• 제목/요약/키워드: 캐리어백

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유성기캐리어팩 전달오차 측정 장비 개발에 관한 연구 (Research for a Development of the Test Equipment for Transmission Error of the Planetary Gear Carrier Pack)

  • 이현구;도종구;유동규;원광민;정시득;이태휘
    • 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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    • 한국소음진동공학회 2014년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.348-349
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    • 2014
  • In general, there has been a lot of research concerned about the gear noise known to be proportional to gear transmission error for external gears likewise spur, helical gear, and hypoid gears. But, In the case of planetary gear set, gear noise study is insufficient because of the difficulty of designing, manufacturing, and understanding of the its mechanical system. This study is aimed to develop the transmission error measurement equipment for the planetary gear sets used in the automatic transmission. By comparing the results of the transmission error and noise objectively, user could select the optimized planetary gear set which has quiet noise level before manufacturing the automatic transmission.

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DDIC 칩의 정전기 보호 소자로 적용되는 GG_EDNMOS 소자의 고전류 특성 및 더블 스냅백 메커니즘 분석 (High Current Behavior and Double Snapback Mechanism Analysis of Gate Grounded Extended Drain NMOS Device for ESD Protection Device Application of DDIC Chip)

  • 양준원;김형호;서용진
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.36-43
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    • 2013
  • 본 논문에서는 고전압에서 동작하는 DDIC(display driver IC) 칩의 정전기 보호소자로 사용되는 GG_EDNMOS 소자의 고전류 특성 및 더블 스냅백 메커니즘이 분석되었다. 이온주입 조건을 달리하는 매트릭스 조합에 의한 수차례의 2차원 시뮬레이션 및 TLP 특성 데이타를 비교한 결과, BJT 트리거링 후에 더블 스냅백 현상이 나타났으나 웰(well) 및 드리프트(drift) 이온주입 조건을 적절히 조절함으로써 안정적인 ESD 보호성능을 얻을 수 있었다. 즉, 최적의 백그라운드 캐리어 밀도를 얻는 것이 고전압 동작용 정전기보호소자의 고전류 특성에 매우 중요한 영향을 주는 임계인자(critical factor)임을 알 수 있었다.

DFWMAC의 고속처리를 위한 회로 설계 및 구현 (Design and Implementation of High Performance DFWMAC)

  • 김유진;이상민;정해원;이형호;기장근;조현묵
    • 한국통신학회논문지
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    • 제26권5A호
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    • pp.879-888
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    • 2001
  • 본 논문에서는 무선 LAN의 MAC 계층 프로토콜을 고속으로 처리하는 MAC 기능 칩을 개발하였다. 개발된 MAC 칩은 CPU와의 인터페이스를 위한 제어 레지스터들과 인터럽트 체계를 가지고 있으며, 프레임 단위로 송수신 데이터를 처리한다. 또한 PFDM 방식 물리계층 모뎀을 위한 직렬전송 인터페이스를 가지고 있다. 개발된 MAC 칩은 크게 프로토콜제어기능 블록, 송신기능 블록 및 수신기능 블록 등으로 구성되었으며, IEEE 802.11 규격에 제시된 대부분의 DCF 기능을 지원한다. 구현된 MAC 칩의 동작을 검증하기 위해 RTS-CTS 절차 기능, IFS(Inter Frame Space) 기능, 액세스 절차, 백오프 절차, 재전송 기능, 분할된(fragmented) 프레임 송수신 기능, 중복수신 프레임 검출 기능, 가상 캐리어 검출기능(NAV 기능), 수신에러 발생 경우 처리 기능, Broadcast 프레임 송수신 기능, Beacon 프레임 송수신 기능, 송수신 FIFO 동작 기능 등을 시뮬레이션을 통해 시험하였으며, 시험 결과 모두 정상적으로 동작함을 확인하였다. 본 논문을 통해 개발된 MAC 기능 칩을 이용할 경우 고속 무선 LAN 시스템의 CPU 부하(load)와 펌웨어의 크기를 크게 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

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POWER MOS FET를 사용한 계단파 PWN 인버터에 관한 연구 (A Study on Staircase PWN Inverter Using Power MOS FET)

  • 이성백;구용회;이종규
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제1권2호
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    • pp.70-73
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    • 1987
  • 본 연구에서는 의사사인(Sine) 방식을 사용한 간단한 계단파 PWN을 소개하였다. 제어기의 구성은 기본파 성분인 Sine값을 계단 레벨로 분할하고 각각의 값을 디지탈 합성하여 3상 PWN 인버터를 구성하였다. 3상 출력 펄스는 캐리어 주파수를 일정하게하고 기본파만 변화시켜 낮은 주파수에서 고조파 감소 효과를 얻어냈다. 실험으로는 스위칭 주파수가 20[KHz]일때 0.5마력 유도 전동기 구동을 실행하였다.

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고능률 고정밀 래핑 장비의 개발

  • 김동석;하상백;이상직
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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    • pp.33-33
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    • 2004
  • 래핑은 상하정반 사이에 공작물과 공작물을 지지할 수 있는 캐리어를 삽입하여 유성치차운동 방식으로 가공하는 것으로, 오래 전부터 산업전반에 걸쳐 널리 사용되어 왔다. 래핑의 특징은 한번에 많은 수의 공작물을 가공할 수 있어 가공능률이 우수하고, 높은 형상 정밀도를 확보할 수 있을 뿐만 아니라 가공부의 표면 거칠기가 양호하고 가공 변질층이 작다는 이점을 가지고 있다. 특히 박판 형상의 가공물이나 경도에 비해 강도가 취약한 경취성 재질의 가공물을 정밀하고 효과적으로 가공할 수 있기 때문에 최근에는 정밀 기계산업 분야 이외에도 광통신 산업, 반도체 산업, 디스플레이 산업 등에서 그 활용이 점차 증가하고 있는 추세이다.(중략)

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Large grain을 가지는 LTPS TFT의 Gate bias stress에 따른 소자의 특성 변화 분석

  • 유경열;이원백;정우원;박승만;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.429-429
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    • 2010
  • TFT 제조 방법 중 LTPS (Low Temperature Polycrystalline Silicon)는 저온과 저비용 등의 이점으로 인하여 flat panel display 제작에 널리 사용된다. 이동도와 전류 점멸비 등에서 이점을 가지는 ELA(Excimer Laser Annealing)가 널리 사용되고 있지만, 이 방법은 uniformity 등의 문제점을 가지고 있다. 이를 극복하기 위한 방법으로 MICC(Metal Induced Capping Crystallization)이 사용되고 있다. 이 방법은 $SiN_x$, $SiO_2$, SiON등의 capping layer를 diffusion barrier로 위치시키고, Ni 등의 금속을 capping layer에 도핑 한 뒤, 다시 한번 열처리를 통하여 a-Si에 Ni을 확산시키킨다. a-Si 층에 도달한 Ni들이 seed로 작용하여 Grain size가 매우 큰 film을 제작할 수 있다. 채널의 grain size가 클 경우 grain boundary에 의한 캐리어 scattering을 줄일 수 있기 때문에 MIC 방법을 사용하였음에도 ELA에 버금가는 소자의 성능과 안정성을 얻을 수있었다. 본 연구에서는 large grain TFT의 Gate bias stress에 따른 소자의 안정성 측정 및 분석에 목표를 두었다.

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전압형 인버터를 위한 디지털 PWM 제어기 설계 (Design of Digital PWM Controller for Voltage Source Inverter)

  • 이성백;이종규;정구철
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제7권3호
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    • pp.27-33
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    • 1993
  • 본 논문은 캐리어 주파수 20kHz 이상의 고주파 전압형 PWM 인버터를 구동하기 위한 디지털 제어기에 관한 연구이다.적절한 PWM 패턴을 선택하기 위하여 기존의 PWM을 분석하였고, 비동기형 계단 정현파를 기준신호로 하여 제어기의 PWM 패턴을 구하였으며, PWM 제어방법은 가변 캐리어 비를 이용하였다.PWM 제어기는 모두 디지털 방식으로 구성하였다. 특히, 제시된 제어기의 구성은 연산 및 데이터 처리와 PWM 패턴 합성을 8비트 원칩 마이크로프로세서와 디지털 로직으로 나누어 설계하므로써 제어에 대한 속응성 및 제어성을 개선하였다. 또 변조도 데이터를 9비트로 출력하도록 프로그램을 적절히 이용하여 데이터 처리능력을 높였다.디지털 제어기는 회로구성을 i8051과 원칩 EPLD로 구성하였고, 설계된 제어기는 전압형 인버터를 동작시켜 제어성을 고찰하였다. 그리고 전압형 인버터 시스템의 고조파와 전류파형을 평가 분석하였다.

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폭발물 감지 시스템 개발을 위한 TNT 분자 흡착에 대한 WSe2 소자의 전기적 반응 특성 평가 (Electrical response of tungsten diselenide to the adsorption of trinitrotoluene molecules)

  • 김찬휘;조수연;김형태;이원주;박준홍
    • 한국결정성장학회지
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    • 제33권6호
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    • pp.255-260
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    • 2023
  • 분자 단위의 폭발물질을 탐지하기 위하여, 고감도 응답성 센서의 개발이 요구되고 있다. 2차원 반도체는 얇은 적층형 구조를 가져 전하 캐리어가 축적될 수 있어, 전하 캐리어의 급격한 신호 변조 특성을 기대할 수 있다. WSe2 반도체 소재의 TNT(Trinitrotoluene) 폭발물질에 대한 탐지 효용성을 연구하기 위해, CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용해 WSe2 박막을 합성하여 FET(Field Effect Transistors)을 제작하였다. 라만 분석과 FT-IR(Fourier-transform infrared) 분광 결과는 TNT 분자의 흡착과 WSe2 결정질의 구조적 전이 분석 정보를 나타내었다. 또한, WSe2 표면의 TNT 분자 흡착 전후의 전기적 특성을 비교하였다. TNT 도포 전, WSe2 FET에 백 게이트 바이어스로 -50 V를 인가함에 따라 0.02 μA의 최대 전류 값이 관측되었고, 0.6%(w/v) TNT 용액을 도포하였을 때 Drain 전류는 p-type 거동을 보이면서 0.41 μA의 최대 전류 값을 기록하였다. 이후 On/Of f Ratio 및 캐리어 이동도, 히스테리시스를 추가적으로 평가하였다. 본 연구에서는 WSe2의 TNT 분자에 대한 고감도와 신속한 응답성을 통해 폭발물질 탐지 센서 소재로서의 가능성을 제시하였다.

무정전 전원(UPS)설계를 위한 PWN 인버터에 관한 연구 (A Study on the PWN Inverter for the Design of UPS)

  • 이성백;구용회;이종규
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제2권2호
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    • pp.59-63
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    • 1988
  • 고정 AC 전력전원에서 PWN(Pulse Width Modulation) 기법은 전압과 기본파 주파수를 가변 시키는 데 이용되어 왔다. 종래의 PWN 기법은 전류수, 필터크기 등의 문제점 때문에 PWN 출력 전압파형을 모터 구동 등의 제어 대상에 응용하는 연구가 진행되었다. 그러나 본 논문에서는 출력단 고속 스윗칭 소자를 사용하여 캐리어 주파수를 10(KHz)-45(KHz)까지 정현 PWN 시키고, 인버터의 출력단 파형은 소용량LPF(Low Pass Filter)를 사용하여 PAM(Pulse Amplitude Modulation)을 얻어냈다. 정현 PWN 제어 회로는 속응성과 제어성을 고려하여 마이크로 프로세서와 아날로그 회로로 혼합구성 하였다. 그리고 실험 결과는 변조도 0.6-1.0까지 변할 때 전압 파형을 관찰했다.

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수소화된 비정질규소 박막트랜지스터의 누설전류 (Leakage Current of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistors)

  • 이호년
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제8권4호
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    • pp.738-742
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    • 2007
  • 능동형 평판디스플레이 소자를 제작하기 위해 수소화된 비정질 규소 박막트랜지스터 (a-Si:H TFT)의 상부에 화소전극을 형성하는 과정에 따른 TFT의 특성 변화를 연구하였다. 화소전극 형성 전에 1 pA 수준의 오프상태 전류 및 $10^6$ 이상의 스위칭률을 보이던 TFT에 화소전극 공정을 행하면 오프상태 전류가 10 pA 이상으로 증가하여 소자특성이 악화되었다. 이러한 소자특성의 악화는 SiNx 보호막 표면의 플라즈마 처리로 개선될 수 있었는데, 특히 $N_2$ 플라즈마가 좋은 결과를 보였다. 화소전극 공정에 의해서 누설전류가 증가하는 것은 투명전도막 증착공정 중에 SiNx 보호막 표면에 전하가 축적되어 이에 유도되는 백채널의 캐리어 축적에 기인하는 것으로 추정된다.

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