• 한국결정성장학회지
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• 제13권6호
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• pp.272-278
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• 2003

초음파 분무에 의한 유기금속 화학증착법 (MOCVD)법으로 $Bi_4Ti_3O_{12}$(BIT)와 Bi와 Ti 대신에 La과 V을 동시에 치환시킨 ($Bi_{3.75}La_{0.75})(Ti_{2.97}V_{0.03})O_{12}$ (BLTV)박막을 ITO/glass 기판 위에 증착하였다. 산소 분위기에서 30분 동안 증착한 후, RTA 방식의 직접삽입법으로 열처리를 하였다. 박막은 페로브스카이트상 생성 온도, 미세구조, 전기적 성질에 관해서 조사하였다. XRD(X-Ray diffraction) 측정결과 BLTV 박막의 페로브스카이트상 생성 온도는 약 $600^{\circ}C$로써 BIT의 $650^{\circ}C$보다 더 낮았다. BLTV 박막의 누설전류는 인가전압 1 V에서 $1.52\times10^{-19}$ A/cm^2$로 측정되었다 또한, $650^{\circ}C$에서 증착했을 경우 잔류 분극값이 $5.6\mu$C/$cm^2$, 항전계값 96.5 kV/cm으로 명확한 강유전성을 보이고 있다.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.302-308
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• 2021

본 논문에서는 영상 처리용 12-비트의 10-MS/s 파이프라인 아날로그-디지털 변환기(ADC: analog-to-digital converter)가 제안된다. 제안된 ADC는 샘플-홀드 증폭기, 3개의 stage, 3-비트 플래시 ADC, 그리고 digital error corrector로 구성된다. 각 stage는 4-비트 flash ADC와 multiplying digital-to-analog ADC로 구성된다. 고해상도의 ADC를 위해 제안된 샘플-홀드 증폭기는 gain boosting을 이용하여 전압 이득을 증가시킨다. 제안된 파이프라인 ADC는 1.8V 공급전압을 사용하는 180nm CMOS 공정에서 설계되었고 차동 1V 전압을 가지는 1MHz 사인파 아날로그 입력신호에 대해 10.52-비트의 유효 비트를 가진다. 또한, 약 5MHz의 나이퀴스트 사인파 입력에 대해 측정된 유효비트는 10.12 비트이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권1호
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• pp.129-134
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• 2014

본 논문은 디지털-아날로그 변환기(DAC: digital-to-analog converter), SAR 로직, 그리고 비교기로 구성된 10-bit 10-MS/s 비동기 축차근사형(SAR: successive approximation register) 아날로그-디지털 변환기(ADC: analog-to-digital converter)를 제안한다. Rail-to-rail의 입력 범위를 가지는 설계된 비동기 축차근사형 아날로그-디지털 변환기는 샘플링 속도를 향상시키기 위해 MOM(metal-oxide-metal) 커패시터를 이용한 바이너리 가중치 기반의 디지털-아날로그 변환기를 사용하여 구현한다. 제안하는 10-bit 10-MS/s 비동기 축차근사형 아날로그-디지털 변환기는 0.18-${\mu}m$ CMOS 공정에서 제작되고 면적은 $0.103mm^2$를 차지한다. 1.1 V의 공급전압에서 전력소모는 0.37 mW를 나타낸다. 101.12 kHz와 5.12 MHz의 아날로그 입력 신호에 대해 측정된 SNDR은 각각 54.19 dB와 51.59 dB이다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제4권2호
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• pp.83-89
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• 1998

The structure refinements and the electrical and magnetoelectric measurements were performed for BIT.1BF and BIT.2BT. The tetragonal distortion of the ab plane became lessened with the addition of $4BiFeO_3 into Bi_4Ti_3O_{12}$ significantly. However, the tilting of the outer-oxygen octahedra of the perovskite unit and the elongatin of the $(Bi_2O_2)^{2+}$ layers became more pronounced. For the both phases, the bariations of dielectric properties and electrical conductivities at high temperatures showed that the ferroelectic I-rerroelectric II phase transition existed before reaching the Curie temperature. The electrical conductivity became higher with the increase of $Fe^{3+}$ ions, implying that the electron transfer increased correspondingly. The magnetoelectric effect was observed linear up to ~8 kOe, which was stronger in BIT.1BF than BIT.2BF. This behavior indicates that the distortion of the ab plane may affect the induced polarization as well as magnetic moment.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권12호
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• pp.98-107
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• 1993

This paper describes a design of a multi-bit oversampling noise-shaping D/A converter which achieves a resolution of 12 bits using oversampling technique. In the architecture the essential block which determines the whole accuracy is the analog internal D/A converter, and the designed charge-integration internal D/A converter adopts a differential structure in order to minimize the reduction of the resolution due to process variation. As the proposed circuit is driven by signal clocks which contains the information of the data variation from the noise-shaping coder, it minimizes the disadvantage of a charge-integration circuit in the time axis. In order to verify the circuit, it was integrated with the active area of 950$\times$650${\mu}m^{2}$ in a double metal 1.5-$\mu$m CMOS process, and testified that it can achieve a S/N ratio of 75 dB and a S/(N+D) ratio of 60 dB for the signal bandwidth of 9.6 kHz by the measurement with a spectrum analyzer.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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• pp.293-294
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• 2014

본 논문에서는 MOS 커패시터를 이용하여 12비트 1MSps 연속 근사화 레지스터 아날로그-디지털 변환기(Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter, SAR ADC)를 설계하였다. 설계된 아날로그-디지털 변환기는 매그나칩/SK하이닉스 $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하였으며, Cadence Tool을 이용하여 시뮬레이션 및 레이아웃을 하였다. 시뮬레이션 결과 1.8V의 공급전압에서 전력 소모는 3.22mW였고, 유효 비트수는 11.5bit의 결과를 보였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권4호
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• pp.418-425
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• 2012

In this paper, efficient implementation of error correction code (ECC) processing circuits based on single error correction and double error detection (SEC-DED) code with check bit pre-computation is proposed for memories. During the write operation of memory, check bit pre-computation eliminates the overall bits computation required to detect a double error, thereby reducing the complexity of the ECC processing circuits. In order to implement the ECC processing circuits using the check bit pre-computation more efficiently, the proper SEC-DED codes are proposed. The H-matrix of the proposed SEC-DED code is the same as that of the odd-weight-column code during the write operation and is designed by replacing 0's with 1's at the last row of the H-matrix of the odd-weight-column code during the read operation. When compared with a conventional implementation utilizing the odd-weight- column code, the implementation based on the proposed SEC-DED code with check bit pre-computation achieves reductions in the number of gates, latency, and power consumption of the ECC processing circuits by up to 9.3%, 18.4%, and 14.1% for 64 data bits in a word.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제7권12호
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• pp.3037-3054
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• 2013

Interference between primary user (PU) and secondary user (SU) transceivers should be mitigated in order to implement underlay spectrum sharing in cognitive radio networks (CRN). Considering this scenario, an improved joint subcarrier and bit allocation scheme for cognitive user with primary users' cooperation (PU Coop) in CRN is proposed. In this scheme, the optimization problem is formulated to minimize the average interference power level at the PU receiver via PU Coop, which guarantees a higher primary signal to interference plus noise ratio (SINR) while maintaining the secondary user total rate constraint. The joint optimal scheme is separated into subcarrier allocation and bit assignment in each subcarrier via arith-metric geo-metric (AM-GM) inequality with asymptotical optimization solution. Moreover, the joint subcarrier and bit optimization scheme, which is evaluated by the available SU subcarriers and the allocated bits, is analyzed in the proposed PU Coop model. The performance of cognitive spectral efficiency and the average interference power level are investigated. Numerical analysis indicates that the SU's spectral efficiency increases significantly compared with the PU non-cooperation scenario. Moreover, the interference power level decreases dramatically for the proposed scheme compared with the traditional Hughes-Hartogs bit allocation scheme.

• 전기전자학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.260-263
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• 2017

다종의 CPU를 기반으로 ADC와 DC-DC 변환기를 포함하며 2M-byte의 SRAM이 내장된 SoC가 제안되었다. CPU 코어는 12-bit MENSA 코어, 32-bit Symmetric Multi-core 프로세서, 16-bit CDSP로 구성된다. 외부 SDRAM 메모리를 제거하기 위해 내부의 2M-byte SRAM을 설계하였으나 SRAM 블록들이 넓은 영역에 분포하여 기생 성분에 의해 속도가 저하되므로 SRAM을 작게 분할하여 레이아웃 하였다. 설계된 SoC는 55nm 공정으로 개발되었으며 속도는 200MHz이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권11호
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• pp.13-20
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• 2008

본 논문에서는 1.8YV 12-bit 10MSPS CMOS A/D 변환기 (ADC)를 제안한다. 제안하는 ADC 는 12-bit의 고해상도를 구현하기 위해 even folding 기법을 이용한 Folding/Interpolation 구조로 설계하였다. ADC의 전체 구조는 2단으로 구성된 Folding/Interpolation 구조로써, 각각의 folding rate (FR)은 8을 적용하였고, interpolation rate (IR)은 $1^{st}$ stage 에서 8, $2^{nd}$ stage 에서 16을 적용하여 설계함으로써 고해상도를 만족시키기 위한 최적의 구조를 제안하였다. 또한 SNR 을 향상시키기 위하여 Folding/Interpolation 구조 자체를 cascaded 형태로 설계하였으며, distributed track and hold를 사용하였다. 제안하는 ADC는 $0.18{\mu}m$ 1-poly 4-metal n-well CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 시제품 ADC 는 측정결과 10MSPS 의 변환속도에서 약 46dB의 SNDR 성능특성을 보이며, 유효 칩 면적은 $2000{\mu}m{\times}1100{\mu}m$의 면적을 갖는다.