• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.296-297
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• 2020

변압기의 크기와 누설 인덕턴스는 각각 위상천이 풀-브릿지 컨버터의 전력 밀도와 영전압 스위칭의 동작 범위에 영향을 준다. 따라서 본 논문에서는 컨버터의 전력 밀도 및 효율향상을 위한 변압기의 설계에 대해 이론적으로 분석하고, 이를 시작품으로 만들어 5.6kW급 컨버터를 통해 실험적으로 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.300-301
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• 2020

본 논문은 GaN(Gallium Nitride)전력모듈과 GaN IPM(Intelligent Power Module)의 DPT(Double Pulse Test)를 통한 스위칭 특성 분석에 대해 다룬다. GaN 소자는 낮은 스위칭 손실로 인하여 고속 스위칭이 가능하여 최근 각광받는 소자 중 하나이다. 본 논문에서는 GaN 소자의 DPT를 위한 테스터를 설계/제작하고, 이를 활용하여 전압/전류 별 스위칭 특성을 실험적으로 확인하였다.

• KIPE Magazine
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• v.23 no.5
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• pp.54-59
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• 2018

• KIPE Magazine
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• v.26 no.4
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• pp.58-63
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• 2021

• KIPE Magazine
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• v.26 no.5
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• pp.60-63
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• 2021

• NICE (News & Information for Chemical Engineers)
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• v.29 no.5
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• pp.586-589
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• 2011

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.635-636
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• 2015

한전에서는 전력계통과 연계한 대용량 배터리 에너지저장장치(Energy Storage System)에 전력을 저장하였다가 전력계통의 최대 부하 보상, 주파수 조정, 신재생에너지 출력 평준화 등에 이용하고 있다. 배터리를 이용한 에너지저장장치의 실용성을 확인하기 위하여 한국전력공사 전력연구원 ESS연구사업단에서는 제주시 조천변전소에 4MW급 실증단지를 건설하여 시험을 진행하여 왔다. 최근에는 52MW 배터리 에너지저장장치를 전력계통의 주파수 조정용으로 사업화하고 있으며, 이와 관련된 연구도 진행하고 있다. 한국전력공사 전력연구원에서는 서안성, 신용인 변전소에 건설을 완료하여 시운전 중인 52MW 배터리 에너지저장장치 사업에 관련된 기술개발을 위하여 전력연구원에 24MW용 제어시스템, 조천변전소에 28MW용 제어시스템을 개발하여 관련기술을 서안성, 신용인 변전소 에너지저장장치에 적용하여 자동제어 시운전을 수행하였다. 본 논문에서는 주파수조정용 52MW 배터리 에너지저장장치의 시운전 내용을 소개하고자 한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.11a
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• pp.131-132
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• 2018

The world market for BESS (Battery Energy Storage System) is growing rapidly, and battery technology is also developing. It is important to understand the battery characteristics and develop a control strategy to develop the optimal BMS (Battery Management System). In this paper, we compare and analyze the parameter characteristics of NCM LIB (Lithium Ion Battery) according to the temperature change.

• KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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• v.7 no.1
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• pp.63-67
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• 2021

해외 발전사업의 기술 경쟁력 우위 선점을 위해서는 발전시스템에 대한 최적설계기술 및 발전소 운영 기간 중 최소 비용으로 높은 신뢰도의 설비 관리, 최적 성능 유지를 할 수 있는 O&M 관리 기술이 필요하다. 전력연구원은 해외발전사업 전주기 기술지원을 위한 연구개발을 수행하고 있다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.30 no.4
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• pp.282-285
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• 2019

A 100-nm gate-length metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) with a T-shaped gate was fabricated using a two-step gate recess and characterized for DC and microwave performance. The mHEMT device exhibited DC output characteristics having drain current($I_{dss}$), an extrinsic transconductance($g_m$) of 1,090 mS/mm and a threshold voltage($V_{th}$) of -0.65 V. The $f_T$ and $f_{max}$ obtained for the 100-nm mHEMT device were 190 and 260 GHz, respectively. The developed mHEMT will be applied in fabricating W-band monolithic microwave integrated circuits(MMICs).