• 센서학회지
• /
• 제7권1호
• /
• pp.39-44
• /
• 1998

연속적인 단일모드 광섬유에 설치 가능한 저반사율을 가진 광섬유 거울들이 기계식 접합기와 깨끗이 절단된 끝단면에 $TiO_{2}$ 유전체 물질로 코팅된 광섬유 단편들을 사용하여 만들어 졌다. 0.1%의 반사율을 가진 광섬유 거울들이 만들어 졌을 때 광섬유 거울의 삽입손실의 범위는 0.055dB 부터 0.3dB 였으며 평균 삽입손실은 0.15dB였다. 저반사율을 가진 광섬유 거울들은 필드에서 쉽게 만들어 질 수 있었다.

• 한국ITS학회 논문지
• /
• 제12권6호
• /
• pp.37-43
• /
• 2013

본 논문에서는 SIR(Stepped Impedance Resonator) 구조를 이용한 초광대역(UWB:Ultra Wide Band) 개방형 스터브 대역통과 여파기를 제안한다. 제안한 개방형 스터브 대역통과 여파기는 초광대역을 구현하기 위해 스터브 위치에 SIR 구조를 적용하였으며 낮은 삽입손실을 갖는다. 제안된 대역통과 여파기의 대역폭은 중심 주파수 5.8GHz에서 103% 이고, 삽입 및 반사손실은 각각 0.17dB 및 13.1dB이며 전체의 크기는$21.6{\times}17.8mm^2$ 이다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
• /
• 제13권2호
• /
• pp.33-43
• /
• 2002

현대의 레이다나 통신 시스템에 있어 위상 배열안테나는 필수 구성요소이고 이러한 위상 배열 안테나에는 수 천개의 독립적인 위상제어기가 사용되어지고 있다. 따라서 대량생산이 가능하면서도 성능이 우수한 저손실, 저가격의 True-Time Delay (TTD)를 지원하는 위상천이기가 크게 요구되고 있는 실정이다. 최근 몇 년 동안 MEMS 공정을 이용한 저손실 RF 스위칭 소자와 가변 캐패시터가 성공적으로 개발되었으며 이러한 저손실의 MEMS 스위칭 소자를 이용한 위상천이기 구현이 가능하게 되었다. 본 논문에서는 크기나 전력소모, 삽입손실 등에서 우수한 고주파 특성을 갖는 RF MEMS (Micro-Electro Mechanical System) 스위치에 대해서 간략히 언급하고 이를 이용한 위상천이기와 기존의 위상천이기를 비교 분석하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제28권4호
• /
• pp.97-101
• /
• 2021

본 연구에서는 실험 설계법을 통해 인터포저에서 Through Silicon Via (TSV) 및 Redistributed Layer (RDL)의 구조적 변형에 따른 삽입 손실 특성 변화를 확인하였다. 이때 3-요인으로 TSV depth, TSV diameter, RDL width를 선정하여, 구조적 변형을 일으켰을 때 400 MHz~20 GHz에서의 삽입 손실을 EM (Electromagnetic) tool Ansys HFSS(High Frequency Simulation Software)를 통해 확인하였다. 반응 표면법을 고려하였다. 그 결과 주파수가 높아질수록 RDL width의 영향이 감소하고 TSV depth와 TSV diameter의 영향이 증가하는 것을 확인했다. 또한 분석 범위 내에서 RDL width를 증가시키면서 TSV depth를 감소시키고 TSV diameter를 약 10.7 ㎛ 고정하는 것이 삽입 손실을 가장 최적화 시키는 결과가 관찰되었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제20권2호
• /
• pp.107-114
• /
• 2009

본 논문에서는 저출력에서의 효율을 높이기 위한 전력 증폭기 시스템과 이 시스템에 필요한 재구성성이 있는 전력 분배기를 제안한다. 저출력에서의 효율을 높이게 되면, 무선 통신용 선형 전력 증폭기의 평균 효율을 높일 수 있다. 제안한 전력 분배기는 출력의 크기에 따라 고출력 모드와 저출력 모드로 동작한다. 각 모드에서 신호의 경로가 재구성되고 임피던스 정합도 이루어진다. 이러한 재구성성이 있는 전력 분배기는 두 개의 $\lambda/4$ 결합 선로(coupled line)와 두 개의 스위치로 구성된다. 제작된 전력 분배기는 중심주파수 0.9 GHz에서 고출력 모드일 때 반사손실($S_{11}$)과 삽입손실($S_{21}$)이 각각 -16.49 dB와 -0.83 dB, 저출력 모드일 때 반사 손실($S_{11}$)과 삽입손실($S_{31}$)이 각각 -16.28 dB와 -0.73 dB였다. 이 결과를 통해 각 모드에서 신호의 경로가 재구성되며 임피던스 정합이 이루어지는 것을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제48권9호
• /
• pp.6-12
• /
• 2011

본 논문에서는 장거리, 저 손실 FTTH 구성에 필요한 현장조립 광커넥터(FIOC)의 접속 신뢰성과 성능 향상을 위한 방법을 제시한다. 이를 위해 FIOC의 내부 광섬유(inner fiber)와 외부 광섬유(field fiber)의 접속 면 각도를 최적화하여 별도의 각도 맞춤 툴과 광섬유 유각 절단기(fiber angled cleaver) 없이 조립하여도 저 손실 접속이 가능하도록 하였다. FIOC의 내부 광섬유(inner fiber)의 각도를 angled cleaver를 이용해 $2^{\circ}$로 고정하고, 외부 광섬유(field fiber)는 일반 광섬유 절단기를 이용해 오차를 포함해서 $0^{\circ}{\sim}1^{\circ}$의 각도로 서로 접속하여 삽입손실은 0.3dB 이내로 줄이고, 반사손실은 -60dB 이하를 유지 할 수 있도록 하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제47권7호
• /
• pp.128-134
• /
• 2010

본 논문에서는 저부엽과 저손실 특성을 갖는 고전력 20-출력 스트립라인 전력분배기를 설계, 제작하고 측정하였다. 20-출력전력분배기는 S 대역 선형 배열 안테나의 급전회로를 위해 설계되었으며, 좁은 빔폭과 매우 낮은 저부엽 특성을 위해 Dolph-Chebyshev 전류 분포를 활용하였다. 20-출력 전력분배기는 8-출력 분배기 1개, 4-출력 분배기 3개와 링 하이브리드 전력분배기 3개로 구성되었으며, 전력분배의 기본적인 구조로는 T-접합 분배 구조를 사용하였다. 삽입손실과 반사손실을 개선하기 위해서 노치를 T-접합 분배 구조에 적용하였으며 N형 커넥터와 스트립라인 사이의 천이구조를 수정하였다. 설계, 제작된 전력분배기는 대역 내에서 약 0.3 dB의 삽입손실과 8o 보다 작은 rms 위상 부정합 특성을 보였다. 20-출력 전력분배기 2개를 대칭적으로 구성할 경우 40 dB 이상의 저부엽 특성 결과를 20-출력 전력분배기 측정 결과로부터 합성할 수 있었다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
• /
• 제12권3호
• /
• pp.60-68
• /
• 2001

본 논문에서는 최근 초소형 기술로 각광받고 있는 MEMS(MicroElectroMechanical System) 기술을 이용한 무선통신 분야의 응용을 제고한다. RF ME- MS 기술은 기존의 기술들에 비해 크기나 전력소모, 삽입손실 등에서 우수한 고주파 특성을 갖는 소자 나 부품을 만들 수 있으며 특히 휴대용 단말기에 적 용 가능한 RE 부품들 즉 저손실 전송선로, 스위치, High Q inductor, 안테나 등의 주요 부품에 대한 연 구가 많이 이루어지고 있다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제18권7호
• /
• pp.809-818
• /
• 2007

일반적으로 MIC(Microwave Integrated Circuit) 집적 회로의 경우, 조립 및 개별 측정 그리고 수리의 용이성을 위하여 기능별로 마이크로웨이브 회로가 장착된 캐리어를 이용하여 조립되게 되는데, 캐리어 모듈간의 연결시 마이크로스트립으로 구성된 회로를 와이어 본딩으로 직접 연결할 경우, 캐리어에 의한 깊이와 간격에 따라 주파수가 높아질수록 부정합에 의한 삽입 손실은 커지게 된다. 반면 CPW의 경우 전자계가 윗면에 주로 형성되어 있어 이를 통하여 연결할 경우 캐리어 깊이의 영향을 적게 받아 낮은 삽입 손실을 가져올 수 있다. 따라서 본 논문에서 MIC 캐리어 연결시 적용 가능한 저 손실을 갖는 CBFGCPW(Conductor Backed Finite Ground CPW)-microstrip 천이 구조를 제안하고 해석하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제8권5호
• /
• pp.452-461
• /
• 1997

PIN 다이오드를 사용한 직렬 마이크로스트립 감쇠기 회로는 PIN 다이오드 등가 회로상의 접합 커패시턴스의 영향으로 인해 감쇠량의 변화에 따라 위상 변화가 많이 발생하게 된다. 본 논문에서는 이러한 감쇠량에 따른 위상 변화량을 최소화하기 위한 CAD 방볍을 제안한다. 설계된 감쇠기 회로는 마이크로스트립 선로의 리액턴스 값이 주파수에 따라 용량성과 유도성으로 변하는 특성을 이용한다. 또, 감쇠기 회로의 위상에 영향을 주는 바이어스 회로의 위상 변화량을 미리 예측하여, 그 양을 최소화하고 광대역상에서 동작하도록 하기 위하여 반달 모양의 방사형 동조 스터브로 종단되어진 $\lambda$/4 전송선을 이용하였다. 제안된 저위상 변화 감쇠기를 측정한 결과, 최대 삽입 손실은 1GHz에서 2.5dB이었으며, PCS 대역 내에서는 1dB 미만이었다. 삽입 손실 상태에 대해 정규화 되어진 위상 변화량은 10 dB 감쇠량까지 1.2-1.9 GHz의 대역내에서는 평균 1.27였다. 설계 대역 내에서 감쇠 량에 따콘 작은 위상 변화, 감쇠량의 평탄도, 엽.출력 반사 손실을 고려할 때, 실제 유용한 대역은 1.4-1.9 G GHz까지임을 알 수 있었으며, 이 대역 내에서 0-10 dB의 감쇠량까지 입.출력 반사 손실은 10 dB 이상이었다.