A design criterion of grounding systems is commonly based on low frequency resistance in Korea. When lightning surges which have high frequency components are injected into the grounding system, the grounding impedance is greatly different from the static grounding resistance. This paper presents the grounding adimittance and phase on the frequency range from 100 [Hz] to 15 [MHz] using water tank simulating the grounding system in different water resistivities. As a result, capacitive effect is dominant over the frequency of 100 [kHz] at the water resistivity of 1,000 [$\Omega$ m]. On the other hand, the inductive characteristics appear at the low water resistivity. Consequently, dependence of grounding impedances on the frequency of injected current is strongly related to resistivity.
This paper presents the method of sail-resistivity estimation using the backpropagation(BP) neural network. Existing estimation programs are expensive, and their estimation methods need complex techniques and take much time. Also, those programs have not become well spreaded in Korea yet. Soil resistivity estimation method using BP algorithm has studied for the reason mentioned above. This paper suggests the method which differs from expensive program or graphic technology requiring many input stages, complicated calculation and professional knowledge. The equivalent earth resistivity can be presented immediately after inputting apparent resistivity through the personal computer with a simplified Program without many Processing stages. This program has the advantages of reasonable accuracy, rapid processing time and confident of anti users.
Pixel-Design Array Simulation Tool(PDAST) was used to profoundly the gate signal distortion and pixel changing capability, which are the most critical limiting factors for high-quality TFT-LCDs. Since PDAST can simulate the gate, data and pixel voltages of a certain pixel on TFT array at any time and at any location on an array, the effect of the resistivity of gate line material on the pixel operations can be effectively analyzed. The gate signal delay, pixel charging ratio, level-shift of the pixel voltage were simulated with varying the resis5tivity of the gate line material. The information obtained from this study could be utilized to design the larger area and finer image quality panel.
The current-carrying capacities in IEC standards for underground refers to a soil thermal resistivity of 2.5[$K{\cdot}m/W$] where no measured data are available. But this value is considered too conservative and may not justifiable economically as to need precaution in using the value. In this paper, the standard practices on the application of soil thermal resistivity of some countries(UK, USA etc) are surveyed and proposed a reasonable representative value 1.0[$K{\cdot}m/W$] of soil thermal resistivity considering the domestic soil thermal properties with regard to the application of IEC standard.
Transparent conducting indium tin oxide (TC-ITO) thin films are deposited on soda lime glass by a dc magnetron sputtering technique having the unbalanced-magnet structure in order to improve the electrical/material characteristics and to avoid the surface damages. The material properties are measured by the x-ray diffractometer (XRD) and atomic force microscope (AFM). The (400) peak as the preferred orientation of <100> direction for ITO thin films is stabilized with the increase of substrate temperature. The surface roughness estimated by AFM 3D image at the substrate temperature of 40$0^{\circ}C$ is extremely uniform. The best resistivity of ITO films (5500 $\AA$ thick) at 40$0^{\circ}C$ is about 1.3$\times$10$^{-4}$$\Omega$cm on the position of 4 cm from substrate center.
This paper describes underwater discharge phenomena which are less studied than gas, solid and dielectric liquid. Since discharge phenomena were affected by various factors, we investigated the effect of water resistivity in point-plane gap by impulse voltage. In discharge photograph, it is hard to discover the streamer development in positive polarity at high reisistivity. On the other hand, the streamer originated at the tip of rod and developed toward the plane with increasing voltage. It is found that the breakdown voltage of both polarities in lower resistivity are lower than that of high resistivity. High current flowing in lower resistivity before the breakdown induce more streamer and enhance the probability of breakdown.
Earth equipments are essential to protect ITS facilities from abnormal situation. In this research, an estimation algorithm of earth parameters and equivalent resistivity is introduced. Traditional estimation methods can be divided into graphic method and numerical method. The result of graphic method is varied by the ability of expert or repeated calculation and it is hard to estimate the parameters precisely. The numerical method requires special techniques such as optimizing theory, and numerous calculations, whose results can be varied with initial values. The proposed algorithm is based on the relationship between apparent resistances and earth parameters and approximates the nonlinear characteristics of earth using ANN(artificial neural networks). The effectiveness of proposed method is verified in case studies.
정확한 두께와 조성 제어, 훌륭한 재현성의 박막을 형성할 수 있는 Atomic layer deposition 방법으로 증착시킨 ZnO 박막은 여러 분야에 적용될 수 있기 때문에 최근 많은 주목을 받고 있다. ALD-ZnO 박막을 형성하기 위하여 가장 흔히 사용되는 전구체 (precursor)와 반응체 (reactant)는 DEZ(DiethylZinc)와 $H_2O$이다. 그러나 DEZ 전구체를 사용한 ALD-ZnO 박막은 낮은 열적 안정성이 문제로 지적되어져 왔으며, 또한 여러 분야의 적용 및 산업화를 위해서는 높은 증착률, 큰 범위의 전기적 저항, 높은 투과도가 필요로 한다. 본 연구에서는 atomic layer deposition 기법을 통해 열적 안정성을 가진 새로운 전구체인 DEZDMEA ($Et_2Zn:NEtMe_2$)을 사용하여 ZnO 박막을 증착하였다. DEZDMEA ($Et_2Zn:NEtMe_2$) 및 $H_2O$ 주입 시간에 따른 증착률와 전기적 성질, 투과도를 조사하였다.
반도체 소자가 초고집적화 되어감에 따라 반도체 공정에서 선폭은 줄어들고 박막은 다층화 되어가고 있다. 이와 같은 제조 공정 하에서는 Si 기판과 금속 박막간의 확산이 커다란 문제로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 높은 확산성에 의하여 Si 기판과 접합에서 많은 확산에 의한 문제가 발생하게 되며, 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이러한 확산을 방지하기 위하여 이 논문에서는 Tungsten - Carbon - Nitrogen (W-C-N)에 Boron (B)을 첨가하였고, Boron 타겟 power을 조절하여 다양한 조성을 가지는 W-B-C-N 확산방지막을 제작하여 각 조성에 따른 증착률을 조서하였고 $1000^{\circ}C$까지 열처리하여 그 비저항을 측정하여 각 특성을 확인하였다.
소프트 일렉트로닉스에 대한 많은 수요로 인해 신축성 전극이 주목 받고 있다. 그 후보 중 하나인 카본블랙 복합소재(composite)는 낮은 가격, 용이한 공정성뿐 만 아니라 특정 범위에서 인장에 따라 비저항이 감소하는 장점을 가지고 있다. 하지만 전자소자로 쓰이기엔 전기전도도가 좋지 못 한 단점을 가지고 있다. 그래핀은 2차원 나노구조의 카본 계열 물질로서 뛰어난 전기적 특성과 유연성을 가지고 있으며 그래핀의 첨가로 카본블랙 복합소재의 전도성을 향상시킬 것으로 예상된다. 본 연구에서는 그래핀을 카본블랙 전극에 첨가하여 강화된 전기적 특성을 조사하였다. 그래핀 첨가 카본전극의 전기저항률은 카본블랙 전극과 비교해 감소하였다. 이는 그래핀이 서로 접촉하지 않는 카본블랙 응집체를 연결하여 도전 구조를 강화하였기 때문이다. 또한 그래핀은 인장 시 나타나는 카본블랙 전극의 저항증가를 감소시켰다. 그 원인은 그래핀이 인장 시 멀어지는 카본블랙 응집체 간극을 연결함과 동시에 인장방향으로 정렬되기 때문이다. 결론적으로 그래핀 첨가는 카본블랙 복합소재의 전기적 특성을 향상시켜 신축성 전극으로서 2가지 효과를 부여한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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