• 제목/요약/키워드: 전자플래시

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VCO를 이용한 차지펌프 설계 (Design of Charge Pump Circuit with VCO)

  • 채용웅
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.118-122
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    • 2011
  • 플래시메모리의 쓰기나 소거 등의 프로그래밍 동작을 위해서는 각기 다른 고전압이 필요하며, 이를 위해서 차지펌프회로가 사용되어 왔다. 본 논문에서 제안되는 차지펌프회로는 VCO를 이용하여 외부에서 인가되는 기준전압과 차지펌프의 출력이 일치하도록 클락 주파수를 조절해줌으로서 공정에 의한 오차뿐만 아니라 차지펌프의 각 단을 구성하는 MOSFET의 바디효과에 관계없이 예측 가능한 출력을 발생하는 회로이다.

전력기기의 아크 플래시 진단 알고리즘에 관한 연구 (A Study on the Diagnostic Algorithm for Arc Flash of Power Equipment)

  • 이덕진
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제29권7호
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    • pp.449-453
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    • 2016
  • The amount of electrical energy has been increased with the rapid development of the industrial society. Accordingly, operating voltage of the power equipment and facility capacity are continuously increasing. Development trends of recent high-voltage electrical equipment are ultra high-voltage, large-capacity and compact. Early diagnosis of a failure of the power plant has been emerging as an important task as to supply high quality power to users. In this study, we have tried to develope an algorithm for distinguishing an arc fault signal generated in the power plant by using UV sensor.

대기중 연소화염에 의한 교류 플래시오버전압의 저하 특성 (Reduction Characteristics of AC Flashover Voltage by Combustion Flames under Atmospheric Conditions)

  • 김인식
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제14권12호
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    • pp.1041-1047
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    • 2001
  • In this paper, reduction characteristics of the ac flashover voltage in the horizontal air gap of sphere-sphere/needle-needle electrode system were investigated when the combustion flame was present near the high-voltage electrodes. The voltage and current waveforms were measured, when the flashover is occurred, in order to examine the flashover polarity by flame. The reduction characteristics of ac flashover voltage were discussed with the thermal ionization process, the relative air density and the deflection phenomena in the shape of flames that changed by the corona wind and coulomb\`s force. As the results of an experimental investigation, It was found that the reduction of flashover voltages in sphere-sphere system, in comparison with the no-flame case, are 79.9 [%] for k=0, 82.9 [%] for k=0.5, 87.5 [%] for k=1.0, 85.0 [%] for h=0 [cm], 40.8 [%] for h=5 [cm] and 28.2 [%] for h=9 [cm] when ac voltage is applied.

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NAND 플래시 메모리용 파일 시스템 계층에서 프로그램의 페이지 참조 패턴을 고려한 캐싱 및 선반입 정책 (Caching and Prefetching Policies Using Program Page Reference Patterns on a File System Layer for NAND Flash Memory)

  • 김경산;김성조
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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    • pp.777-778
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    • 2006
  • In this thesis, we design and implement a Flash Cache Core Module (FCCM) which operates on the YAFFS NAND flash memory. The FCCM applies memory replacement policy and prefetching policy based on the page reference pattern of applications. Also, implement the Clean-First memory replacement technique considering the characteristics of flash memory. In this method the decision is made according to page hit to apply prefetched waiting area. The FCCM decrease I/O hit frequency up to 37%, Compared with the linux cache and prefetching policy. Also, it operated using less memory for prefetching(maximum 24% and average 16%) compared with the linux kernel.

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NAND 전하트랩 플래시메모리를 위한 p채널 SONOS 트랜지스터의 특성 (The Characteristics of p-channel SONOS Transistor for the NAND Charge-trap Flash Memory)

  • 김병철;김주연
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권1호
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    • pp.7-11
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    • 2009
  • In this study, p-channel silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS) transistors are fabricated and characterized as an unit cell for NAND flash memory. The SONOS transistors are fabricated by $0.13{\mu}m$ low power standard logic process technology. The thicknesses of gate insulators are 2.0 nm for the tunnel oxide, 1.4 nm for the nitride layer, and 4.9 nm for the blocking oxide. The fabricated SONOS transistors show low programming voltage and fast erase speed. However, the retention and endurance of the devices show poor characteristics.

고집적화된 1TC SONOS 플래시 메모리에 관한 연구 (A Study on the High Integrated 1TC SONOS flash Memory)

  • 김주연;김병철;서광열
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제16권5호
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    • pp.372-377
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    • 2003
  • To realize a high integrated flash memory utilizing SONOS memory devices, the NOR type ITC(one Transistor Cell) SONOS flash arrays are fabricated and characterized. This SONOS flash arrays with the common source lines are designed and fabricated by conventional 0.35$\mu\textrm{m}$ CMOS process. The thickness of ONO for memory cells is tunnel oxide of 34${\AA}$, nitride of 73${\AA}$ and blocking oxide of 34${\AA}$ . To investigate operating characteristics, CHEI(Channel Hot Electron Injection) method and bit line method are selected as the program and 4he erase operation, respectively. The disturbance characteristics ,according to the program/erase/read cycling are also examined. The degradation characteristics are investigated and then the reliability of SONOS flash memory is guaranteed.

테라비트급 SONOS 플래시 메모리 제작 (Fabrication of Tern bit level SONOS F1ash memories)

  • 김주연;김병철;서광열;김정우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.26-27
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    • 2006
  • To develop tera-bit level SONOS flash memories, SONOS unit memory and 64 bit flash arrays are fabricated. The unit cells have both channel length and width of 30nm. The NAND & NOR arrays are fabricated on SOI wafer and patterned by E-beam. The unit cells represent good write/erase characteristics and reliability characteristics. SSL-NOR array have normal write/erase operation. These researches are leading the realization of Tera-bit level non-volatile nano flash memory.

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은닉형 광고 디스플레이 제품 정보 표현 기법 (Steganography-based Product Information Representation Scheme for Digital Signage)

  • 최영환;황인준
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2012년도 춘계학술발표대회
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    • pp.378-381
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    • 2012
  • 최근 들어, 정보 광고 디스플레이 (Digital Signage)는 영상 재현 및 IT 기술 발전으로 비약적 성장을 거듭하고 있다. 기업들의 마케팅이나 광고, 트레이닝 효과 및 고객 경험을 유도할 수 있는 커뮤니케이션 도구로써 공항이나 호텔, 병원 등 공공 장소에서 방송 프로그램뿐 아니라 특정한 정보를 함께 제공하는 디지털 영상 장치로써 다양하게 사용되고 있다. 현재는 기존 상업용 디지털 정보 디스플레이(DID)에 주요 기능을 제어할 수 있는 소프트웨어나 관리 플랫폼까지 종합적으로 공급하는 형태로 시장에 공급되고 있다. 현재 거의 대부분의 프로그램은 플래시를 이용하여 정보를 일방적으로 전달하는 모습을 하고 있어 사용자의 요구나 다양한 정보의 표현에 제약이 많았다. 본 논문에서는 사용자와의 쌍방향 통신을 유도를 통하여 광고의 예술성뿐 아니라 정보제공의 기능까지도 동시에 만족시킬 수 있는 은닉형 광고 디스플레이 제품 정보 표현 기법을 제안한다. 구체적으로 예로써 Histogram shifting 을 이용한 QR 코드 은닉을 통해 영상에서 사용자가 원하는 제품에 대한 QR 코드를 숨기고 표출하는 방법을 보인다.

3D NAND 플래시메모리 String에 전열어닐링 적용을 가정한 기계적 안정성 분석 및 개선에 관한 연구 (Study on Improving the Mechanical Stability of 3D NAND Flash Memory String During Electro-Thermal Annealing)

  • 김유진;박준영
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제35권3호
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    • pp.246-254
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    • 2022
  • Localized heat can be generated using electrically conductive word-lines built into a 3D NAND flash memory string. The heat anneals the gate dielectric layer and improves the endurance and retention characteristics of memory cells. However, even though the electro-thermal annealing can improve the memory operation, studies to investigate material failures resulting from electro-thermal stress have not been reported yet. In this context, this paper investigated how applying electro-thermal annealing of 3D NAND affected mechanical stability. Hot-spots, which are expected to be mechanically damaged during the electro-thermal annealing, can be determined based on understanding material characteristics such as thermal expansion, thermal conductivity, and electrical conductivity. Finally, several guidelines for improving mechanical stability are provided in terms of bias configuration as well as alternative materials.

GIS 기반 교통정보 제공 시스템의 설계 및 구현 (Design and Implementation of GIS based Traffic Information Service System)

  • 이성욱;이철기
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제9권4호
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    • pp.13-21
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    • 2010
  • 대부분의 교통 관리 시스템은 웹을 통한 교통정보 제공 기능을 포함하고 있으며, 지도를 기반으로 교통정보를 표출하는 방식을 채택하고 있다. 일반적으로 지도 기반의 시스템을 구현할 때에는 지리정보시스템(GIS)을 이용하는 것이 효율적이다. 하지만 많은 교통 정보 제공 시스템은 어도비 플래시 등의 그래픽/애니메이션 전문 소프트웨어를 위한 별도의 전자지도를 이용하고 있어서, 전자 지도의 변경에 유연하게 대처하기 어렵다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결한 GIS 기반의 교통정보 제공 시스템을 제안한다. 제안하는 시스템은 교통정보 제공 클라이언트에서 지도 출력 엔진과 지도 데이터를 분리하고, 지도 데이터는 출력에 적합한 형태로 실시간 변환하여 전송함으로써 GIS 상에서 구축된 전자지도를 교통정보 제공 시스템에서 효율적으로 이용할 수 있도록 한다.