• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제3권1호
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• pp.29-34
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• 2003

In this paper, we fabricated an 1.8 ㎓ differential VCO using a commercial 0.5 ${\mu}{\textrm}{m}$ SiGe BiCMOS process technology, The fabricated VCO consumes 16 ㎃ at 3 V supply voltage and has a 1.2 $\times$ 1.6 $mm^2$TEX>chip area. A phase noise measured at 100 KHz offset carrier is -110 ㏈c/Hz and a tuning range is 1795 MHz~1910 MHz when two varactor diodes are biased from 0 V to 3 V.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권9호
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• pp.1-8
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• 2005

최근 Mobile용 RF ICs 적용을 위한 RF CMOS 기술과 함께 핵심 기술로 SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 소자 개발의 중요성이 증대되고 있다. 본 논문은 현재 5GHz 동작 수준의 RF제품에서 주로 사용되는 기술인 $0.35\{mu}m$ 설계 Rule을 적용하여 $f_{max}$ 50GHz에서 동작하는 SiGe BiCMOS 기술 개발에 대한 내용을 논의한다. 본 SiGe HBT에 사용하는 에피막 성장 기술은 Trapezoidal Ge base profile 및 non-selective 방식이고, 에미터 RTA 조건 및 SiGe HBT base에 대한 Vertical Profile 최적화를 수행하였다. hFE 100, $f_{T}\;45GHz,\;NF_{min}\;0.8dB$ 수준으로 우수한 특성 및 기술 경쟁력을 갖는 SiGe BiCMOS 공정 개발 및 양산 기술을 확보하였다. 또한, 기존의 0.35um설계 Rule공정 target떼 부합되는 CMOS소자를 포함시켰으며, RF용 Passive소자로 높은 Q값을 갖는 MIM capacitor(1pF, Q>80), Inductor(2nH $Q\~$l2.5)를 제공하였다

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권11호
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• pp.1672-1678
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• 1989

Major problems preventing the device-quality GaAs/Si heterostructure are the lattice mismatch of about 4% and difference in thermal expansion coefficient by a factor of 2.64 between Si and GaAs. Ge is a good candidate for the buffer layer because its lattice parameter and thermal expansion coefficient are almost the same as those of GaAs. As a first step toward developing heterostructure such as GaAs/Ge/Si entirely by a home-built PAE (plasma-assisted epitaxy), Ge films have been deposited on p-type Si (100)substrate by the plasma assisted evaporation of solid Ge source. The characteristics of these Ge/Si heterostructure were determined by X-ray diffraction, SEM and Auge electron spectroscope. PAE system has been successfully applied to quality-good Ge layer on Si substrate at relatively low temperature. Furthermore, this system can remove the native oxide(SiO2) on Si substrate with in-situ cleaning procedure. Ge layer grown on Si substrate by PAE at substrate temperature of 450\ulcorner in hydrogen partial pressure of 10mTorr was expected with a good buffer layer for GaAs/Ge/Si heterostructure.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제29권4호
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• pp.237-242
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• 2004

방사선피폭 후 급성조혈계 손상에 대한 Melatonin과 Ge-132의 방어효과를 8 Gy의 선량으로 급성, 전신피폭 된 마우스에서 연구하였다. Melatonin은 피폭 1시간 전에 200 mg/kg의 용량으로 복강 내 주사하였고, Ge-132는 130 - 150 mg/kg/d의 용량으로 피폭 후 5일째부터 20일째까지 경구복용 시켰다. 방사선방어 효과를 평가하기 위해 비장에서 TUNEL assay를 실시하였고 혈액 내 림프구와 총 백혈구 수치를 측정하였다. 피폭 후 30일째까지의 생존분석을 위해 4 실험군들 (피폭단독군, melatonin 전처치군, Ge-132 후처치군, melatonin 전처치 및 Ge-132 후처치군)에서 날짜경과에 따른 사망을 측정하였다. 피폭단독군과 melatonin 전처치군 간에 세포고사지수 (47.8% vs 45.9%, p=0.385)와 림프구 수치 ($97/{\mu}{\ell}\;vs\;101/{\mu}{\ell}$, p=0.898)에서 차이가 없었으나, 총 백혈구 수치는 melatonin 전처치군에서 유의하게 높은 수치 ($147/{\mu}{\ell}\;vs\;306/{\mu}{\ell}$, p=0.010)를 보였다. 피폭 후 30일째의 생존율은 피폭단독군, melatonin 전처치군, Ge-132 후처치군, 그리고 melatonin 전처치 및 Ge-132 후처치군에서 각각 21.4%, 100%, 35.7%, 그리고 85.7%였다. 실험군들 간의 생존분석에서 melatonin 전처치 군은 피폭단독군(p=0.000)이나 Ge-132 후처치군(p=0.0003)에 유의하게 높은 생존을 보였다. 본 연구결과는 방사선피폭 후 급성조혈계증후군에 대하여 melatonin이 방사선방어제로서 효능을 지님을 보여주고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.66-66
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• 1999

최근 들어 다결정 SiGe은 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)에서 기존에 사용되던 다결정 Si 공정과의 호환성 및 여러 장점으로 인하여 다결정 Si 대안으로 많은 연구가 진행되고 있다. 고농도로 도핑된 P type의 다결정 SiGe은 Ge의 함량에 따른 일함수의 조절과 낮은 비저항으로 submicrometer CMOS 공정에서 게이트 전극으로 이용하려는 연구가 진행되고 있으며, 55$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서도 증착이 가능하고, 도펀트의 활성화도가 높아서 TFT(Thin Film Transistor)에서도 유용한 재료로 검토되고 있다. 현재까지 다결정 SiGe의 증착은 MBE, APCVD, RECVD. HV/LPCVD 등 다양한 방법으로 이루어지고 있다. 이중 HV/LPCVD 방법을 이용한 증착은 반도체 공정에서 게이트 전극, 유전체, 금속화 공정 등 다양한 공정에서 사용되고 있는 방법으로 현재 사용되고 있는 반도체 공정과의 호환성의 장점으로 다결정 SiGe 게이트 전극의 증착 공정에 적합하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 HV/LPCVD 방법을 이용하여 게이트 전극으로의 활용을 위한 다결정 SiGe의 증착 메카니즘을 분석하고 Ex-situ implantation 후 열처리에 따라 나타나는 활성화 정도를 분석하였다. 도펀트를 첨가하지 않은 다결정 SiGe을 주성엔지니어링의 EUREKA 2000 장비를 이용하여, 1000$\AA$의 열산화막이 덮혀있는 8 in 웨이퍼에 증착하였다. 증착 온도는 55$0^{\circ}C$에서 6$25^{\circ}C$까지 변화를 주었으며, 증착압력은 1mtorr-4mtorr로 유지하였다. 낮은 증착압력으로 인한 증착속도의 감소를 방지하기 위하여 Si source로서 Si2H6를 사용하였으며, Ge의 Source는 수소로 희석된 10% GeH4와 100% GeH4를 사용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 Ge 함량은 RBS, XPS로 분석하였으며, 증착된 박막의 두께는 Nanospec과 SEM으로 관찰하였다. 또한 Ge 함량 변화에 따른 morphology 관찰과 변화 관찰을 위하여 AFM, SEM, XRD를 이용하였으며, 이온주입후 열처리 온도에 따른 활성화 정도의 관찰을 위하여 4-point probe와 Hall measurement를 이용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 두게를 nanospec과 SEM으로 분석한 결과 Gem이 함량이 적을 때는 높은 온도에서의 증착이 더 빠른 증착속도를 나타내었지만, Ge의 함량이 30% 되었을 때는 온도에 관계없이 일정한 것으로 나타났다. XRD 분석을 한 결과 Peak의 위치가 순수한 Si과 순수한 Ge 사이에 존재하는 것으로 나타났으며, ge 함량이 많아짐에 따라 순수한 Ge쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다. SEM, ASFM으로 증착한 다결정 SiGe의 morphology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제23권4호
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• pp.581-586
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• 1994

The study was initiated elucidate the mechanism by examining the effect of GE-132 on hepatic glutathione S-transferase (GST) activity. Activity of GST increased with dose-dependent manner in hepatic cytosolic fraction of GE-132 treatment rats. Double reciprocal plotting gave Vmax value 1.4 fold increase by the treatment of GE-132(100mg/kg, p.o.for 6 weeks) compared with control group, but did not change Km value. Ethacryinc acid (85mg/kg, once a day, i.p) was injected to control rat, the GST activity decreased remarkably . However, GE-132 pretreated group, the effect caused by ethacrynic acid was markedly reduced. And activity of ${\gamma}$-glutamylcys- teine synthetase was not changed either by GE-132 treatment , but the activity of glutathione reudctase increased significantly. Decreasing properties of ethacrynic acid decreased level of hepatic glutathione , which was restored to same degree by GE -132 pretreatment . GE-132 protective effect on ethacrynic acid-induced mortality. It is concluded that the efect of GE-132 is partly mediated by increase in hepatic GST activity.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.64.2-64.2
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• 2011

Recently, Silicon Germanium (SiGe) alloys have been received considerable attention for their great potentials in advanced electronic and optoelectronic devices. Especially, microcrystalline SiGe is a good channel material for thin film transistor due to its advantages such as narrow and variable band gap and process compatibility with Si based integrated circuits. In this work, microcrystalline silicon-germanium films (${\mu}c$-SiGe) were deposited by DC/RF magnetron co-sputtering method using Si and Ge target on Corning glass substrates. The film composition was controlled by changing DC and RF powers applied to each target. The substrate temperatures were changed from $100^{\circ}C$ to $450^{\circ}C$. The microstructure of the thin films was analyzed by x-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy. The analysis results showed that the crystallinity of the films enhances with increasing Ge mole fraction. Also, crystallization temperature was reduced to $300^{\circ}C$ with $H_2$ dilution. Hall measurements indicated that the electrical properties were improved by Ge alloying.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.369-369
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• 2010

Adsorption and ordering of methionine molecules on Ge(100) surface have been studied using high resolution photoemission spectroscopy and low-energy electron diffraction (LEED) to investigate the adsorption structure as a function of coverage. Analysis of C 1s, S 2p, N 1s, and O 1s core levels reveals quite different according to methionine coverage. We found that the relative population of the two types of thiolates induces a structural change in the ordering from $2\;{\times}\;1$ to $1\;{\times}\;1$. Such an unusual evolution of the methionine adsorption on the Ge(100) surface is discussed in relation to chemical reactions and possible molecular rearrangement on the surface.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.137-137
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• 2013

The most stable adsorption structures and their corresponding energies of 4-pyridone, 4-hydroxypyridine, 2-pyridone and 2-hydroxypyridine have been investigated by Density Functional Theory (DFT) calculation method and high-resolution photoemission spectroscopy (HRPES). We confirmed that between the two reaction centers of 4- and 2-pyridone, only O atom of carbonyl functional group can act as a Lewis base and thus, O dative bonding structure is the most stable. On the other hand, we clarified that both the two reaction centers (the cyclic N atom and the O atom of hydroxyl functional group) of 4- and 2-hydroxypyridine (tautomers of 4- and 2-pyridone) can successfully function as a Lewis base. Through the interpretation of the N 1s and O 1s core level spectra obtained using HRPES, we could confirm the electronic structures and bonding configurations of these molecules with a coverage dependence on the Ge(100) surface.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.60-60
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• 2003

디자인 룰에 의해 Gate Length 가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 Gate delay 감소와 Switch speed 향상을 위해 보다 더 큰 drive current 를 요구하게 되었다. 본 연구는 dirve current 를 증가시키기 위해 고안된 Strained Si substrate 를 만들기 위한 SiGe layer 성장에 관한 연구이다. SiGe layer를 성장시킬 때 SiH$_4$ gas와 GeH$_4$ gas를 furnace에 flow시켜 Chemical 반응에 의해 Si Substrate를 성장시키는 LPCVD(low pressure chemical vapor depositio)법을 사용하였고 SIMS와 nanospec을 이용하여 박막 두께 및 Ge concentration을 측정하였고, AFM으로 surface의 roughness를 측정하였다. 본 연구에서 우리는 10,20,30,40%의 Ge concentration을 갖는 10nm 이하의 SiGe layer를 얻기 위하여 l0nm 이하의 fixed 된 두께로 SiGe layer를 성장시킬 때 temperature, GeH$_4$ gas pre-flow, SiH$_4$ 와 GeH$_4$의 gas ratio를 변화시켜 성장시킨 후 Ge 의 concentration과 실제 형성된 두께를 측정하였고, SiGe의 mole fraction의 변화에 따른 surface의 roughness 를 측정하였다. 그 결과 10 nm의 두께에서 temperature, GeH$_4$ gas pre-flow, SiH$_4$ 와 GeH$_4$ 의 gas ratio의 변화와 Ge concentration 과의 의존성을 확인 할 수 있었고, SiGe 의 mole traction이 증가하였을 때 surfcace의 roughness 가 증가함을 알 수 있었다. 이 연구 결과는 strained Si 가 가지고 있는 strained Si 내에서 n-FET 와 P-FET사이의 불균형에 대한 해결과 좀 더 발전된 형태인 fully Depleted Strained Si 제작에 기여할 것으로 보인다.