메틸 메타크릴레이트 분자를 전구체로 사용하여 원격 플라즈마 방식으로 중합체를 합성하는 반응에서 플라즈마 출력, 반응 압력 및 직접-간접 플라즈마 방식이 필름의 성장속도 및 화학결합 구조에 미치는 영향을 조사하였으며, FT-IR, XPS 등 분광학적 분석과 Langmvir 탐침을 사용한 플라즈마 특성 진단 결과와 함께 고찰하였다. 플라즈마 출력과 반응 압력이 증가하면 성장속도가 증가하지만 특정 영역을 넘어서면 식각 효과와 잦은 충돌로 인해 활성화 효율이 낮아져 다시 감소하였다. 중합 필름의 FT-IR과 XPS 분석 결과, 필름 내 탄소/산소 조성비는 플라즈마 출력이 커질수록 증가하였으며, 탄화수소성 C-C 탄소 조성비는 증가하는 반면 에스터성 COO 탄소 조성비는 감소하였다. 직접 플라즈마법이 간접 플라즈마법에 비해 필름의 성장속도는 2~5배 빠르지만, 전구체의 분자 구조를 유지하기 위해서는 간접 플라즈마법이 유리함을 확인하였다.
연구목적은 복합레진 중합 광원에 따른 치수강 온도 변화를 관찰하는 것이었다. 연구에 사용된 광중합기는 일반 플라즈마아크 광중합기, 저발열 플라즈마 아크 광중합기, 저출력 할로겐 광중합기, 저출력 LED 광중합기, 고출력 LED 광중합기의 다섯 개이었다. K-type thermocouple 온도계를 사용하여, 중합기 light guide tip에서의 온도를 측정하고, 잔존 상아질 두께가 1mm가 되도록 형성한 유구치 와동에 상아질 접착제만 도포한 군, ionomer glass를 함유한 base 또는 calcium hydroxide를 함유한 base를 0.5mm두께로 이장한 군에서 각각 레진 충전 전과 후의 치수강내 온도를 측정하였다. 중합기 light guide tip에서 측정한 온도는 일반 플라즈마가 $52.94^{\circ}C$로 가장 높았고, 저출력 LED가 $26.14^{\circ}C$로서 가장 낮았다. 레진충전 전의 치수강내 온도는 고출력 LED가 $41.60{\sim}43.34^{\circ}C$로 가장 높았고, 저출력 LED는 $36.50{\sim}36.76^{\circ}C$로서 가장 낮았다. 레진 충전 후의 치수강내 온도는 고출력 LED가 $40.22{\sim}40.94^{\circ}C$로 가장 높았고, 저발열 플라즈마와 저출력 LED는 온도 상승이 없었다. Base의 사용은 부분적인 열 차단 효과가 있었다.
정전결합 유동가스형 플라즈마 중합장치를 이용하여 여러가지 모노머에 대한 유기고분자 박막을 빗모양 전극위에 형성하고 이들 박막의 감습특성을 검토하기 위해 주파수범위를 60[kHz]-100[kHz]로 변화시켜 가면서 상대습도 20-90[%RH]범위에서 정전용량의 변화를 측정하였다. 상대습도가 증가함에 따라 정전용량은 일반적으로 증가했으며 방전조건중 방전전력이 낮을수록 그리고 중합시간이 짧을수록 정전용량의 증가폭이 크게 나타났다. 그리고 정전용량 측정시 박막에 인가한 전원의 주파수가 낮을수록 정전용량의 변화에 대한 선형성과 증가폭이 분명함을 알았다.
본 연구는 기존의 할로겐광(XL 3000, 3M, U.S.A.)과 비교하여 새로운 중합광원인 플라즈마광(Flipo, LOKKI, France)과 Light Emitting Diode(이하 LED, Elipar Free light, 3M, U.S.A.)광의 효율성을 평가할 목적으로 시도되었다. 이에 본 연구에서는 첫째, 일정 광도 하에서 플라즈마광과 LED광의 중합시간에 따른 중합도의 변화를 검토하여 할로겐광의 미세경도와 유사한 광조사 시간을 알아보고, 둘째, 중합반경에 따라 균일한 중합이 이루어지는지를 보기 위해 광조사 부위의 중심부와 외측 변연부에서의 중합도의 차이를 비교하였다. 2mm 두께의 복합레진 시편의 상면과 하면의 미세경도의 측정을 통해 중합도를 평가, 비교해 본 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. Z-100의 미세경도 측정치 비교에서, 대조군인 할로겐광을 40초 적용한 경우는, 플라즈마광 6-9초, LED광 40-60초를 적용한 경우와 유사하였다(P>0.05). 2. Tetric Flow의 미세경도에서는 대조군인 할로겐광을 40초 적용한 경우, 플라즈마광 9초, LED광 40-60초를 적용한 경우와 유사하였다(P>0.05). 3. Dyract AP의 경우, 할로겐광 40초를 조사한 것은, 플라즈마광 6-9초, LED광 20-40초를 적용한 경우와 유사하게 나타났다(P>0.05). 4. Fuji II LC에서는 할로겐광을 40초 적용한 경우가, 플라즈마광 9초, LED광 20-60초를 적용한 경우와 유사하게 나타났다(P>0.05). 5. Fuji II LC를 제외한 모든 시료에서 할로겐, 플라즈마, LED광 모두 시편의 중앙에서 외측으로 갈수록 미세경도는 유의하게 감소되었다(p<0.05).
플라즈마중합 에틸메타아크릴레이트(PPMMA) 박막의 유전특성인 유전정접(tan .delta.)과 정전용량(C)을 관측하고 산화와 열처리 및 플라즈마처리로 인한 PPMMA의 tan .delta.와 C의 변화에 대하여 연구하였다. 측정온도 25.deg.C, 측정주파수 1KHz에서 1MHz의 범위에서 PPMMA 박막은 CO와 -OH같은 산화물의 생성으로 인하여 tan .delta. 와 C는 증가하고 tan .delta.는 측정주파수 내에서 피이크를 형성한다. 이는 PPMMA내에 잔류하는 저분자량 성분과 자유라디칼의 존재와 공기중에서의 산화가 그 원인이라 할 수 있다. 본연구에서는 PPMMA박마그이 열처리 및 플라즈마처리를 하여 저분자량 성분과 라디칼을 제거하고 산화를 방지하여 박막의 유전특성을 개선하였다.
목적: 마이코플라즈마폐렴균은 비말감염을 통해 경한 상기도 감염부터 기관지염이나 폐렴까지 일으키는 주요 병원체이다. 마이코플라즈마폐렴균 감염의 호발 연령은 통상적으로 학동기로 알려져 있으나 연령이 어려지고 있다는 보고들이 있었다. 인천의 한 3차 병원에서 호흡기 감염증으로 입원한 환자들 중에서 마이코플라즈마폐렴 감염 환자의 최근 연령분포를 확인하고자 하였다. 또한 이들 진단된 환자들에서의 검사법에 따른 진단적 유용성의 차이를 확인하고자 하였다. 방법: 2016년 7월부터 2019년 2월까지 0세에서 18세 사이의 호흡기 감염질환 환자들 중 비인두 마이코플라즈마폐렴균 중합효소연쇄반응검사 또는 마이코플라즈마폐렴균 특이 IgM 항체 검사를 시행한 환자들의 의무 기록을 후향적으로 조사하였다. 마이코플라즈마폐렴균 감염의 진단은 중합효소연쇄반응검사 또는 특이 IgM 항체 양성인 경우로 하였다. 결과: 마이코플라즈마폐렴균에 대한 검사를 IgM 또는 중합효소연쇄반응검사를 시행한 환자는 총 2,721명이었다. 둘 중의 한 검사라도 시행한 사람 중에 2,197명이 IgM을, 1,144명이 중합효소연쇄반응검사를 하였고 각각 17%, 20%에서 양성이었다. IgM과 중합효소연쇄반응검사를 동시에 검사한 환자는 총 620명이었고 이 중 35%에서 마이코플라즈마폐렴균 감염이 확인되었고 1세 미만에서 14%, 1-2세 미만에서 13%에서 양성이었다. 나이가 많을수록 마이코플라즈마폐렴균 양성률이 두 검사에서 다 높게 나타났다. 3세 이전에 IgM 검사에서, 3세 이후에서 중합효소연쇄반응검사에서 양성률이 높았다. 두 검사의 일치율은 77.9% (Cohen's kappa 0.402)로 적당한 일치율을 보였다. 결론: 연령이 증가할수록 마이코플라즈마폐렴균의 양성률은 높아졌음을 알았고, 생후 2세 미만의 환자에서 검사법에 따라서 4-14% 정도의 감염을 확인할 수 있었다. 중합효소연쇄반응검사와 항체 검사의 일치도가 적당한 일치도를 보이고 있어 진단을 위해 처음부터 무분별하게 IgM 항체 검사와 중합효소연쇄반응 검사를 동시에 진행할 필요성이 낮음을 보여주고 있다.
유기물 중에서 광기능성을 가지는 벤젠, 비닐 피리딘 및 스티렌 단량체를 채택하였다. 내정전결합 유동가스형 중합장치를 사용하여 플라즈마 박막을 제조하였으며 이들의 광학특성을 분석하였다. 중합시간, 압력 및 단량체 유량을 일정하게 유지하고 방전전력을 증가시키면 스티렌 박막의 중합률은 선형적으로 증가하나 벤젠 및 비닐 피리딘 박막의 증합률은 비선형적으로 증가한다. 그리고 파장이 변화에 따른 굴절률은 1.55~1.65 정도를 나타냈다. 박막의 굴절률은 방전전력의 증가에 따라 감소하게 된다. 또한 굴절률의 변화에 대한 소멸계수(K)의 계산이 $10^{-3}$정도의 범위에 있으므로 측정 결과가 타당함을 알 수 있다.
The purpose of this paper is to describe an application of plasma polymerized thin film as an electron beam resist. Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode capacitively coupled gas-flow-type reactor, and chosen methylmethacrylate(MMA)and methylmethacrylate-tetrameth-yltin(MMA-TMT) as a monomer. This thin films were also delineated by the electron-beam apparatus with an acceleration voltage of 30kV and an expose dose ranging from 20 to 900$\mu$C/cmS02T. The delineated pattern in the resist was developed with the same reactor which is used for polymerization using an argon as etching gas. The growth rate and etching rate of the thin film is increased with increasing of discharge power. Thin films by plasma polymerization show polymerization rate of 30~45($\pm$3) A/min, and etching rate of 440($\pm$30) A/min during Ar plasma etching at discharge power of 100W. In apparently lower than that of conventional PMMA, but the plasma-etching rate of PP(MMA-TMT) was higher than that of PPMMA.
본 연구에서는 기존의 할로겐 광중합기를 이용하여 40초간 조사하여 복합레진을 중합한 경우와 플라즈마 광중합기를 이용한 고강도의 중합 및 완속기시 중합 방식, 그리고 LED 광중합기를 이용한 통법의 중합과 완속기시 중합 방식으로 복합레진을 중합하여 발생되는 수축응력을 비교하고 미세경도를 측정하여 중합도를 평가하였다. 내경 7mm, 외경 10mrn의 아크릴릭 주형을 제작하고 외면에 스트레인게이지를 부착시킨 뒤 각각의 광원에 따른 중합모드로 광중합 하였다. 광조사 시점부터 1초 간격으로 600초간 수축응력을 측정하였으며, 중합 24시간 후 각 군의 미세경도를 측정하여 통계 분석하였다. 수축응력 측정 후 시편을 종단하여 주사전자현미경으로 레진수복물과 아크릴릭 주형 계면을 관찰하였다. 이상의 실험을 통해 얻은 결과는 다음과 같다. 1. 플라즈마 광과 LED 광원의 완속기시 중합방식은 각각의 기본 중합방식에 비해 중합 10분 후에 수축응력 감소를 보였다(P<0.05). 2. 완속기시 중합방식의 플라즈마 광이 가장 낮은 수축응력을 보였으나 미세경도 또한 가장 낮았다(P<0.05). 3. 완속기시 중합방식의 LED 광중합은 기존의 할로겐 광과 LED 광중합 방법에 비하여 낮은 수축응력을 보였다(P<0.05). 4. 완속기시 중합방식의 LED 광으로 조사한 시편의 미세경도는 단일광도로 조사한 할로겐 광과 LED 광중합과 비교하여 유의할만한 차이가 나타나지 않았다(P>0.05). 5. 기존의 할로겐 광과 완속기시 중합방식의 LED로 중합한 시편이 플라즈마 광과 단일강도의 LED로 조사한 군보다 더 나은 변연봉쇄를 보였다.
In this paper, we study on the plasma polymerized styrene as a negative electron-beam resist. Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode inductively coupled gas-flow type reactor. We show that polymerization parameters of thin film affect sensitivity and etching resistance of the resist. Molecular weight distribution of plasma polymerized styrene is 1.41-3.93, and deposition rates of that are 32-383[.angs./min] with discharge power. Swelling and etching resistance becomes . more improved with increasing discharge power during plasma polymerization. Etch rate by RIE is higher than that by plasma etching.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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