• 제목/요약/키워드: 2.5Vpp

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로직 공정 기반의 MTP IP용 DC-DC 컨버터 설계 (Design of DC-DC converter for a logic process MTP memory IPs)

  • 박헌;이승훈;진교홍;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
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    • pp.832-836
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    • 2015
  • 본 논문에서는 센서 응용에 아날로그 회로 트리밍이나 chip ID 저장에 사용되는 로직 공정 기반의 Dual Program Voltage를 이용한 MTP (Multi-Time Programmable) IP (Intellectual Property)용 DC-DC 컨버터를 설계하였다. DC-DC 컨버터는 VPP (=5.25V), VNN (=-5.25V)과 VNNL ($=2{\cdot}VNN/5$)의 전압을 공급하는 회로로 MOS 커패시터를 사용하였고, 3.3V 소자만 사용하여 설계하였다. VPP와 VNN은 각각 2단과 5단으로 구성되어 있다. 그리고 펌핑전류는 VPP와 VNN 각각 $9.17{\mu}A$$9.7{\mu}A$이다.

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전신병기(Extensive stage) 소세포 폐암 환자에서 항암 화학요법 성적 : VPP/CAV 및 Carboplatin/Etoposide(CE) 복합 화학요법의 치료효과 (Effect Of VPP/CAV Alternating Chemotherapy Versus Carboplatin/Etoposide(CE) Chemotherapy For Extensive Stage Small Cell Lung Cancer)

  • 김선영;서재철;김명훈;박희선;강동원;이규승;고동석;김근화;정성수;김주옥
    • Tuberculosis and Respiratory Diseases
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    • 제48권5호
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    • pp.740-747
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    • 2000
  • 연구배경 : 저자들은 전신병기 소세포 폐암 환자중 VPP/CAV 교대요법을 받은 환자군과 CE요법을 받은 환자군에 대하여 치료반응과 생존기간 그리고 부작용 등을 평가 하여 전신 병기 소세포 폐암 환자의 초치료로 CE요법이 유용한가에 대하여 알아보고자 하였다. 방법 : VPP/CAV교대요법을 받은 환자들은 cisplatin 60mg/$m^2$를 제 1일에 정주하였고 etoposide 100mg/$m^2$를 제 1일에서 제 3일까지 정주한 후, 3주 후에 다시 cyclophosphamide 1000mg/$m^2$, adriamycin 40mg/$m^2$, vincristine 1.4mg/$m^2$를 정주하였고 매 3주마다 반복하였다. CE요법을 받은 환자들은 carboplatin 325mg/$m^2$를 제 1일에 정주하였고, etoposide 100mg/$m^2$를 제 1일에서 제 3일까지 정주하여 매 3주마다 반복하였다. 양군 모두에서 필요한 경우에는 고식척인 방사선 시행하였다. 결과 : 전체 반응률은 61.4% 이었고 중앙 생존기간은 10.8개월이었다. VPP/CAV교대요법군의 경우 반응률은 54.5%, 중앙 생존기간은 9.5개월이었고, CE요법군의 경우 반응률은 68.2%, 중앙 생존기간은 11개월이었으나 양군간에 통계학적인 차이는 없었으며 부작용은 비슷하였으나, CE요법 군에서 빈혈이 더 많았다. 결론 : CE요법은 VPP/CAV교대요법과 동등한 반응률을 보였으며 부작용도 수용할만하여 전신병기 소세포 폐암환자들에서 초치료 약제로 적절한 것으로 판단된다.

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USB Type-C 응용을 위한 Embedded Flash IP 설계 (Design of an Embedded Flash IP for USB Type-C Applications)

  • 김영희;이다솔;김홍주;이도규;하판봉
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제12권3호
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    • pp.312-320
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    • 2019
  • 본 논문에서는 110nm eFlash 셀을 사용한 512Kb eFlash IP를 설계하였다. eFlash 셀의 프로그램, 지우기와 읽기 동작을 만족시키는 row 구동회로(CG/SL 구동회로), write BL 구동회로( write BL 스위치 회로와 PBL 스위치 선택 회로), read BL 스위치 회로와 read BL S/A 회로와 같은 eFlash 코어회로(Core circuit)를 제안하였다. 그리고 프로그램 모드에서 9.5V와 erase 모드에서 11.5V의 VPP(Boosted Voltage) 전압을 공급하는 VPP 전압 발생기회로는 기존의 단위 전하펌프 회로로 cross-coupled NMOS 트랜지스터를 사용하는 대신 body 전압을 ground에 연결된 12V NMOS 소자인 NMOS 프리차징 트랜지스터의 게이트 노드 전압을 부스팅하는 회로를 새롭게 제안하여 VPP 단위 전하펌프의 프리차징 노드를 정상적으로 VIN(Input Voltage) 전압으로 프리차징 시켜서 VPP 전하펌프 회로의 펌핑 전류를 증가시켰다. 펌핑 커패시터로는 PMOS 펌핑 커패시터에 비해 펌핑전류가 크고 레이아웃 면적이 작은 12V native NMOS 펌핑 커패시터를 사용하였다. 한편 110nm eFlash 공정을 기반으로 설계된 512Kb eFlash 메모리 IP의 레이아웃 면적은 $933.22{\mu}m{\times}925{\mu}m(=0.8632mm^2)$이다.

Vertical PIP 커패시터를 이용한 MTP 메모리 IP 설계 (Design of MTP memory IP using vertical PIP capacitor)

  • 김영희;차재한;김홍주;이도규;하판봉;박무훈
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.48-57
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    • 2020
  • Wireless charger, USB type-C 등의 응용에서 사용되는 MCU는 추가 공정 마스크가 작으면서 셀 사이즈가 작은 MTP 메모리가 요구된다. 기존의 double poly EEPROM 셀은 사이즈가 작지만 3~5 장 정도의 추가 공정 마스크가 요구되고, FN 터널링 방식의 single poly EEPROM 셀은 셀 사이즈가 큰 단점이 있다. 본 논문에서는 vertical PIP 커패시터를 사용한 110nm MTP 셀을 제안하였다. 제안된 MTP 셀의 erase 동작은 FG와 EG 사이의 FN 터널링을 이용하였고 프로그램 동작은 CHEI 주입 방식을 사용하므로 MTP 셀 어레이의 PW을 공유하여 MTP 셀 사이즈를 1.09㎛2으로 줄였다. 한편 USB type-C 등의 응용에서 요구되는 MTP 메모리 IP는 2.5V ~ 5.5V의 넓은 전압 범위에서 동작하는 것이 필요하다. 그런데 VPP 전하펌프의 펌핑 전류는 VCC 전압이 최소인 2.5V일 때 가장 낮은 반면, 리플전압은 VCC 전압이 5.5V일 때 크게 나타난다. 그래서 본 논문에서는 VCC detector 회로를 사용하여 ON되는 전하펌프의 개수를 제어하여 VCC가 높아지더라도 펌핑 전류를 최대 474.6㎂로 억제하므로 SPICE 모의실험을 통해 VPP 리플 전압을 0.19V 이내로 줄였다.

해양에서 분리한 Vibrio parahaemolyticus Phage의 특성 (Characterization of a Vibrio parahaemolyticus Phage Isolated from Marine)

  • 윤선옥;주성아;허문수;정초록;주진우
    • 대한미생물학회지
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    • 제34권5호
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    • pp.423-433
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    • 1999
  • A novel bacteriophage, designated as VPP97, that infects the strains of Vibiro parahaemolyticus (hallophilic, Gram-negative bacterium) isolated most commonly from marine environments, has been discovered, and several of its properties have been determined. The plaques were clear and sized $0.6{\sim}1.0\;mm$ in diameter. The virion forms a single band on 70% sucrose gradient and ${\rho}1.50$ CsCl gradient by sucrose gradient centrifugation and CsCl gradient centrifugation respectively. It has a hexagonal head and a relatively long tail, as shown by electron microscopy. Vibrio alginolyticus, Vibrio fluvialis and Vibrio furnissii were also sensitive to this phage. It was almost totally inactivated at $70^{\circ}C$ and at pH below 5 or over 10. The nucleic acid of VPP97 is composed of DNA. The VPP97 had 9 specific structural proteins sized between 21.5 kDa and 97.4 kDa on SDS-PAGE. When V. parahaemolyticus cultures were treated with either phage VPP97 or one of the several antibiotics for 2 hours, the viable number of V. parahaemolyticus treated with the phage VPP97 is lower than that treated with chloramphenicol, erythromycin or penicillin, but not lower than that treated with tetracycline. Mice that have responded to the phage treatment revealed the lower numbers of V. parahaemolyticus in small intestine and less damage on small intestine compared to the untreated mice. Therefore, we suggest that the phage treatment appears effective to the infection by V. parahaemolyticus.

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진행된 비소세포 폐암에 대한 High-VPP 복합화학요법의 효과 (High VPP Combination Chemotherapy for Advanced Non-Small Cell Lung Cancer)

  • 홍석철;한표성;이종진;조해정;김주옥;김선영
    • Tuberculosis and Respiratory Diseases
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    • 제40권4호
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    • pp.367-377
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    • 1993
  • 연구배경 : 절제가 불가능한 비소세포 폐암 환자에 대한 복합화학요법의 유용성은 아직도 분명치 않다. 그러나, cisplatin을 주축으로하는 복합화학요법의 반응율은 항암제 단독 투여시의 반응율 보다, 또한 high-dose cisplatin군의 반응율이 low-dose cisplatin군의 반응율보다 높은 것으로 최근 보고되고 있다. 복합화학요법(high VPP), 복합화학요법과 방사선 치료의 병행요법이 진행된 비소세포 폐암에서 생존율을 증가시키는지 알아보기 위해 본 연구를 시작하였다. 방법 : 조직학적으로 비소세포 폐암으로 진단된 stage III이상의 환자 35명을 대상으로 하였다. 이들중, 19명은 VP-16과 high-dose cisplatin(100 $mg/m^2$)으로 구성되는 복합화학요법 그리고 복합화학요법과 방사선 치료를 시행받았으며, 나머지 16명은 치료를 받지 않았다. 두군간의 생존율과 반응율의 차이 및 치료에 다른 부작용을 알아보기 위해 환자의 병록 일지를 검토하였다. 결과: 1) 전체적인 객관적 반응율은 한명의 완전관해를 포함하여 47%(9/19) 였다. 2) 복합화학요법과 방사선 치료를 병행하여 받은 환자군에서의 반응율은 한명의 완전관해를 포함하여 60%(6/10) 였으며, 3개월, 6개월 및 127개월 생존율은 각각 100%, 70% 및 40% 였다. 3) 복합화학요법을 받은 환자군에서의 반응율은 완전관해 없이 33%(3/9) 였으며, 3개월, 6개월 및 12개월 생존율은 각각 78%, 67% 및 33% 였다. 4) 전체적으로 치료군에서 비치료군에 비해 통계적으로 유의하게 (p<0.05) 생존기간이 연장되었다(중앙생간 307일과 95일). 5) 여러 예후인자에 따른 분석에서 운동능력이 좋을수록, stage III에서 그리고 편평상피암에서 좋은 반응율을 보였다. 6) 부작용으로서는 오성과 구토(100%), 탈모증(90%), 빈혈(79%), 백혈구 감소증 (69%), 혈소판 감소증(2%), creatinine의 증가(16%) 그리고 신경독성(5%) 등이 있었다. 결론 : 이상의 결과로 진행된 비소세포 폐암 환자에 대한 hign VPP 복합화학요법은 비치료군에 비해 치료군에서 생존율을 높이는 비교적 좋은 효과가 있으므로 좋은 적응증을 가진 환자들을 선택하여 효과적인 항암치료 및 방사선 치료를 시행하여야 할 것으로 사료된다. 그러나, hign VPP 복합화학요법에 따른 효과 개선은 본 연구 결과에선 뚜렷하지 않으므로 보다 많은 증례에서 추구 연구가 필요하리라 생각된다.

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PMIC용 512비트 MTP 메모리 IP설계 (Design of a 512b Multi-Time Programmable Memory IPs for PMICs)

  • 장지혜;하판봉;김영희
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제9권1호
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    • pp.120-131
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    • 2016
  • 본 논문에서는 back-gate bias 전압인 VNN (Negative Voltage)을 이용하여 5V의 MV (Medium Voltage) 소자만 이용하여 FN (Fowler-Nordheim) tunneling 방식으로 write하는 MTP cell을 사용하여 512비트 MTP IP를 설계하였다. 사용된 MTP cell은 CG(Control Gate) capacitor, TG(Tunnel Gate) transistor와 select transistor로 구성되어 있다. MTP cell size를 줄이기 위해 TG transistor와 select transistor를 위한 PW(P-Well)과 CG capacitor를 위한 PW 2개만 사용하였으며, DNW(Deep N-Well)은 512bit MTP cell array에 하나만 사용하였다. 512비트 MTP IP 설계에서는 BGR을 이용한 voltage regulator에 의해 regulation된 V1V (=1V)의 전압을 이용하여 VPP와 VNN level detector를 설계하므로 PVT variation에 둔감한 ${\pm}8V$의 pumping 전압을 공급할 수 있는 VPP와 VNN 발생회로를 제안하였다.

적혈구의 산란빔 측정과 마이크로 세포 분석 바이오칩 제작 (The Scattering Beam Measurement of the RBC and the Fabrication of the Micro Cell Biochip)

  • 변인수;권기진;이준하
    • 한국의학물리학회지:의학물리
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    • 제25권2호
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    • pp.116-121
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    • 2014
  • 본 본문은 Bio-MEMS 공정으로 제작한 마이크로 세포 분석 바이오칩을 사용하여 적혈구의 광학적 특성을 전압으로 측정한 실험이다. Bio-MEMS 공정을 이용하여 세포의 원활한 이동과 측정 분석에 사용되는 글라스에 채널 패턴 에칭을 위하여 포토리소그래피(photolithography)와 산화완충식각(BOE: buffered oxide etchant) 공정 조건, 세포 분석과 정보 전달에 사용되는 광섬유의 에칭을 위하여 산화완충식각 공정 조건, 세포나 유체를 칩과 외부의 전달 등에 사용되는 글라스의 홀을 위하여 전기화학방전(ECD: electro chemical discharge) 공정 조건, 글라스 접합을 위한 자외선반응접합(UVSA: ultraviolet sensitive adhesives) 공정 조건을 정립하였다. 또한 유체나 세포의 흐름 제어를 위한 라미나 흐름 조건, 적혈구세포에 대한 산란빔 파형을 측정하였다. 적혈구 실험을 통하여 출력 광섬유의 각도에 따른 산란빔이 출력측의 광섬유각도가 $0^{\circ}$일 때 약 17 V, 각도가 $5^{\circ}$일 때 약 10 V, 각도가 $10^{\circ}$일 때 약 6 V, 각도가 $15^{\circ}$일 때 약 4 V의 전압(Vpp)으로 측정되었다. 따라서 마이크로 세포 분석 바이오칩 제작의 소형화, 단순화, 공정신간 단축, 정량화하였고 적혈구의 광학적 특성을 측정을 측정함으로써 의공학(biomedical), 바이오칩공학(biochip), 반도체공학(semiconductor), 생물정보학(bioinformatics) 등의 응용과학 분야 발전에 기여할 것으로 기대한다.

High Speed InP HBT Driver Ie For Laser Modulation

  • Sung Jung Hoon;Burm Jin Wook
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2004년도 학술대회지
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    • pp.883-884
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    • 2004
  • High-speed IC for time-division multiplexing (TDM) optical transmission systems have been designed and fabricated by using InP heterojunction-bipolar-transistor (HBT) technology. The driver IC was developed for driving external modulators, featuring differential outputs and the operation speed up to 10 Gbps with an output voltage swing of 1.3 Vpp at each output which was the limit of the measurement. Because -3 dB frequency was 20GHz, this circuit will be operated up to 20Gbps. 1.3Vpp differential output was achieved by switching 50 mA into a 50 $\Omega$ load. The power dissipation of the driver IC was 1W using a single supply voltage of -3.5Y. Input md output return loss of the IC were better than 10 dB and 15 dB, respectively, from DC to 20GHz. The chip size of fabricated IC was $1.7{\Box}1.2 mm^{2}$.

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A High Swing Range, High Bandwidth CMOS PGA and ADC for IF QPSK Receiver Using 1.8V Supply

  • Lee, Woo-Yol;Lim, Jong-Chul;Park, Hee-Won;Hong, Kuk-Tae;Lee, Hyeong-Soo
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제5권4호
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    • pp.276-281
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    • 2005
  • This paper presents a low voltage operating IF QPSK receiver block which is consisted of programmable gain amplifier (PGA) and analog to digital converter. This PGA has 6 bit control and 250MHz bandwidth, $0{\sim}20\;dB$ gain range. Using the proposed PGA architecture (low distortion gain control switch block), we can process the continuous fully differential $0.2{\sim}2.5Vpp$ input/output range and 44MHz carrier with 2 MHz bandwidth signal at 1.8V supply voltage. Using the sub-sampling technique (input freq. is $44{\sim}46MHz$, sampling freq. is 25MHz), we can process the IF QPSK signal ($44{\sim}46MHz$) which is the output of the 6 bit PGA. We can get the SNDR 35dB, which is the result of PGA and ADC at full gain mode. We fabricated the PGA and ADC and the digital signal processing block of the IF QPSK with the 0.18um CMOS MIM process 1.8V Supply.