최근 저항이나 캐패시터와 같은 수동소자를 PCB의 내층에 제조하는 임베디드 패시브 기술이 고성능의 IT 제품을 제조하는데 사용되고 있다. 그런데 임베디드 캐패시터는 정전용량 밀도가 낮아 회로소자로서의 전반적인 응용에 한계가 있다. 본 논문에서는 이러한 한계를 극복하기 위하여 wrinkle형의 전극과 유전체 층을 가진 새로운 임베디드 캐패시터를 제안하였다. FEM 기법을 사용하여 wrinkle형 임베디드 캐패시터의 정전용량 밀도를 평가하였다. Wrinkle형 임베디드 캐패시터는 기존의 평면형 임베디드 캐패시터에 비하여 25.6%$\sim$39.6% 정도 큰 정전용량 밀도를 나타내었다. 특히, thin film형 임베디드 캐패시터에 wrinkle 구조를 적용할 때 정전용량 밀도가 보다 많이 향상되었다.
전자제품의 고속화, 고집적화, 고성능이 요구되어짐에 따라 IC's 성능 향상을 통해 패키징 기술의 소형화를 필요로 하고 있어 소재나 칩 부품을 이용해 커패시터나 저항을 구현하여 내장시키는 임베디드 패시브 기술에 대한 연구가 많이 진행되어 지고 있다. 본 연구에서는 3D 패키징이 가능한 flexible 소재에 능, 수동 소자를 내장하기 위한 다층 flexible 기판 공정 기술에 대한 연구를 수행하였다. 기판제작을 위해 flexible 소재에 미세 형성이 가능한 폴리머 필름을 접착하였고 flexible 위에 후막 저항체 패턴을 퍼|이스트를 이용하여 형성하였다. 또한, 능동소자 내장을 위해 test chip을 제작하여 플립칩 본더를 이용해 flexible 기판에 접합한 후에 bonding film을 이용한 build up 공정을 통해 via를 형성하고 무전해 도금 공정을 거쳐 전기적인 연결을 하였다. 위의 공정을 통해 앓고 가벼울 뿐만 아니라 자유롭게 구부러지는 특성을 갖고 있는 능, 수동 소자 내장형 flexible 기판의 변형에 따른 전기적 특성을 평가하였다.
본 논문에서는 내장된 수동형 트리플렉서와 듀얼 밴드/트라이모드 RF 모듈을 PCB에 내장시켜서 북미향 CDMA용 부품으로 제작하였다. 수동형 트리플렉서는 모든 수동 소자들을 다층 PCB 기판 안에 내장시키고 그 위에 GPS용 SAW 대역통과필터를 이용하여 설계 및 제작하였다. 8개의 인덕터와 커패시터로 이루어진 수동 회로는 다이플렉서와 병렬 공진기, 임피던스 매칭 회로로 구성되어 있다. CDMA용 듀얼밴드/트라이모드 RF 모듈은 트리플렉서와 CDMA, PCS용 듀플렉서를 테스트 보드 위에 조합하여 제작하였다. 측정된 주파수 특성들은 시뮬레이션 값과 비교적 일치하였다. 트리플렉서와 듀얼 밴드/트라이모드 RF 모듈은 각기 $3{\times}4mm^2$와 ${7\times}7mm^2$의 작은 크기였다. 설계 및 제작된 소자들은 고성능과 경박단소화, 저가화 등의 이점이 있기 때문에, 북미향 CDMA용 단말기의 응용부품에 적용될 수 있을 것으로 예상된다.
반도체 공정의 미세화 및 마이크로 시스템 기술의 발전 그리고 소형 무선PAN 및 이동통신 장치들의 급증으로 인하여 전자부품들의 소형화와 직접화에 대한 요구가 지속적으로 증가되고 있다. 본 연구에서는 휴대형 무선PAN 및 이동통신용 전자회로 설계에 다양한 목적으로 널리 사용되고 있는 기저대역의 수동소자들 중 미세 커패시터의 안정성과 전기적 특성을 확보하기 위하여, 유전체인 AIN을 사용하여 MIM구조로 제작된 미세 박막 커패시터 소자의 전기적인 특성을 분석하고 기저대역에서의 성능을 평가한다. 또한 제작된 미세 박막형 커패시터의 용량제어 방법을 제시함으로서 기저대역에서 범용으로 사용할 수 있는 미세 박막 커패시터의 모델을 제시하고자 한다. 또한, 주파수 대역에 따른 MIM구조의 AIN 커패시터 특성을 분석함으로서 향후 임베디드 소자와 집적화를 위한 고정밀의 미세수동 소자로서의 활용방안을 제시하고자한다.
In this paper, the frequency detector which detects the clock frequency of the embedded system is proposed and analyzed. The proposed frequency detector is consisted of filter and peak voltage detector. The clock signal is converted from square wave to triangular wave by the filter. The peak voltage of the triangular wave is determined according to the frequency response of filter. The peak voltage detector detects and holds the peak voltage of the signal. Moreover, the proposed clock frequency detector can detect the frequency within 1ms and it gives guarantee of real-time operation.
집적회로기판의 소형화 추세에 따라 커패시터, 인덕터, 저항과 같은 수동소자를 PCB기판 내부에 임베딩하는 연구가 국내외에서 활발하게 진행되고 있다. 본 논문에서는 폴리머-금속-세라믹의 3상복합체 구조를 가지는 임베디드 커패시터의 온도변화에 따른 유전불성변화에 대하여 고찰하였다. 매트릭스를 형성하는 고분자 재료로는 PMMA를 사용하였으며, 충분히 혼합된 분말을 PMMA의 유리 전이온도 보다 높은 온도에서 프레싱하여 시편을 제조하였다. 유전특성은 임피던스분석기 및 LCZ미터를 이용하여 측정하였으며, 실험결과는 혼합법칙과 Percolation 이론을 이용하여 해석하였다.
집적회로기판의 소형화 추세에 따라 커패시터, 인덕터, 저항과 같은 수동소자를 PCB 기판내부에 임베딩하는 연구가 국내외에서 활발하게 진행되고 있다. 본 논문에서는 polymer-metal-ceramic의 3상 복합체 구조를 가지는 임베디드 커패시터에서 Bimodal PZT분말에 따른 유전 특성에 대하여 고찰하였다. 매트릭스를 형성하는 고분자 재료로는 PMMA(polymethyl methacrylate)를 사용하였으며, 충분히 혼합된 분말을 고온에서 프레싱하여 시편을 제조하였다. 유전특성은 임피던스분석기 및 LCZ 미터를 이용하여 측정하였으며, 실험결과는 혼합법칙과 Percolation 이론을 이용하여 해석하였다.
최근 20년 동안 스핀 스프레이 방법으로 제조된 페라이트 필름이 갖는 여러 가지 우수한 점들이 보고되어 왔다. 기존의 벌크 페라이트 재료와 달리 고주파 특성이 우수하며, $100^{\circ}C$ 이하에서 저온 공정이 가능한 점이 그것이다. 따라서 상기의 방법을 이용하여 micro DC-DC 컨버터용 Ni-Zn 페라이트 인턱터를 제조하였으며, 기판재료는 폴리이미드를 사용하였고, 라미네이션과 비아홀 가공, 도금 공정을 이용하여 임베디드 형태를 완성하였다. 또한 Ni-Zn ferrite는 절연체이므로 다른 절연층을 형성하지 않았다. 제조된 Ni-Zn ferrite 는 약 0.61 T의 포화자화, 약 110의 실수 투자율을 보였고, 인덕터의 특성은 스파이럴 16턴 디자인의 경우 5 MHz에서 1.52 H에 Q-factor 24.3, 정격전류 863 mA였다.
삼중대역(2.3/2.5/3.5GHz) m-WiMAX 시스템의 제작을 위한 8층의 인쇄회로기판을 제작하였다. 고주파 동작시에도 우수한 성능을 확보하기 위하여 저유전율을 사용한 인쇄회로기판을 제작하였다. 또한 시스템 전체의 크기를 축소하기 위하여 수동소자를 삽입시킨 임베디드 인쇄회로기판을 제작하였다. 그 결과 시스템 면적의 9%를 줄일 수 있었다. 제작된 인쇄회로기판을 사용하여 삼중대역 m-WiMAX 시스템이 제작되었으며, 인터넷 연결 테스트를 성공적으로 수행하였다. 개발된 임베디드 인쇄회로기판은 시스템의 면적 축소와 저신호 손실 RF 통신 시스템에 효과적인 대응을 가능하게 할 것이다.
Embedded capacitor technology is one of the effective packing technologies for further miniaturization and higher performance of electric packaging system. In this paper, the embedded capacitors were simulated and fabricated in 8-layered printed circuit board employing standard PCB processes. The composites of barium titanante($BaTiO_3$) powder and epoxy resin were employed for the dielectric materials in embedded capacitors. Theoretical considerations regarding the embedded capacitors have been paid to understand the frequency dependent impedance behavior. Frequency dependent impedance of simulated and fabricated embedded capacitors was investigated. Fabricated embedded capacitors have lower self resonance frequency values than that of the simulated embedded capacitors due to the increased parasitic inductance values. Frequency dependent capacitances of fabricated embedded capacitors were well matched with those of simulated embedded capacitors from the 100MHz to 10GHz range. Quality factor of 20 was observed and simulated at 2GHz range in the 10 pF embedded capacitors. Temperature dependent capacitance of fabricated embedded capacitors was presented.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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