• Title/Summary/Keyword: 전기전자부품

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Analysis of Immersion Tin Plating Surface Roughness after Micro Etch (Micro Etch에 의한 주석도금 표면의 거칠기 분석)

  • Park, Bo-Hyeon;Oh, Hyun-Sik;Hong, Seok-Pyo;Han, Jung-Min;Hong, Sang-Jeen
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.06a
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    • pp.148-149
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    • 2007
  • 현재 전자부품 시장은 RoHS 규정으로 인하여 lead free화가 진행되고 있으며 많은 주목을 받고 있다. 본 논문에서는 반도체 패키지 및 부품표면일장에서 사용 되는 무전해 주석 도금과정 중 산 탈지 후 막의 표면 거칠기 정도가 도금 후의 표면 거칠기 정도에 미치는 영향을 평가 한다. 실험의 효율성을 높이기 위해 통계적인 실험계획법을 사용하였으며 실험의 횟수를 줄이고 표면 거칠기 정도는 이미지 프로세싱을 통하여 분석하였으며 통계적인 모델링을 통해 micro etch가 도금 표면의 거칠기에 주는 영향을 분석하였다.

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DxR Platform Design for Bio-Signal Acquisition (생체신호 취득을 위한 DxR 플랫폼 설계)

  • Jeon, Ki-Man;Son, Jae-Gi;Kim, Young-Hwan
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2009.04a
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    • pp.714-715
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    • 2009
  • DxR 플랫폼은 바이오 공간융합 생체신호들의 데이터 수집 및 분석, DB 구축을 위한 하드웨어 시스템 개발을 위한 목적으로 설계된 제품으로 실시간 생체신호처리 임베디드 운영체제 탑재 및 S/W 적용이 가능한 다기능 Indoor용 바이오/공간 융합형 플랫폼이다. 본 플랫폼의 주요 특징은 기존 미디어 프로세서 성능보다 더욱 향상된 500Mhz MIPS의 프로세서가 적용되어 시스템 전체의 성능향상이 되었다는 점이며, 다양한 입출력 Port 들을 통해, 생체신호처리에 활용할 수 있고, 유.무선 네트워크 기능을 통해, 수집된 정보의 저장 및 전송을 위한 유연한 환경을 제공할 수 있다.

A Study on the Energy Data Preprocessing Process for Industrial Complex Microgrid Thermal Energy Trading Platform (산업단지 마이크로그리드 열거래 플랫폼을 위한 에너지 데이터 전처리 프로세스에 관한 연구)

  • Lim, Jeongtaek;Kim, Taehyoung;Ham, Kyung Sun
    • Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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    • 2020.07a
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    • pp.355-357
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    • 2020
  • 최근 에너지 효율의 중요성이 높아지고 에너지 공급 형태가 다변화하면서 다양한 에너지원을 효율적으로 관리할 수 있는 마이크로그리드 개념이 중요해지고 있다. 본 연구의 산업단지 마이크로그리드 열거래 플랫폼은 실증사이트의 전기 및 열에너지 모니터링 기능과 열에너지 거래 정산 기능을 가지며, 이를 위해 정확하고 안정적인 실증사이트 데이터가 필요하다. 하지만 실증사이트 데이터는 에너지 단위의 불일치, 센서 및 현장 운영상태에 따른 불안정성 등의 문제가 있어 수집 직후 열거래 플랫폼에서 활용할 수 없다. 따라서 수집된 데이터를 활용하기 위해 엔진 최대 출력량, 최대 전력 사용량 등의 변수별 특성을 고려하여 데이터 전처리 프로세스를 설계 및 적용하였다.

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High Voltage β-Ga2O3 Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs)

  • Mun, Jae-Kyoung;Cho, Kyujun;Chang, Woojin;Lee, Hyungseok;Bae, Sungbum;Kim, Jeongjin;Sung, Hokun
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.32 no.3
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    • pp.201-206
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    • 2019
  • This report constitutes the first demonstration in Korea of single-crystal lateral gallium oxide ($Ga_2O_3$) as a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET), with a breakdown voltage in excess of 480 V. A Si-doped channel layer was grown on a Fe-doped semi-insulating ${\beta}-Ga_2O_3$ (010) substrate by molecular beam epitaxy. The single-crystal substrate was grown by the edge-defined film-fed growth method and wafered to a size of $10{\times}15mm^2$. Although we fabricated several types of power devices using the same process, we only report the characterization of a finger-type MOSFET with a gate length ($L_g$) of $2{\mu}m$ and a gate-drain spacing ($L_{gd}$) of $5{\mu}m$. The MOSFET showed a favorable drain current modulation according to the gate voltage swing. A complete drain current pinch-off feature was also obtained for $V_{gs}<-6V$, and the three-terminal off-state breakdown voltage was over 482 V in a $L_{gd}=5{\mu}m$ device measured in Fluorinert ambient at $V_{gs}=-10V$. A low drain leakage current of 4.7 nA at the off-state led to a high on/off drain current ratio of approximately $5.3{\times}10^5$. These device characteristics indicate the promising potential of $Ga_2O_3$-based electrical devices for next-generation high-power device applications, such as electrical autonomous vehicles, railroads, photovoltaics, renewable energy, and industry.

The Study on Flexible Embedded Components Substrate Process Using Bonding Film (Bonding Film을 이용한 Flexible 부품 내장형 기판 제작에 관한 연구)

  • Jung, Yeon-Kyung;Park, Se-Hoon;Kim, Wan-Joong;Park, Seong-Dae;Lee, Woo-Sung;Lee, Kyu-Bok;Park, Jong-Chul;Jung, Seung-Boo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.178-178
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    • 2009
  • 전자제품의 고속화, 고집적화, 고성능이 요구되어짐에 따라 IC's 성능 향상을 통해 패키징 기술의 소형화를 필요로 하고 있어 소재나 칩 부품을 이용해 커패시터나 저항을 구현하여 내장시키는 임베디드 패시브 기술에 대한 연구가 많이 진행되어 지고 있다. 본 연구에서는 3D 패키징이 가능한 flexible 소재에 능, 수동 소자를 내장하기 위한 다층 flexible 기판 공정 기술에 대한 연구를 수행하였다. 기판제작을 위해 flexible 소재에 미세 형성이 가능한 폴리머 필름을 접착하였고 flexible 위에 후막 저항체 패턴을 퍼|이스트를 이용하여 형성하였다. 또한, 능동소자 내장을 위해 test chip을 제작하여 플립칩 본더를 이용해 flexible 기판에 접합한 후에 bonding film을 이용한 build up 공정을 통해 via를 형성하고 무전해 도금 공정을 거쳐 전기적인 연결을 하였다. 위의 공정을 통해 앓고 가벼울 뿐만 아니라 자유롭게 구부러지는 특성을 갖고 있는 능, 수동 소자 내장형 flexible 기판의 변형에 따른 전기적 특성을 평가하였다.

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삼성전기(주) 공정안전 개선우수사례

  • 윤여송;이통영;김성민
    • Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.153-158
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    • 2002
  • 산업용 및 가정용 전자, 전기기기 및 부품을 생산하는 삼성전기(주)는 수원본사를 포함 국내 공장 3개소, 해외 8개 공장을 보유하고 있는 글로벌 기업으로서 환경 및 안전보건이 경영의 주요한 요소임을 인식하고 환경보호와 안전하고 쾌적한 작업환경 구축 및 무재해 달성을 위해 안전보건 관리에 최선을 다하고 있습니다.(중략)

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V+Tech 전기-광PCB 기술 - 전기-광PCB 기술이 고속.고화질 전송 시대를 연다

  • 전자부품연구원
    • Venture DIGEST
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    • no.1 s.126
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    • pp.16-18
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    • 2009
  • 구리는 가라. 빛을 통한 신호 전송이 PCB에서도 구현된다.' 구리가 아닌 광 회로를 통해 신호를 전달할 수 있는 광PCB 기술이 한창 개발되고 있다. 광PCB의 전송속도인 2.5Gbps보다 수십 배 빠른 속도를 구현함으로써 고속 데이터 전송 및 처리를 필요로 하는 컴퓨터, 휴대폰, 게임기 등 각종 첨단 분야에 폭넓게 응용되고 있다. 초고속 스피드 시대를 열어 갈 전기-광PCB 기술을 소개한다.

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