• 한국전자통신학회논문지
• /
• 제6권4호
• /
• pp.545-552
• /
• 2011

본 논문에서는 일반적인 플레쉬 ADC에서 저항열을 이용하여 기준전압을 생성한 것과는 달리, 부유게이트를 이용하여 기준전압을 생성한다. 제안된 플레쉬 ADC를 포함하는 파이프라인 ADC에서 행위모델 시뮬레이션을 수행했을 때 생성된 상기 플레쉬 ADC를 포함하는 파이프라인 ADC의 SNR은 약 77 dB, 해상도는 12 bit이고, 90 % 이상이 ${\pm}0.5$ LSB 이내의 INL을 보여주고 있으며, INL과 마찬가지로 90 % 이상이 ${\pm}0.5$ LSB 이내의 DNL 결과를 보였다.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
• /
• 제19권3호
• /
• pp.251-260
• /
• 1998

홀터 심전계는 심장 이상으로 인한 급사 위험이 있는 환자를 위한 비관혈인 진단 장비이다. 본 연구에서는 일상생활 중에 심전도 데이터를 획득할 수 있도록 원칩 마이크로프로세서와 대용량메모리인 플레쉬 메모리(flash memory) 카드를 이용하여 2채널의 홀터 심전계를 설계하였다. 시스템 하드웨어는 크게 원칩 마이크로프로세서(68HC11E9)의 아날로그 심전도 처리회로, 플레쉬 메모리 카드로 구성하였다. 아날로그 심전도 처리회로는 250,500,1000의 이득을 갖는 증폭기와 0.05-100Hz의 대역폭을 갖는 대역통과 필터, 호흡으로 인한 기저선의 이동을 제거하기 위한 auto-balancing 회로와 포화-보정회로를 사용하였다. 심전도 신호는 240샘플/초 샘플링하여 A/D 변환하였다. 심전도는 필터링 및 전처리 과정을 통하여 특징점인 Q-R-T파를 검출하고, 이를 근거로 템플리트 생성, ST레벨, 심박수, QT간격 측정과 부정맥을 검출하였다. 또한 장시간동안의 심전도 데이터와 측정된 진단파라미터를 저장하기 위해 실시간 압축 알고리즘인 MFan과 delta modulation 방법을 이용하여 데이터를 압축, 저장하였다. 20M 바이트 용량의 플레쉬 메모리 카드에 기록된 데이터는 PC의 DOS나 Windows 환경의 ambulatory monitoring 분석시스템과 쉽게 인터페이스가 가능하도록 FFS(Flash File System)의 호환 가능한 SBF(Symetric Block format)포맷으로 저장하여 분석시스템에서 데이터 처리 및 관리할 수 있게 하였다.

• 한국산업정보학회논문지
• /
• 제20권4호
• /
• pp.103-109
• /
• 2015

본 논문은 MCU에 내장된 플레쉬 메모리의 오동작 테스트를 shmoo 테스트 기법을 사용하고, 이 기능을 내장한 롬라이트 개발에 관한 논문이다. shmoo 테스트는 다양한 입력조건에 대한 응답을 도표로 나타내고 분석하는 기법으로, 마이크로프로세서, ASIC 및 메모리와 같은 집적회로 또는 컴퓨터 시스템의 성능분석의 기법으로 사용된다. 개발된 롬라이터는 Shmoo 검사를 수행하고 Flash 32K의 쓰기를 수행하였을 때 6.4s 정도의 시간이 소요되었으며, 이는 현재 사용하고 있는 ROM Writer의 속도에 비해 약 20% 정도 향상되었다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제50권4호
• /
• pp.239-245
• /
• 2013

멀티 레벨 낸드 플레쉬 메모리에서 주위 셀의 문턱 전압상태에 따른 데이터 유지 특성을 연구하였다. 열을 가해 셀의 데이터 보전특성을 판정하는 열적 열하 특성에서 주목하는 셀의 문턱 전압이 변화하는데 문턱전압의 변화는 선택된 셀 주위에 있는 셀들이 가장 낮은 문턱 전압 상태로 있는 셀들의 수가 많을수록 커진다. 그 이유는 전하의 손실이 이루어지는 낸드 플레쉬 셀의 본질적인 특성 뿐 아니라, 주위 셀 사이의 측면 전계 때문이다. 전계에 대한 모사 결과로부터 전계의 증가 현상을 발견할 수 있고, 이로 인한 전하의 손실이 소자 스케일 다운에 따라 더 증가함을 알 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2019년도 춘계학술대회
• /
• pp.323-324
• /
• 2019

Ge-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 구조를 가진 플레쉬 메모리 소자에 대해 프로그래밍 전압에 따른 문턱 전압의 변화를 조사했다. 프로그래밍 전압은 10V, 12V, 15V, 16V, 17V을 인가하였고 1초 동안 프로그래밍을 진행했다. 10V에서 12V까지는 문턱전압은 약 0.5V로 프로그램 전과 크게 다르지 않고, 15V, 16V, 17V에서 문턱전압이 각각 1.25V, 2.01V, 3.84V로 프로그램 전과 0.75V, 1.49V, 3.44V 차이가 발생했다.