Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Power Electronics (전력전자학회)
권호 표지

An Analysis of Switching Characteristic of GaN Power Module and GaN IPM

GaN 전력모듈과 GaN IPM의 DPT를 통한 스위칭 특성 분석

  • Noh, Yong-Su (Intelligent Mechatronics Research Center, Korea Electronics Technology Institute (KETl)) ;
  • Joo, Dongmyoung (Intelligent Mechatronics Research Center, Korea Electronics Technology Institute (KETl)) ;
  • Hyon, Byong Jo (Intelligent Mechatronics Research Center, Korea Electronics Technology Institute (KETl)) ;
  • Kim, Jin-Hong (Intelligent Mechatronics Research Center, Korea Electronics Technology Institute (KETl)) ;
  • Choi, Jun-Hyuk (Intelligent Mechatronics Research Center, Korea Electronics Technology Institute (KETl))
  • 노용수 (전자부품연구원 지능메카트로닉스연구센터) ;
  • 주동명 (전자부품연구원 지능메카트로닉스연구센터) ;
  • 현병조 (전자부품연구원 지능메카트로닉스연구센터) ;
  • 김진홍 (전자부품연구원 지능메카트로닉스연구센터) ;
  • 최준혁 (전자부품연구원 지능메카트로닉스연구센터)
  • Published : 2020.08.18
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Abstract

본 논문은 GaN(Gallium Nitride)전력모듈과 GaN IPM(Intelligent Power Module)의 DPT(Double Pulse Test)를 통한 스위칭 특성 분석에 대해 다룬다. GaN 소자는 낮은 스위칭 손실로 인하여 고속 스위칭이 가능하여 최근 각광받는 소자 중 하나이다. 본 논문에서는 GaN 소자의 DPT를 위한 테스터를 설계/제작하고, 이를 활용하여 전압/전류 별 스위칭 특성을 실험적으로 확인하였다.

Keywords