pole Triple Throw (SP3T) and Double Pole Triple Throw (DP3T) switches, and this method can minimize the circuit area by inserting the minimum time delay of 0.5-bit. Furthermore, the circuit mostly maintains the performance of the circuit with the fully added bits. The idea of adding 0.5-bit is verified by analyzing the relation between the number of bits and array elements. The 5.5-bit TTD is designed using 0.18 ㎛ RF CMOS process and the estimated size of the designed circuit excluding the pad is 0.57×1.53 mm2. In contrast to the conventional phase shifter which has distortion of scanning angle known as beam squint phenomenon, the proposed TTD circuit has constant time delays for all states across a wide frequency range of 4 - 20 GHz with minimized power consumption. The minimum time delay is designed to have 1.1 ps and 2.2 ps for the 0.5-bit option and the normal 1-bit option, respectively. A simulation for beam patterns where the 10 phased-array antenna is assumed at 10 GHz confirms that the 0.5-bit concept suppresses the pointing error and the relative power error by up to 1.5 degrees and 80 mW, respectively, compared to the conventional 5-bit TTD circuit.

모듈레이터의 지령충전을 위한 고전압 반도체 스위치 개발 (Development of a High Voltage Semiconductor Switch for the Command Charging o)

  • 박성수;이경태;김상희;조무현
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 F
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    • pp.2067-2069
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    • 1998
  • A prototype semiconductor switch for the command resonant charging system has been developed for a line type modulator, which charges parallel pulse forming network(PFN) up to voltage of 5 kV at repetition rates of 60 Hz. A phase controlled power supply provides charging of the 4.7 ${\mu}s$ filter capacitor bank to voltage up to 5 kV. A solid state module of series stack array of sixe matched SCRs(1.6 kV, 50 A) is used as a command charging switch to initiate the resonant charging cycle. Both resistive and RC snubber network are used across each stage of the switch assembly in order to ensure proper voltage division during both steady state and transient condition. A master trigger signal is generated to trigger circuits which are transmitted through pulse transformer to each of the 6 series switch stages. A pulse transformer is required for high voltage trigger or power isolation. This paper will discuss trigger method, protection scheme, circuit simulation, and test result.

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사물인터넷 환경에서 다중 객체 스위치 제어를 위한 프로그래밍 가능한 로직제어 및 테스트 패턴 형성 (Filed Programmable Logic Control and Test Pattern Generation for IoT Multiple Object switch Control)

  • 김응주;정지학
    • 사물인터넷융복합논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.97-102
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    • 2020
  • 사물인터넷 환경에서 다중 객체의 스위치 제어는 고전압을 구동하기 위해 레벨 시프터가 있는 여러 솔리드 스테이트 구조로써 낮은 ON 저항과 양방향 릴레이 MOS 스위치를 통합했으며 외부 직렬 논리 제어에 의해 독립적으로 제어되어야 한다. 이 장치는 의료용 초음파 이미지 시스템, 잉크젯 프린터 제어 등의 IoT 기기뿐만 아니라, 켈빈 4 단자 측정을 사용한 PCB 개방 / 단락 및 누출 테스트 시스템과 같은 저전압 제어 신호에 의한 고전압 스위칭 제어가 필요한 응용 제품에 사용하도록 설계되었다. 이 논문에서는 FPGA (Field Programmable Gate Array) 테스트 패턴 생성을 사용한 아날로그 스위치 제어 블록의 구현 및 검증에 대하여 고찰하였다. 각 블록은 Verilog 하드웨어 설명 언어를 사용하여 구현된 후 Modelsim에 의해 시뮬레이션 되고 FPGA 보드에서 프로토타입화 되어 적용되었다. 제안된 아키텍처는 IoT 환경에서 여러개의 개체들을 동시에 제어하여야 하는 분야에 적용할 수 있으며 유사 형태의 IC를 테스트하기 위해 제안된 패턴 생성 방법을 적용할 수 있다.

Optically Programmable Gate Array 구현을 위한 수직 공진형 완전공핍 광싸이리스터 (Design of Monolithically Integrated Vertical Cavity Laser with Depleted Optical Thyristor for Optically Programmable Gate Array)

  • 최운경;김도균;최영완
    • 전기학회논문지
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    • 제58권8호
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    • pp.1580-1584
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    • 2009
  • We have theoretically analyzed the monolithic integration of vertical cavity lasers with depleted optical thyristor (VCL-DOT) structure and experimentally demonstrated optical logic gates such as AND-gate, OR-gate, and INVERTER implemented by VCL-DOT for an optical programmable gate array. The optical AND and OR gates have been realized by changing a input bias of the single VCL-DOTs and all kinds of optical logic functions are also implemented by adjusting an intensity of the reference input beams into the differential VCL-DOTs. To achieve the high sensitivity, high slope efficiency and low threshold current, a small active region of lasing part and a wide detecting area are simultaneously designed by using a selective oxidation process. The fabricated devices clearly show nonlinear s-shaped current-voltage characteristics and lasing characteristics of a low threshold current with 0.65 mA and output spectrum at 854 nm.