• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.672-672
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• 2013

본 연구에서는 수열합성법을 기반으로 한 3차원 ZnO 나노구조의 합성을 통해 효율적인 양자점 감응형 태양전지로의 응용을 하고 그 특성을 평가하였다. 기존의 1차원 ZnO 나노구조의 경우 높은 전자이동도와 구조적으로 얻을 수 있는 방향성 있는 전자의 효율적인 전달을 통해 효과적인 광전극으로 많은 관심을 받아왔다. 하지만 나노파티클 기반의 필름에 비해 표면적이 크게 떨어지기 때문에 효과적인 흡광이 어렵다는 단점이 존재하여 높은 효율특성을 내지는 못하였다. 본 연구에서는 이러한 단점을 극복하면서 기존 ZnO 나노선의 장점을 극대화 하기 위해 성장시킨 ZnO 나노선 위에 추가적으로 가지를 형성하여 표면적 향상과 효과적인 전자전달 특성을 얻고자 하였다. 3차원 ZnO 나노구조는citrate 계열의 capping agent의 첨가를 통한 수열 합성법을 통해 1차원의 ZnO 나노선 위에 nanosheet 형식의 가지를 형성하였고 이는 빛의 효과적인 산란특성 및 표면적 향상을 통한 CdS, CdSe의 양자점 증착량을 증가시키는 효과를 얻을 수 있었다. 이러한 태양전지의 소자 특성은 SEM, TEM을 통한 구조 특성평가 및 DRS, J-V curve 및 IPCE를 통한 광학적 특성평가를 통해 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.845-848
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• 2002

The study of photoconductor materials is demanded for development for flat-panel digital x-ray Imager. In this paper, We investigated the feasibility of application as x-ray image sensor using Cd(Zn)Te compound with high stopping power on high radiation. These Cd(Zn)Te samples were fabricated by vacuum thermal evaporation method to large area deposition and investigated I-V measurement as applied voltage. The experimental results show that the additional injection Zn in CdTe film reduced the leakage current, for the $Cd_{0.85}Zn_{0.15}Te$ detector, the net charge had the highest value as $144.58pC/cm^2$ at 30 V.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2003년도 추계학술대회
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• pp.73-78
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• 2003

The InP thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are widely used to optoelectronic devices such as laser diodes, wave-guides and optical modulators. Effects of various parameters controlling film growth rate such as gas-phase reaction rate constant, surface reaction rate constant and mass diffusivity are numerically investigated. Results show that at the upstream region where film growth rate increases with the flow direction, diffusion including thermal diffusion plays an important role. At the downstream region where the growth rate decreases with flow direction, film deposition mechanism is revealed as a mass-transport limited. Mass transport characteristics are also studied using systematic analyses.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.342.2-342.2
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• 2014

IZO, ITO, ITO 등의 투명전극들 중 Indium Tin Oxide (ITO) 다른 전극에 비해 높은 광투과도와 낮은 저항으로 인하여 다양한 부분에서 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 우수한 투과도의 멀티 layer 단열 창호를 위한 film 개발을 위해 RF magnetron system을 이용하여 Sodalime Glass와 polyethylene terephthalate (PET) substrate에 ITO를 증착함으로써 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 실험은 power 변화와 Ar, O2의 가스 분압비, Working Pressure의 변화를 변수로 두어 진행하였다. 측정은 Ellipsometry를 이용하여 광학적인 두께와 굴절률을 조사하였고 UV visible spectrometer를 통해 광학적인 투과도를 확인하였다. Power는 100 Watt 늘려가며 진행하였고 O2 유량의 변화에 따라 투과도와 면저항, 굴절률 특성이 달라짐을 확인할 수 있었다. O2의 유량에 따라 면저항이 줄어들다가 어느 정도 이상이 되면 급격히 증가함을 확인할 수 있었다. Working Pressure 변화에 따른 전기적 광학적 특성 또한 확인 하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.242-243
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• 2014

본 연구는 윈도우 커버 뒷면에 2층 구조의 전극으로 각 전극들의 상호 정전용량을 이용한 터치스크린 패널을 개발하였다. 정전용량 방식의 터치스크린패널(Touch Screen Panel; TSP)은 필름을 사용하는 저항막 방식에 비해 내구성이 좋아 작은 손상에도 동작에 지장이 없다. 또한, 터치의 정확도가 높고, 광학적 특성이 우수하며 다중 포인트가 가능하다. 윈도우 일체형 TSP는 박막증착을 통해 X축,Y축 방향의 전극 패턴을 형성하였고 전극 교차부는 포토리소그래피공정을 통해 절연막 형성 및 Bridge, Bezel 전극을 형성하여 TSP를 제조 하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.2386-2388
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• 1999

This paper describes the surface discharge characteristics which can be used as data to determine the optimumal length in margin which plays an important role in improving the energy density and the life-time of high voltage capacitors. In this experiment, the margin of metalized polypropylene films(MPPFs) is varied in length in order to measure and analyze flashover voltages and partial discharge inception voltages (PDIVS). As a result, the flashover voltage and the PDIV are increased with margin and tracking was observed.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제11권4호
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• pp.1-6
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• 2012

Keeping the polarization direction of the projection light unchanged is of crucial importance for high quality of images on a double-screen 3D projection display system. It has been found that the deposition of oxide layers on the surfaces of scattering polarizer film results in an improvement of polarization maintenance property of the film. The secondary image formed on the front screen by the light scattered from the rear screen decreases by 30% through the application of oxide layers on both surfaces of the screen. Since the oxide layer can also be used as an anti-reflection (AR) coating of the film, this method is very effective for the projection display applications.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.1213-1218
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• 2004

Film growth rate of InP and GaAs using TMI, TMG, TBA and TBP is numerically predicted and compared to the experimental results. Obtained results show that the film growth rate is very sensitive to the thermal condition in the reactor. To obtain exact thermal boundary conditions at the reactor walls, we analyzed the gas flow and heat transfer in the reactor including outer tube as well as the inner reactor parts using a full three-dimensional model. The results indicate that the exact thermal boundary conditions are important to get precise film growth rate prediction.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.188-188
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• 2007

ZnO 박막은 넓은 밴드갭과 가시광 영역에서의 높은 투과 및 제조조건에 따른 비저항의 범위가 크게 달라짐으로 태앙전지, 디스플레이등의 투명 전극등에 널리 응용되어지고 있다. 본 살험에서는 이러한 장점을 갖는 ZnO 박막을 먼저 r. f.-sputter 법으로 제조하여 습식으로 식각하였다. 식각된 ZnO 필름은 OLED 및 디스플레이의 적용에 필요한 식각율과 표면구조 전기적 특성을 조사하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.144-147
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• 2003

Cu+ ions drift diffusion in formal oxide film and SiOCH film for interlayer dielectric is evaluated. The diffusion is investigated by measuring shift in the flatband voltage of capacitance/voltage measurements on Cu gate capacitors after bias temperature stressing. At a field of 0.2MV/cm and temperature $200^{\circ}C,\;300^{\circ}C,\;400^{\circ}C,\;500^{\circ}C$ for 10min, 30min, 60min. The Cu+ ions drift rate of $SiOCH(k=2.85{\pm}0.03)$ film is considerable lower than termal oxide. As a result of the experiment, SiOCH film is higher than Thermal oxide film for Cu+ drift diffusion resistance. The important conclusion is that SiOCH film will solve a causing reliability problems aganist Cu+ drift diffuion in dielectric materials.