• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.821-823
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널 MOSFET에서 드레인전압에 의하여 소스측 전위장벽이 낮아지는 효과를 정량화하여 표현한다. 소스 측 전위장벽이 낮아지면 결국 문턱전압에 영향을 미치므로 드레인전압에 따른 문턱전압의 변화를 관찰할 것이다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께를 다르게 제작할 수 있는 특징이 있다. 그러므로 본 연구에서는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께변화에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상을 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하여 분석하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 상하단 게이트 산화막 두께에 따라 큰 변화를 나타냈다. 또한 도핑농도에 따라 드레인유도장벽감소 현상이 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.839-841
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 $10^{-7}A/m$일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.858-860
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑 농도뿐만이 아니라 상하단 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등에 대하여 드레인 유도 장벽 감소 현상을 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 채널도핑 농도에 따라 큰 변화를 나타냈다. 단채널 효과 때문에 채널길이가 짧아지면 도핑농도에 따른 영향이 증가하였다. 도핑농도에 대한 드레인유도장벽감소 현상의 변화는 상하단 산화막 두께에 따라 큰 변화를 보였으며 산화막 두께가 증가할수록 도핑농도에 따른 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 하단게이트 전압은 그 크기에 따라 도핑농도의 영향이 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Korean journal of communication and information
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• v.49
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• pp.99-121
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• 2010

Utilizing Q methodology, this study explored typology on journalists' barriers to science reporting. Two research issues were raised: First, what are the subjectivity factors and characteristic feature of journalist's barriers to science reporting; Second, what are the commonalities and differences among them. 20 science journalists were interviewed in-depth to find out their subjectivity factors. Korean journalists' type of barriers to science reporting could be classified into 4 groups as follows: Type I(N=8) is "reporting tendency barrier" type. Type II(N=3) is named for "institutional and systematic framework barrier". Type 3(N=5) belongs to "situational barrier" type. Type 4(N=3) is "scientific knowledge barrier" type.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2013.04a
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• pp.217-220
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• 2013

기존 플래시 메모리의 물리적 한계를 극복하여 저전압, 저전력 비휘발성 메모리 소자를 얻기 위해서는 터널링 장벽 제어가 필수적이며, 저유전체와 고유전체를 적층한 VARIOT 구조는 터널링 장벽 제어에 매우 효과적이다. 우리는 비평형 그린함수 방법을 이용하여 전자 수송을 계산함으로써, VARIOT 구조가 기존의 단일 유전층 구조에 비해 비휘발성 메모리 관점에서 얼마나 향상되었는지를 분석하고, 터널링 장벽 제어에 있어 고유전체가 가져야 할 가장 유리한 조건을 찾아내었다. 또한 유효질량이 에너지 장벽(유전층)의 전계 민감도와 거의 무관함을 보임으로서 시뮬레이션 결과가 합리적임을 증명하였다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2017.03a
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• pp.398-403
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• 2017

본 연구에서는 gate-all-around(GAA) 수직 나노선 Field-Effect Transistor(FET)의 소스/드레인 반도체/실리사이드 접합에 존재하는 Schottky 장벽이 트랜지스터의 DC특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Non-Equilibrium Green's Function와 Poisson 방정식 기반의 시뮬레이터를 사용하여, Schottky 장벽의 위치와 높이, 그리고 채널 단면적의 크기에 따른 전류-전압 특성 곡선과 에너지 밴드 다이어그램을 통해 분석을 수행하였다. 그 결과, 드레인 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압에 의해 장벽의 높이가 낮아져 전류에 주는 영향이 작지만, 소스 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압과 게이트 전압으로 제어가 불가능하여 외부에서 소스 단으로 들어오는 캐리어의 이동을 방해하여 큰 DC성능 저하를 일으킨다. 채널 단면적 크기에 따른 DC특성 분석 결과로는 동작상태의 전류밀도는 채널의 폭이 5 nm 일 때까지는 유지되고, 2 nm가 되면 그 크기가 매우 작아지지만, 채널 단면적은 Schottky 장벽에 영향을 끼치지 못하였다. 본 논문의 분석 결과로 향후 7 nm technology node 에 적용될 GAA 수직 나노선 FET의 소자 구조 설계에 도움이 되고자 한다.

• Culinary science and hospitality research
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• v.22 no.4
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• pp.65-80
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• 2016

The objective of this study is to investigate the influence of career barriers on college students majoring in culinary arts on career preparation behavior, and the moderating effect of self-efficacy between career barriers and career preparation behavior. For this purpose, the data was collected through a questionnaire survey from four hundred and eleven students majoring in culinary arts at colleges in South Korea. The data were analyzed by using factor analysis, reliability analysis, multiple regression analysis, and hierarchical analysis with SPSS 18.0. The results are as follows. Among the career barriers, the lack of job information and lack of interest had a significant negative influence on information gathering behavior, although physical inferiority had a significant positive influence on information gathering behavior. The lack of self-concept clarity and lack of job information had a significant negative influence on practical efforts, while conflicts with important others and physical inferiority had a significant positive influence on practical efforts. In addition, the lack of self-concept clarity, lack of job information, and lack of interest had a significant negative influence on tool preparation behavior. Pysical inferiority had a significant positive influence on tool preparation behavior. Self-efficacy showed a partial moderating effect between the lack of job information and tool preparation behavior. Managerial implications and limitations were also discussed.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.4
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• pp.805-810
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• 2016

The dependence of drain induced barrier lowering(DIBL) is analyzed for doping concentration in channel of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The DIBL, the important short channel effect, is described as lowering of source barrier height by drain voltage. The analytical potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze the DIBL, and the DIBL is observed according to top/bottom gate oxide thickness and bottom gate voltage as well as channel doping concentration. As a results, the DIBL is significantly influenced by channel doping concentration. DIBL is significantly increased by doping concentration if channel length becomes under 25 nm. The deviation of DIBL is increasing with increase of oxide thickness. Top and bottom gate oxide thicknesses have relation of an inverse proportion to sustain constant DIBL regardless channel doping concentration. We also know the deviation of DIBL for doping concentration is changed according to bottom gate voltage.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.4
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• pp.799-804
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• 2016

To analyze the phenomenon of drain induced barrier lowering(DIBL) for top and bottom gate oxide thickness of asymmetric double gate MOSFET, the deviation of threshold voltage is investigated for drain voltage to have an effect on barrier height. The asymmetric double gate MOSFET has the characteristic to be able to fabricate differently top and bottom gate oxide thickness. DIBL is, therefore, analyzed for the change of top and bottom gate oxide thickness in this study, using the analytical potential distribution derived from Poisson equation. As a results, DIBL is greatly influenced by top and bottom gate oxide thickness. DIBL is linearly decreased in case top and bottom gate oxide thickness become smaller. The relation of channel length and DIBL is nonlinear. Top gate oxide thickness more influenced on DIBL than bottom gate oxide thickness in the case of high doping concentration in channel.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2019.07a
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• pp.183-184
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• 2019

본 연구는 다문화청소년패널 6차년도 데이터를 활용하여 다문화청소년의 진로장벽과 사회적위축이 성취동기를 매개로 진로결정성에 어떠한 영향을 미치는가를 규명하고자 한다. 분석대상은 다문화청소년 1,283명이다. 주요 분석변수는 독립변수로 진로장벽, 사회적위축, 매개변수로 성취동기, 종속변수로 진로결정성을 분석할 것이다. 이러한 자료분석을 위해 SPSS 21.0을 사용할 것이다.