• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.3 no.3
• /
• pp.341-345
• /
• 1994

As+ 와 P+ 이온들이 주입된 실리콘에서 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리가 미치는 영향에 대해서 조사하였다, 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양 이었다. 이온 주입 시실리콘 내부에 생성된 손상들을 제거하기 위해 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편 을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산에 의해서 접합깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타나다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들이 손상들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS와 SUPREM IV simulation 에 의해서 확인할 수 가 있었다. As+ 와 P+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
• /
• v.33A no.4
• /
• pp.112-120
• /
• 1996

With the MOsES (mask oxide sidewall etch scheme)process which uses the conventional i-line stepper and isotropic wet etching, CMOSFET's with fine gate pattern of 0.1.mu.m CMOSFET device, the screening oxide is deposited before the low energy ion implantation for source/drain extensions and two step sidewall scheme is adopted. Through the characterization of 0.1.mu.m CMOSFET device, it is found that the screening oxide deposition sheme has larger capability of suppressing the short channel effects than two step sidewall schem. In cse of 200.angs.-thick screening oxide deposition, both NMOSFET and PMOSFET maintain good subthreshold characteristics down to 0.1.mu.m effective channel lengths, and show affordable drain saturation current reduction and low impact ionization rates.

• Journal of Welding and Joining
• /
• v.1 no.2
• /
• pp.7-11
• /
• 1983

본 공장(진해화학주식회사)에서 암모니아는 나프타를 원료로 한 수소와 공기 중의 질소를 합성하여 제조된다. 암모니아 제조 공정 중 메탄가스(CH$_{4}$)와 수소가스(H$_{2}$) 중에 불순물로 존재하는 유화 수소(H$_{2}$S)를 제거시키는 공정이 탈황공정이다. 탈황공정은 산화 아연(ZnO)과 코발트-몰리브덴(Cobalt-Molybdenum) 촉매층에서 이루어지며 탈황공정이 이루어지는 용기를 탈황조(desulfurizer vessel)라 한다. 본 공장에 설치된 탈황조는 1966년에 설치되어 운용되어 왔다. 본 공장의 안전 조업을 위해 초음파 탐상법, 방사선 투과 탐상법, 표면 침투 탐상법으로써 탈황조의 노후도 측정을 행하였다. 탐상 결과 스테인레스 클래드의 모재부 용접선을 따라 균열이 발견되었다. 균열 부위를 깊이 연마하여 용접 결함부를 제거하고 다시 용접을 함으로써 본 탈황조를 연장하여 사용할 수 있었다.

• Journal of Welding and Joining
• /
• v.2 no.2
• /
• pp.29-37
• /
• 1984

발전설비를 비롯한 산업설비, 각종 압력용기 및 철구조물 제작시 발생하는 여러가지의 용접불량 중에서 슬래그 혼입이 차지하는 비율이 전체 불량의 절반 이상을 차지하고 있다. 특히 여타의 용접법에 비해 SMAW에 의한 슬래그 혼입의 발생이 가장 많으므로 이에 대한 결함 발생의 경향을 조사하고 그 방지대책을 설정하기 위하여 이번 실험을 실시하게 되었다. 수동 용접봉의 피복제 중 가스 발생 원인은 아아크 분위기를 생성하고 기타 부분은 슬래그가 되어 용융금속을 둘러싸서 이것을 보호하면서 용융지로 이행한다. 슬래그는 용융지 내에서 비이드 표면으로 부상하면서 탈산반응이나 불순물을 제거하는 정련작용을 한다. 또한 적당한 합금 원소의 보충, 용융금속의 유동성 증가 등에 의하여 양호한 용착금속의 생성을 돕는다. 한편, 슬래그는 고온금속을 덮어 이것을 보호함과 동시에 급냉을 완화하는 작용을 한다. 그러나 이러한 슬래그가 응고하는 용착금속 사이에 혼입된다면 용착금속의 기계적 성질을 저하시키는 중요한 요인이 된다. 슬래그 혼입에 대하여 간단하고 일반적인 방지대책은 많이 언급되어 있으나 슬래그 혼입의 방지대책에 대해 깊이 있는 연구가 거의 없다. 이번 실험에서는 광범위한 요인의 선제, 싯수의 제안으로 인하여 새로운 슬래그 혼입 기구의 설정이나 특정한 요인의 영향에 대한 정확한 한계치의 설정보다는 각 요인에 대한 정성적인 영향을 분석하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.4 no.S1
• /
• pp.13-20
• /
• 1995

As으로 in-situ 도핑된 폴리실리콘 막을 원하는 부위에만 선택적으로 증착시킬 수 있는 RTP-CVD 증착기술이 성공적으로 수행되었다. 막의 증착속도는 도핑량이 증차함에 따라 점차 감소하였으나 As의 양이 5ppm보다 커지자 급격히 감소하였다. 또한 증착속도는 As의 유량이 일정할 때, SiH2CI2 유량에 따라 직선적으로 변화하였다. As 도펀트의 농도는 막내부에 비해 폴리실리콘/실리콘기판의 계면과 표면에서 상대적으로 높게 나타났으며, 특히 증착온도가 낮을 때 As 도펀트의 농도는 더 높아짐을 알 수 있었다. 실리콘 표면에서 약 40-50nm 위치에서 도펀트의 농도천이가 급격히 일어났으며, 그 결과 RTP-CVD공정을 이용할 때 극히 얕고 일정한 깊이분포를 갖는 n+-p junctions were achieved and laterally uniform delineated junctions were also observed using RTP-CVD.

• Radiation Oncology Journal
• /
• v.7 no.1
• /
• pp.93-100
• /
• 1989

Several combinations of measuring devices and phantoms were studied to measure electron beams. Silicon Pmt junction diode was used to find the dependence of depth dose profile on field size on axis of electron beam Depths of 50, 80 and $90\%$ doses increased with the field size for small fields. For some larger fields, they were nearly constant. The smallest of field sizes over which the parameters were constant was enlarged with increase of the energy of electron beams. Depth dose distributions on axis of electron beam of $10\times10cm^2$ field were studied with several combinations of measuring devices and phantoms. Cylindrical ion chamber could not be used for measurement of surface dose, and was not convenient for measurement of near surface region of 6MeV electron. With some exceptions, parameters agreed well with those studied by different devices and phantoms. Surface dose in some energies showed $4\%$ difference between maximum and minimum. For 18MeV, depths of 80 and $90\%$ doses were considerably shallower by film than by others. Parallel-plate ion chamber with polystyrene phamtom and silicon PN junction would be recommended for measurement of central axis depth dose of electron beams with considerably large field size. It is desirable not to use cylindrical ion chamber for the purpose of measurement of surface dose or near surface region for lower energy electron beam. It is questionable that film would be recommended for measurement of dose distribution of electron with high energy like as 18MeV.

• The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
• /
• v.29 no.2
• /
• pp.93-100
• /
• 2017

Purpose: A purpose of this study was to compare dose of junction between breast and SCL fields in radiation therapy by MLC located at the junction. Materials and Methods: With 6 MV of 21EX-S equipped with 120-leaf Millennium MLC, treatment plans were designed with 30 patients who underwent radiation therapy using TFT. Plan 1 where the MLC was all used at the junction. In plan 2 and plan 3, MCLs were retracted 5 mm from breast and SCL, respectively. Plan 4 with all of MLC retracted at the junction were designed. In all of the plans, collimator angle for SCL field was divided into $0^{\circ}$ and $270^{\circ}$. To verify junction dose, the dose at 3cm depth of junction was compared with average value by MapCHECK. Results: In case of the SCL field with $0^{\circ}$ collimator angle, average value of D3cm was 4131.1, 4215.9, 4351.4, and 4423.0 cGy. In case of the SCL field with $270^{\circ}$ collimator angle, average value of D3cm was 4044.3, 4246.7, 4291.1, and 4441.2 cGy. In plan1 and 3, change in average dose depending on collimator angle was changed more significantly than paln2 and 4. Dose measured at 3cm depth of junction was similar to treatment plan. Conclusion: In radiation therapy plan for breast cancer with SCL, retracting MLCs from junction between breast and SCL fields will lead to decrease effect of dose of the junction.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.416-417
• /
• 2013

최근 질화물계 발광다이오드(light emitting diode, LED) 소자는 핸드폰, 스마트 TV 등의 디스플레이 분야와 실내외조명, 감성조명, 특수조명 등의 조명분야에 그 응용분야가 급속히 확대되고 있다. 이러한 LED 소자는 에너지 절감과 친환경에 장점을 가지고, 가까운 미래에 조명시장을 대체할 것으로 예상된다. 이를 만족하기 위해서는 현재보다 더 높은 효율을 갖는 LED 개발이 요구되어지고 있는 상황이다. 일반적으로 질화물계 LED 소자의 효율은 내부양자 효율, 광추출 효율 등으로 나타낼 수 있다. 내부 양자효율은 성장된 결정의 질의 개선 및 다층의 이종접합 또는 다중양자우물 구조와 같이 활성층의 캐리어 농도를 높이는 접합구조로 설계되어 80% 이상의 효율을 나타낸다. 그러나 광추출 효율은 이에 미치지 못하고 있다. 이는 반도체 재료의 높은 굴절률로 인하여 빛이 외부로 탈출하지 못하고 내부로 반사되거나 물질 안에서 흡수가 일어나기 때문이다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위해 많은 연구 그룹들은, 표면에 패턴 형성하여 빛의 전반사를 줄여 그 효율을 올리는 연구결과를 보고하고 있다. 대표적인 방법으로는 wet etching, 전자빔 리소그라피, 나노임프린트 리소그라피, 레이저 홀로 리그라피, 나노스피어 리소그라피 등이 사용되고 있다. 이 중, 나노스피어 리소그라피는 폴리스틸렌 혹은 실리카 등과 같은 나노 크기의 bead를 사용하여 반도체 기판 표면에 단일층으로 고르게 코팅한 마스크로 사용하여 패턴을 주는 방법이다. 이 방법의 장점으로는 대면적에 균일한 패턴을 형성할 수 있고, 공정비용이 저렴하여 양산하기에 적합하다는 특징이 있다. 나노스피어 리소그라피를 통해서 표면에 생성된 패턴 모양의 각도에 따라서, 식각되는 깊이에 변화에 따라 실험한 결과들은 있지만, 아직까지 크기가 다른 나노입자들의 마스크 이용하여 형성된 패턴 밀도에 따른 광 추출 효과에 대한 연구가 많이 미흡하다. 따라서 본 연구에서는 다양한 크기의 실리카로 패턴을 형성시켜 패턴 밀도에 대한 광추출 효율의 효과에 대해서 조사하였다. 실험 방법으론, DI, 에탄올, TEOS, 암모니아의 순서대로 그 혼합 비율을 조정하여 100, 250, 500 nm 크기의 나노입자를 합성하였고 이것을 질화물계 LED의 표면 위에 단일층으로 스핀코팅 방법을 통해 코팅을 하였다. 그 후 ICP-RIE 방법으로 필라 패턴을 형성하였는데, 그 결과 100 nm SiO2 입자를 이용한 경우 $4.5{\times}10^9$/$cm^2$, 250 nm의 경우 $1.4{\times}10^9$/$cm^2$, 500 nm의 경우 $0.4{\times}10^9$/$cm^2$의 패턴의 밀도를 보여주었다(Fig. 1). 패턴의 밀도에 따라 전계광학적 특성을 확인하여 보았는데, 그 결과는 평평한 표면과 비교하였을 때 100 nm에서 383%, 250 nm에서는 320%, 500 nm에서는 244% 상승하는 결과를 보여주었다(Fig. 2). 이번 실험을 통해서 LED의 광추출 효율은 표면 모양과 깊이 뿐 아니라 밀도가 커질수록 그 효율이 올라간다는 사실을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KWS Conference
• /
• 2009.11a
• /
• pp.46-46
• /
• 2009

과거 고강도강 용접부에서 발생하는 저온균열은 주로 용접열영향부에서 발생하였는데, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 강재 메이커들은 고강도강의 용접성을 향상시키고자 노력하였다. 이러한 노력의 결과로 TMCP, HSLA 강 등이 개발되었고 이들 강재는 예열온도를 저하시킬 수 있다는 장점 때문에 보편화되어 사용되었다. 이러한 강재는 모재 예열온도를 기준으로 적용하게 되면 용착금속에서 저온균열이 발생하는 경우가 있다. 따라서 이제는 용접재료의 용접성, 즉 용접재료의 저온균열 저항성을 평가 할 수 있는 기법이 요구된다. 본 연구의 목적은 용착금속의 저온균열 저항성을 평가하는 것인데, 저온균열 저항성은 용착금속의 미세조직에 따라 다르게 나타날 수 있다. 용착금속의 합금조성은 기본적으로 용착금속에 요구되는 최저 강도와 충격인성을 만족할 수 있도록 설계한다. 하지만 유사한 강도의 유사한 합금조성이더라도 일부 합금 성분에 의해 용착금속의 미세조직들은 상이하게 나타날 수 있는데, 미세조직 특성에 의하여 용착금속의 강도와 저온인성이 결정된다. 용착금속의 저온균열 저항성을 평가하기위하여 Gapped Bead-on-Groove(G-BOG) 시험에 사용된 모재는 50mm 두께의 mild steel을 사용하였으며, 모재의 희석을 방지하기위해 15mm 깊이로 V-groove 가공 후 buttering 용접 하였다. 용접된 시편은 다시 5mm 깊이로 V-groove로 2차 가공 후 Ar + 20% $Co_2$ gas를 사용하여 용접하였다. 용접재료는 ER-100S-G grade로 비슷한 합금조성을 갖는 2 종류를 사용하였다. A용접재료는 Ti 이 0.1% 함유 되었으며, B용접재료는 Ti 함유되지 않은 것을 사용하였다. 또한 예열 온도에 따라 저온균열 감수성을 평가하기위하여 모재의 예열온도를 각각 상온, $50^{\circ}C,\;75^{\circ}C,\;100^{\circ}C$로 하여 실험을 진행하였다. 용착금속의 미세조직을 확인해본 결과 Ti 함유된 A 용착금속 미세조직은 대부분 침상형페라이트로 나타났으며, Ti 함유되지 않은 B 용착금속 미세조직은 대부분 베이나이트로 나타났다. G-BOG 시험 결과 Ti 함유된 A 시편이 Ti 함유되지 않은 B 시편보다 저온균열 발생량이 적었다. 이는 용착금속의 미세조직분포 및 특성에 따라 저온균열감수성이 다르다는 것을 나타낸다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
• /
• v.43 no.1
• /
• pp.60-67
• /
• 2015

In order to evaluate the bond performance of domestic larch glulam and the glass fiber reinforced plastic (GFRP) rod, the specimen with the GFRP rod bonded-in domestic larch glulam for pull-out test was produced. The test was carried out using various specimens with different gluing depth, width of glue-line and type of adhesive. The cantilever type rahmen structure specimen with bonded-in GFRP rods was produced based on the result of pull-out test, and its moment resistance performance was compared and examined with the moment resistance performance of slotted-in steel plate specimen. As a result of the pull-out test, the most excellent bond performance was found when the insertion depth of GFRP rods was 5 times larger than the diameter of GFRP rods. When the glue-line thickness was 1 mm, the bond performance improved by 17%~29% in comparison to the bond performance in the case of the glue-line thickness of 2 mm. Also, the bonded strength of the specimen used with poly-urethane adhesive was 2.9~4.0 times greater than the bonded strength of specimen used with resorcinol adhesive. The cantilever type rahmen structure specimen with bonded-in GFRP rods showed the moment resistance performance 0.82 times lower in comparison to the slotted-in steel plate specimen used with the drift pin, but the initial stiffness was similar as 0.93 times.