In this paper, the optimal performance of optical second-order polarization mode dispersion (PMD) compensation has been investigated theoretically in terms of minimization of the root-mean-square (RMS) pulse broadening. The optimal compensation vector in feedforward-type second-order PMD compensation has been derived, and the RMS pulse broadening factor after the optimal second-order PMD compensation has been analytically calculated. The calculated result has been compared with the previously reported simulation result where numerically optimized feedback scheme was adopted. They are in good agreement, which verifies the validity of the derivation. The investigation in this work will form the basis for the implementation of the feed-forward-type second-order PMD compensation.
이 논문에서는 구름과 같은 기상 상태의 제약 없이 자료 획득이 가능한 SAR 자료를 이용하여 토지 피복 특성을 구분하고자 하였다. 기존 단일 주파수, 편광 상태의 자료만을 제공하는 SAR 자료를 이용한 분류에서의 낮은 분류 정확도를 향상시키고자 이 논문에서는 다중 시기 C 밴드 자료이면서 서로 다른 편광 상태의 자료를 제공하는 Radarsat-1(HH)와 ENVISAT(VV) 자료를 분류에 이용하였다. 분류 기법으로 Random Forests를 적용한 결과, 단일 편광 상태의 자료만을 이용하였을 때에 비해서 보다 향상된 분류 정확도를 얻을 수 있었다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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1995.06a
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pp.35-41
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1995
광전송 초고속화되면서 광전송시스팀의 성능에 영향을 미치는 여러 가지 물리적 현상 중에서 광섬유의 편광모드분산에 관하여 고찰하였다. 단일모드 광섬유의 편광특성 해석은 Principal States of Polarization의 변화에 대한 확률모델로서 Maxwellqnsvh를 갖는 확률분포함수를 적용하였다. 이 가정하에서 IM/DD 광통신시스팀에서 편광모델로부터 시스템의 페이딩 특성을 예측하고 이를 기준으로 전송용량의 한계 및 미래의 대용량 광전송시스팀의 전송방식에 대해서도 검토하였다.
액정 디스플레이(LCD)의 핵심 재료인 편광필름은 제조 과정이나 운반 과정에서 실오라기 같은 이물 및 찍힘 등의 결함이 발생하며 이를 사람이 육안으로 검사하고 있다. 본 논문에서는 이런 편광필름의 결함을 자동으로 검출하기위한 방법으로 히스토그램의 통계적 모멘트를 사용하여 주변 밝기에 따라 검사 영역의 밝기의 기울기를 구하고, 이를 통해 결함의 유무를 판단하는 편광필름 검사 방법을 제안한다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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1994.11a
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pp.98-98
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1994
최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.63-63
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2012
편광분석법(ellipsometry)은 대상 물질의 유전율 함수의 실수부와 허수부를 Kramers-Kronig 관계식의 도움 없이 그 물질상수를 정확히 측정할 수 있는 매우 우수한 기술이다. 이 기술의 큰 장점 중 하나는 빛의 편광상태의 변화를 이용한 비파괴적인 방법으로써 실시간 측정이 가능하며, 박막의 두께측정의 오차범위는 0.1 nm 이하로써 매우 정확하다는 것이다. 본 연구자는 이러한 우수한 측정 기술인 편광분석법을 고진공의 분자살박막증착장치(MBE) 와 결합하여 AlSb, AlP의 유전율 함수를 측정하였다. Al 계열을 포함하는 반도체 화합물은 Al의 산소친화력이 강해 대기 중에서 순수한 유전율 함수를 얻기가 불가능하다. 하지만 본 연구실에서 초고진공 상태의 MBE 챔버에서 시료를 성장시키는 동시에 실시간으로 편광분석기를 이용하여 측정하였고, 지금까지 발표된 결과들 중 가장 순수한 상태의 AlSb 유전율 함수를 얻어낼 수 있었다. 또한 순수한 AlP의 유전함수를 측정할 수 있었고, 이는 편광분석기를 이용한 최초의 실험결과로써 이차미분을 이용한 전이점 분석결과 이론적인 전자밴드구조에서 E1, E1+${\Delta}1$, E2에 해당하는 밴드갭들을 확인할 수 있었다. 또한 표면의 원자배열 구조와 실시간으로 일어나는 그들의 역학적인 현상들에 관한 정보를 얻을 수 있는 surface photoabsorption (SPA)를 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)에 장착하여 실시간 모니터링이 가능하도록 하였다. SPA를 이용하여 GaAs/AlGaAs 양자우물구조의 성장을 원자층 수준으로 실시간 모니터링을 할 수 있었다. 그리고 SPA를 이용하여 MOCVD 안에서 InP에 As가 흡착 및 탈착되는 현상을 분석하여, As의 흡착이 두 단계에 의해 이루어짐을 분석하였다. 그리고 편광분석법의 빠르고 정확한 측정 기술을 규칙적인 구조체에서 전자기파의 회절을 구할 수 있는 Rigorous Coupled-Wave Analysis (RCWA) 계산방법과 결합하여 나노구조의 기하학적인 모양을 정확하고 빠르게 구할 수 있었다. 본 연구를 위해 규칙적인 3차원 Si 구조체 제작하여 편광분석기로 측정하고 $SiO_2$와 표면 거칠기를 고려하여 RCWA로 분석한 결과, 규칙적인 Si 구조와 산화막 층까지 정확하게 분석할 수 있음을 확인하였다. 또한 규칙적인 나노구조분석 연구를 넘어 불규칙적인 나노구조에 대한 분석 가능성을 보이기 위해 InAs 양자점을 증착하여 분석하였고, 이를 통해 편광분석법과 RCWA를 이용하여 불규칙적인 나노구조의 모양과 크기, 분포의 분석이 가능함을 보였다.
To enhance the resolution and the depth of focus of the patterns whose size reaches the optical resolution limits, the various imaging methods are being tried. Generally in the linear polarization illumination methods, the contrast gap exists between TE mode TM mode according to the pattern direction. However, through the previous research, the elliptical polarization illumination(EPI) method was proposed to overcome this contrast gap. In this research, we investigated the optimal polarization condition to be able to enhance the depth of focus(DOF) for the optional mask which is containing the opposite direction patterns by applying the various polarization conditions including EPI. The DOF according to each polarization condition was obtained by ED-Tree(Exposure-Defocus Tree) for the given exposure dose and CD error boundaries. As the result, we can ascertain th effect of EPI for the enhancement of DOF in some condition of optical system.
We have studied the effects of interface on polarization dependence of waveguide and designed the polarization independent 2-dimensional waveguides on InP for arrayed waveguide grating. To figure out the effects of interface on polarization dependence, we have solved the 1-dimensional wave equation using a transfer matrix method. It is shown that the birefringence becomes stronger as the number of interfaces increases. In order to design polarization independent 2-dimensional waveguides, we have used effective index method. The structures considered are ridge type, raised strip type, and buried type waveguide. In the cases of ridge and raised strip type, conventional effective index method was used. In the case of buried type corrected effective index method was used. We have determined the height and width of waveguides such that the waveguides become polarization independent.
A division-of-amplitude type photopolarimeter has been constructed for the analysis of the dynamic optical characteristics of liquid crystal panels, one of the essential components of liquid crystal displays. In this instrument an incoming light ray, whose state of polarization is to be determined, is divided into three rays of nearly same intensities and of identical polarization state by using NPBS'(non-polarizing beam splitters). Each of the three rays is further divided into two components of orthogonal polarization states by using a PBS(polarizing cube beamsplitter) or by using a combination of a quater wave plate followed by a PBS. The intensity of each ray is measured by using a photodiode to produce a set of six photo-signals, which in turn are converted into four Stokes parameters describing the state of polarization of the incoming ray. Performance test of the insrument shows that its time resolution is 80 $mutextrm{s}$, accuracy $\pm$0.3 degrees when the state of polarization of the incoming ray is representated on the Poincare sphere.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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