• 제목/요약/키워드: 5.8 GHz

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5-8 GHz 대역 ASK 변조기 MMIC 설계 및 제작 (Design And Implementation Of ASK Modulator MMIC Operating At 5.8 GHz)

  • 장미숙;하영철;허혁;문태정;황성범;송정근;홍창희
    • 한국통신학회논문지
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    • 제26권11B호
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    • pp.1595-1599
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    • 2001
  • 본 논문에서는 ITS 서비스를 위해 개발된 5.8 GHz대역 근거리 전용 무선 통신을 이용한 자동게이트통관시스템의 차량탑재장치(OBE) 구성요소 중 ASK 변조기를 설계 및 제작하였다. 제안된 ASK 변조기는 인접채널간섭을 줄이기 위하여 3 V 단일전압 드레인 제어 변조회로로 설계되었으며 0.7 - 3 V의 넓은 선형변조영역과 40 dB 이상의 On/off Ratio 특성을 얻었다. 회로의 Layout과 공정은 ETRI 0.5$\mu\textrm{m}$ MESFET Library를 사용하였고 칩 면적은 1.0mm $\times$ 1.0mmn로 제작하였다.

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마이크로스트립-슬롯트 선로에 의한 광대역 마이크로파 Balun (A Microwave Balun by Using Microstrip-Slot Lines)

  • 윤영철;장익수;박기수
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제18권6호
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    • pp.23-29
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    • 1981
  • 마이크로스트립선로에 슬롯트선로를 결합시켜 평면형 광변역 balun을 설계, 제작하였다. 특히 C-band(4-8 GHz)에서 완전하게 동작시키기 위하여 슬롯트선로의 특성임피던스를 보상하여 주었으며, 이로써 이론치와 일치되는 결과를 얻을 수 있었다. 즉. 2 : 1의 부하저항에 대하여 Chebyshev 3-section 변환기로 정합회로를 구성한 결과. 3.5GHz∼7.0GHz의 1 -octave 대역에서 1.2 : 1 이하의 V.S.W.R.을 얻었으며 전송손실은 0.9dB까지 측정되었다. 특히 평형출력의 위상차는 180°±5°이내에서 linear 하게 변화하는 특성을 보이고 있다.

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300GHz 대역 1.5Gbit/s 무선 데이터 전송 시스템 구현 (Implementation of An 1.5Gbit/s Wireless Data Transmission System at 300GHz Band)

  • 이원희;정태진
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제11권2호
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    • pp.1-6
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    • 2011
  • 300GHz 대역의 캐리어 주파수를 이용하여 1.5Gbit/s 무선 데이터 전송 시스템을 구현하였다. RF Front-end는 송수신기 각각 쇼트키 다이오드 서브하모닉 믹서, 주파수 3배기, 혼안테나로 구성하였다. 송신기 및 수신기에 사용된 서브하모닉 믹서의 LO 주파수는 각각 150GHz, 156GHz이다. 변조방식은 ASK(Amplitude Shift Keying)이며, 수신기에서는 헤테로다인 방식의 Envelope 검출 방식을 사용하였다. 서브하모닉 믹서의 변환 손실은 9.8dB, 시스템 손실은 1.2dB로 측정되었다. HD-SDI 형식을 갖는 1.5Gbit/s 비디오 신호를 송신기 출력 $20{\mu}W$에서 광학 렌즈 없이 40cm까지, 광학 렌즈를 포함하여 4.2m까지 HDTV로 전송하였다.

심장박동 측정 레이더를 위한 24GHz I/Q LO 발생기 (A 24 GHz I/Q LO Generator for Heartbeat Measurement Radar System)

  • 양희성;이옥구;남일구
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권11호
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    • pp.66-70
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    • 2016
  • 본 논문에서는 심장박동 측정 레이더 송수신기용 24 GHz I/Q 발생기를 제안한다. 공정 변화에 따른 I/Q LO 신호간의 부정합 특성을 개선하기 위하여 인덕터와 캐패시터로 구성된 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 기반 24 GHz I/Q LO 발생기를 제안하였다. 제안한 24 GHz I/Q 발생기는 LO 버퍼와 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 구성된 24 GHz I/Q LO 발생기는 65 nm CMOS 공정에서 설계되었고, 전원 전압 1 V에서 8 mA의 전류를 소모하면서 24.05 GHz에서 24.25 GHz의 주파수 대역에서 7.5 dB의 전압 이득, 2.3 dB의 잡음 지수, 공정 및 온도 변화에 대해 0.1 dB의 I/Q 이득 부정합, 4.3도의 I/Q 위상 부정합의 성능을 보인다.

Co90Fe10/SiO2 Multilayer를 이용한 GHz 자성박막 인덕터 설계 및 제작에 관한 연구 (A Study on the Design and Fabrication of GHz Magnetic Thin Film Inductor Utilizing Co90Fe10/SiO2 Multilayer)

  • 공기준;윤의중;진현준;박노경;문대철
    • 한국통신학회논문지
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    • 제25권5B호
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    • pp.985-991
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    • 2000
  • 본 논문에서는 인덕터의 면적을 극소화시키고 인덕턴스와 Q값을 극대화시키기 위한 최적구조의 2GHz 자성박막 인덕터를 설계하고 제작하였다. Eddy-current 표피효과를 위해서 Co90Fe10와 SiO2의 multilayer를 사용하고, multilayer를 적용한 새로운 lumped 소자모델을 고려하여 최적설계를 수행하였다. 2GHz에서 동작하는 새로운 자성박막 인덕터는 photo-lithography와 lift-off기술을 이용하여 Si 기판위에 제작되었다. 50개 이상의 동일한 인덕터들의 주파수 특성은 RF Impedance Analyzer로, 자기공진주파수는 Vector Network 분석기(HP8510)로 측정되었다. 개발된 인덕터들은 1.8~2.3GHz 범위의 자기공진주파수, 47~68nH 범위의 L값, 그리고 1GHz이상의 주파수에서 70~80정도의 Q값을 가지므로 L과 Q가 극대화된 아주 우수한 최적구조의 소형(면적=30.8$\times$30.8mil2) 박막인덕터가 성공적으로 제작되었다.

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GaAs MESFET을 이용한 DSRC용 5.8GHz 대역 ASK-PA One Chip 설계 (Design of an 5.8GHz band ASK-PA one-chip operating for DSRC using a GaAs MESFET)

  • 김병국;하영철;문태정;황성범;김용규;송정근;홍창희
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.755-758
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    • 2003
  • 본 논문에서 단거리전용통신(DSRC)용 OBE에 사용되는 5.8GHz 송신측 ASK와 PA를 one-chip화하여 MMIC로 설계를 및 제작하였다. 설계된 ASK-PA는 3V 단일 공급전원을 사용하였고, 능동 소자로서 GaAs MESFET을 사용하였다. ASK는 회로의 복잡도를 줄이기 위해 직접변조 방식을 채택하였고, 인접채널 간섭의 영향을 줄이기 위하여 드레인 제어 변조회로를 사용하였다. 또한 전력증폭기는 2단으로 하여 AB급으로 동작하도록 전압분배 바이어스회로로 구성하였다. 측정결과 3V의 공급전압에서 전체이득 20.63dB, 송신출력 7.8dBm으로 나타냈다. 공정은 ETRI 0.5㎛ GaAs MESFET 공정을 사용하였고, Chip size는 1.2mm×l.4mm이다.

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14-14.5 GHz 대역 저잡음 GaAsMESFET MIC 증폭기 설계 (Design of 14-14.5GHz Band Low Noise GaAsMESFET MIC Amplifier)

  • 이문수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.360-368
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    • 1988
  • $Al_2$$O_3$ 基板위에 14-14.5GHz 低雜音 MIC 增幅器를 設計하였다. COMSAT 硏究所에서 開發한 GaAsMESFET를 使用하여 設計된 增幅器는 Super-Compact 프로그램을 利用하여 利得이 7dB以上. 雜音指數는 2dB以下가 되도록 最適設計하였다. 增幅器의 利得은 7-7.7dB, 雜音指數는 3.8-4.3dB로 測定되었다.

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부성저항 특성을 갖는 능동 인덕터와 능동 캐패시터를 이용한 능동 공진 발진기 설계 및 제작 (Design and Fabrication of a Active Resonator Oscillator using Active Inductor and Active Capacitor with Negative Resistance)

  • 신용환;임영석
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제7권8호
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    • pp.1591-1597
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    • 2003
  • 본 논문에서는 HEMT(Agilent ATF­34143)를 이용한 부성저항 특성을 갖는 능동 인덕터와 캐패시터를 이용해 능동 공진 발진기 제작에 응용하였다. 5.5GHz 대역에서 능동 인덕터는 ­25$\Omega$의 부성저항과 2.4nH의 인덕턴스를 갖고, 능동 캐패시터는 ­14$\Omega$의 부성저항과 0.35pF의 캐패시턴스를 갖도록 설계하였다. 설계된 능동 인덕터와 캐패시터를 이용 5.8GHz ISM 대역의 국부 발진기로 사용 가능한 능동 공진 발진기를 설계하였다. 애질런트사의 ADS 2002C를 이용 시뮬레이션 하였다. 설계된 발진기는 유전율 3.38, 유전체 두께 0.508mm, 금속 두께 0.018mm인 기판위에 HMIC 형태로 구현하였다. 제작된 능동 공진 발진기는 5.68GHz의 기본 발진주파수에서 ­3.6㏈m의 출력을 얻었고, 100KHz 옵셋에서 ­81㏈c1/Hz의 위상잡음 특성을 갖는다.