• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.529-530
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• 2016

직류 전동기는 연속적으로 회전하기 위해서 브러시와 정류자로 이루어진 기계적인 정류 회로를 가진다. 회전자의 위치에 따라 브러시와 정류자의 접촉 구조가 변하고 직류 전동기의 등가 회로 또한 달라진다. 이러한 구조적 문제점 때문에 직류 전동기의 저항, 인덕턴스, 역기전력 상수와 같은 파라미터가 변화하고 전동기가 회전하면서 전기자 전류에 맥동이 발생한다. 본 논문에서는 기계적인 정류 회로를 고려한 직류전동기를 모델링하고 분석하였다. 그리고 브러시와 정류자에 의한 전기자 전류의 맥동이 위치 제어의 응답 특성에 어떤 영향을 미치는지 시뮬레이션을 통해 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.11a
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• pp.13.2-13.2
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• 2009

전도성 고분자는 재료의 경제적 측면 이외에 반도체로서의 다양한 전기적 특성, 생물학적 적합성, 다양한 합성 가능성 등의 우수한 장점을 지니고있어 많은 분야에 응용되고 있다. 그러나 유기물질이라는 한계로 인하여 기존 nano/microfabrication에서 일반적으로 적용되는 패터닝 방법을 적용하는데 어려움이있다. 따라서 많은 연구자들이 독립적인 나노 크기 개체를 만든 후 이의 자가 조립, 혹은 이와 유사한 방법에 의해 소자를 형성하고자 하는 노력을 기울이고 있다.이러한 bottom-up방식에 의한 소자 구성은 나노크기의 전도성 고분자 물질을 소자화하는데에는 성공하고 있으나, 복잡한 패터닝과 다양한 크기의 나노구조체를 정확한 위치에 정렬시키는 문제에 있어서 명확한 해답을 제시하지 못하는 실정이다. 본 연구에서는 현재 보편적으로 이용되고 있는 금속의nano/microfabrication공정과 전도성 폴리머의 전해합성를 복합화하여 고정밀도 및 다양한 패턴의 나노 소자를 구현하고자하였다. 이를 위하여 전해합성 조건에 따른 polypyrrole의전기적 특성을 평가하였으며, 하부 금속전극관의 복합적층화를 통한 접촉저항의 최소화를 구현하고자 하였다. 또한 이와 같은 self-alignedelectropolymerization방법을 이용하여 구성된 nano/micro 소자의 gas sensor 및 bio sensor로서의 적용가능성에 대하여평가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.5-6
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• 2009

In this paper, plasma ion implant is performed with $PH_3$ gas diluted by helium gas on P-type Si wafer (100). Spike Rapid Thermal Processing(RTP) annealing performed for 30~60 sec from $800\;^{\circ}C$ to $1000\;^{\circ}C$ in $N_2+O_2$ ambient. Crystalline defect is analyzed by Transmission Electron Microscope(TEM) and Double crystal X-ray Diffraction(DXRD). Contact resistivity($\rho c$), contact resistance(Rc) and sheet resistance(Rs) are analyzed by measuring Transfer Length Method(TLM) using 4155C analysis. As annealing temperature increase, Rs decrease and ${\rho}c$ and Rc increase at temperature higher than $850\;^{\circ}C$. We achieve low Rs, ${\rho}c$ and Rc with Plasma ion implant and spike RTP.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.167.2-167.2
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• 2016

금(Au) 및 금의 합금도금은 주로 극히 얇고 색상만 나타내는 정도의 장식용으로 많이 사용되고 있으나 단순한 장식품뿐만 아니고 스마트폰, 정보통신 서버, 전자기기, 자동차, 전지용에도 널리 사용되고 있다. 특히 로켓공업이나 인공위성의 와곽부, 엔진에는 필수적이다. 현재 미국의 금도금액 85%는 전자부품과 인공위성(NASA) 등의 공업용에 사용되고 있다. 금도금의 이용가치는 주로 내식성이며 전기저항이 작고 열전도성이 뛰어나 전기접전부에 필수적으로 사용해야만 한다. 또한 2007년 유럽의 RoHS규정에 의해 피부에 접촉하는 팔찌, 귀걸이, 목걸이, 반지 등의 디자인 액세서리 제품에 있어서도 종래의 6가 크롬이나, 납, 수은, 카드뮴 사용이 금지되었다. 종래의 산성, 알칼리성, 중성 금도금에서는 주로 시안(Cyan) 기반의 전처리 탈지액이 사용되고 있어 작업환경에도 유해하며 생산성 감소로 이어지고 있다. 이에 전해 금도금 전처리 탈지공정을 개선함으로써 품질불량 20%감소와 함께 작업환경 개선으로 생산성 30%향상을 기대할 수 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.2047-2048
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• 2011

장애인 보조기구 중 목발은 수요가 높을 뿐 아니라 사용빈도가 꾸준히 증가하고 있는 것으로 보고되고 있다. 많은 사람이 필요로 하고, 사용하고 있는 목발에 대한 지속적인 관리의 필요성은 충분히 인식되고 있으나 품질관리는 잘 이루어지지 않고 있는 실정이다. 본 연구에서는 목발 사용의 대표적 문제점인 바닥접촉 고무부분의 마모가 빠르고 미끄럼 사고가 많이 발생한다는 점에 착안하여 시중에 유통 중인 목발을 수거하여 고무 경도 시험과 미끄럼저항 시험을 진행하였다. 시험 결과를 바탕으로 안전한 목발 사용을 위한 목발 고무받침의 기준을 제시하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2057_2058
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• 2009

반도체 및 평판표시장치(Flat Panel Display) 공정에서 필수적으로 사용되는 박막 두께 측정기를 개발하였다. 측정방식은 FPP법의 dual configuration 측정원리를 적용하였으며 측정범위는 수 nm ~수십 ${\mu}m$이다. 순수한 금속 박막에 대하여 측정이 가능하며 박막 시료의 표면에 probe를 접촉시키면 두께가 자동 측정 되므로 박막 시료의 측정위치에 관계없이 누구나 쉽고 정확하게 사용할 수 있다. 저항 측정기능에서 재현성과 반복성 및 직선성은 0.1 % 이하의 불확도 범위에서 우수한 특성을 나타냈다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1995.11a
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• pp.63-66
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• 1995

The ohmic characterization of Au/Te/Au/n-GaAs structure is investigated by the application of x-ray diffraction, scanning electron microscopy, Auger electron spectroscopy, the specific contact resistance and I-V measurement. Increasing the annealing temperature, the results of XRD measurement show the sharpening of the Au-Ga peak and the increasing of the intensity of Au peak due to the crystallization. At 400$^{\circ}C$, which is the ohmic onset point, Ga$_2$Te$_3$peak gets evident and GaAs regrowth peak appears for the samples annealed at 500$^{\circ}C$. The variation of shottky contact to ohmic contact is confirmed by the I-V curve transition. The specific contact resistance of 3.8x10$\^$-5/$\Omega$-$\textrm{cm}^2$ is obtained for the sample annealed at 500$^{\circ}C$ and above 600$^{\circ}C$ the specific contact resistance increased due to the decomposition of GaAs substrate.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.04b
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• pp.63-64
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• 2009

The TFTs have been fabricated with 3 different geometry SID electrodes which have the same channel W/L ratio (W/L = 5) due to constant channel resistance, The 3 samples have different channel widths (350, 150, and $25\;{\mu}m$) and channel lengths (70, 30, and $5\;{\mu}m$) by fixed channel W/L ratio simultaneously on one chip for reliable comparisons. Resultant on-current and field effect mobility are proportional to the channel width, while the subthreshold swing is inversely proportional to the channel width mainly due to the change of contact resistance. These results show that the contact resistance strongly affects the device performances and should be considered in the applications.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.22 no.9
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• pp.747-750
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• 2009

The TFTs have been fabricated with 3 different geometry SID electrodes which have the same channel W/L ratio (W/L = 5) due to constant channel resistance, The 3 samples have different channel widths (350, 150, and 25 ${\mu}m$) and channel lengths (70, 30, and 5 ${\mu}m$) by fixed channel W/L ratio simultaneously on one chip for reliable comparisons. Resultant on-current and field effect mobility are proportional to the channel width, while the subthreshold swing is inversely proportional to the channel width mainly due to the change of contact resistance. These results show that the contact resistance strongly affects the device performances and should be considered in the applications.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.10
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• pp.1013-1018
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• 1996

The annealing effects of Au/Te/Au/n-GaAs structure was investigated by using x-ray diffraction, scanning electron microscope, the specific contact resistance and I-V measurement. Increasing the annealing temperature, the intensity of Au-Ga peak by X-ray diffraction was increased. The Ga$\_$2/Te$\_$3/peak got evident for the samples annealed at 400.deg. C and GaAs peak by recrystallization appeared for the samples annealed at 500.deg. C. The variation from the schottky to low resistance contact was confirmed by I-V curve. The lowest value of the specific contact resistance of the samples annealed at 500.deg. C was 3.8*10$\^$-5/.ohm.-cm$\^$2/ but the value increased above 600.deg. C.