Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2003.11a
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- Pages.60-60
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- 2003
Effect of temperature, $GeH_4$ gas pre-flow, gas ratio on formation of SiGe layer for strained Si
Strained Si를 만들기 위한 SiGe layer 형성에 temperature, $GeH_4$ gas pre-flow, gas ratio가 미치는 영향
Abstract
디자인 룰에 의해 Gate Length 가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 Gate delay 감소와 Switch speed 향상을 위해 보다 더 큰 drive current 를 요구하게 되었다. 본 연구는 dirve current 를 증가시키기 위해 고안된 Strained Si substrate 를 만들기 위한 SiGe layer 성장에 관한 연구이다. SiGe layer를 성장시킬 때 SiH
Keywords