• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.1
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• pp.48-54
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• 1998

The effect of coating thickness on the contact fracture was studied, in Si3N4 coated Si3N4-BN system When the elastic/plastic mismatch is relatively large betwen two layers in bilayer certain critical coating thickness was required to prevent cone crack initiation and this critical thickness was decreased by de-creasing the elastic/plastic mismatch,. In addition the required critical thickness should be increased when higher loads apply. In conclusion an appropriate coating thickness should be designed by elastic/plastic mismatch between two layers and environment (applied load) to prevent the coating fracture

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2012.04a
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• pp.5-8
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• 2012

임계마하수란 에어포일의 표면에서 음속에 도달하는 부분이 생기기 시작하는 가장 낮은 Mach number라 한다. 임계마하수는 천음속에서 자유류가 임계마하수보다 조금 커지면 항력이 급격하게 증가하게 된다. 그렇기 때문에 임계마하수가 큰 에어포일이 천음속 항공기 설계에 있어서 매우 중요한 역할을 하게 된다. 이번 연구는 학부과정에서 배운 임계마하수에 대해 정의하고, EDISON_CFD를 이용하여 에어포일에 따라서 임계마하수가 달라지는 것을 확인해 보았다. 그 결과 에어포일이 두꺼워질수록 낮은 마하수에서 Shock이 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 마지막으로 EDISON_CFD를 이용하여 계산된 임계마하수 값과 이론값을 비교한 결과, 높은 정확도를 확인할 수 있었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.7 no.2
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• pp.13-19
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• 2000

Shear strengths of BGA solder joints on Cu pads were studied for Cu-containing Sn (0, 1.5, and 2.5 wt.% Cu) and Sn-40Pb (0 and 0.5wt.% Cu) solders, with emphasis on the roles of the Cu-Sn intermetallic layer thickness and the roughness of the interface between the intermetalic layer and solder. The shear strength test was performed for as-soldered solder joints with various soldering reaction times up to 4 min. The addition of Cu to the pure Sn solder results in an enhanced growth of the intermetallic layer whereas the effect of Cu addition to the Sn-40Pb solder is primarily on the reduction of the roughness of the intermetallic/solder interface. The critical thickness of the intermetallic layer for a maximum shear strength depends on the solder materials, which was measured to be ~ 2.3 $\mu\textrm{m}$ for Sn-Cu solders and ~ 1.2 $\mu\textrm{m}$ for Sn-Pb-Cu solders. The shear strength at the critical intermetallic layer thickness seems to increase as the intermetallic/solder interface becomes rougher. This is in accordance with the observation that the sheared fracture occurred initially within the solder tends to shift towards the intermetallic/solder interface as the intermetallic layer grows above the critical thickness.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.13-14
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• 2002

우물두께가 각각 1.5, 3.0, 4.5, 6.0 nm이고 장벽두께가 7.5 nm로 일정한 10 주기의 In0.15Ga0.8SN/GaN 다중 양자우물 구조(MQW)의 구조적 특성변화를 HRXRD(high resolution X-ray diffraction)를 이용하여 조사하였다. 구조적 특성변화를 살펴보기 위해 GaN (0002) 회절면의 ω/2θ-scan과 ω-scan 그리고 GaN (10-15) 역격자점 주위의 산란강도 분포도를 측정하였다. 우물두께가 증가할수록 시료의 평균변형률이 증가하였고, 우물두께가 1.5, 3.0, 4.5 nm인 MQW는 GaN 에피층과 격자정합을 이루며 성장된 반면 6.0 nm인 시료에서는 격자이완이 나타나 결정성이 저하된 것을 확인할 수 있었다. (그림 1) 따라서 본 연구에서 사용한 시료에서 6.0 nm의 우물두께가 격자이완의 임계두께임을 알 수 있었다. PL(photoluminescence) 스펙트럼 결과를 통하여 6.0 nm 우물두께의 시료가 다른 시료에 비하여 상대발광강도가 낮아지는 것을 관찰하였으며 이것은 XRD를 이용한 시료의 결정성 변화와 잘 일치하였다. (그림 2) 따라서 PL 발광강도는 격자이완에 의하여 생성된 결함에 의하여 영향을 받는 것을 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.3
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• pp.310-315
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• 1995

기계적으로 연마한 고속도강과 구리 두 종류의 서로 다른 기판상에 dc 마그네트론 스파터법으로 TiN 박막을 성막시켜 코팅층의 비커스 미소경도를 측정하였다. 압입체의 침투깊이와 시험하중과의 관계를 log-log 좌표상에 도시함으로써 기판의 영햐응ㄹ 받지 않고 코팅층만의 경도를 측정할수 있는 최대하중인 임계하중(critical load)을 구할수 있었다. 임계하중을 가했을 때 압입체의 침투깊이와 코팅층 두께간의 비율은 코팅층의 두께에 무관하였고 기판의 경도에 크게 의존하였다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2002.05a
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• pp.103-103
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• 2002

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.3
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• pp.192-196
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• 2007

ZnSe/CdSe/ZnSe single quantum wells with different well thickness were grown by hot wall epitaxy. The quantum well thicknesses were measured by TEM. The critical thickness of single quantum well layer was found to be about $9{\AA}$ from the intensities and the full-width at half maximum of photoluminescence(PL) spectra. When the thickness of quantum wells was less than the critical thickness, the Stoke's shift was confirmed from the comparison between PL and photoluminescence excitation spectra, and it may be due to the exciton binding energy. The PL peak energy dependence on the quantum well thickness was coincident with the theoretical values.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.S1
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• pp.196-201
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• 1995

새로운 증착방법인 UHV-ECRCVD를 이용하여 기판온도 $440^{\circ}C$의 저온에서 격자이온이 일어나지 않고 완벽한 정합상태를 유지하고 있는 무전위 SiGe 에피박막을 성장시켰다. 박막의 두께는 기계적 평형이론(mechanical equilibrium theory)인 Mattews-Blakeslee 임계두께를 초과하였으며, 따라서 본 연구에서 사용하는 낮은 기판온도에 의해 격자이완이 억제되고 있음을 알았다. 한편 성장시에 가해주는 GeH4의 유량이 증가함에 따라 박막내에 GeH4으로부터 생성된 무거운 ion의 기판입사량이 증가하여 격자손상(lattice damage)에 의한 결함이 증가하므로 높은 Ge 함량을 갖는 무전위 SiGe 에피박막을 얻을 수 없었다. 그러나 전체압력을 증가시켜서 에피층을 성장시키면 격자손상에 의한 결함은 생성되지 않았으며, 따라서 전체압력을 증가시키면 높은 Gegkafid을 갖는 무전위 SiGe 에피박막을 성장시킬 수 있을 것이라고 생각된다. 이것은 전체압력 증가로 인해 ECR 플라즈마 안의 전자온도가 감소하여 성장을 주도하는 활성종(reactive species)이 ion에서 radical 로 바뀌기 때문이라고 추정하였다. 본 연구에서는 박막의 Ge 함량이 증가함에 따라 에피층의 성장속도가 증가하는 현상을 관찰하였다. 따라서 ECR 플라즈마를 사용하는 본 연구에서도 표면에서의 수소탈착이 성장속도결정단계임을 알 수 있었다. 한편 인입률(incorporation ratio)은 1에 근접하였으며, 이것은 플라즈마에 의한 원료기체의 분해과정이 thermal CVD와는 달리 무차별적으므로 SiH4과 GeH4의 분해효율이 크게 다르지 않기 때문이라고 추정하였다.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2001.06a
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• pp.298-303
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• 2001

The critical thickness of an epitaxial film on a substrate in electronic or optoelectronic devices is studied on the basis of equilibrium dislocation analysis. Two geometric models, a single dislocation and an array of dislocations in heteroepitaxial system, are considered respectively to calculate the misfit dislocation formation energy. The isotropic linearly elastic stress fields for the models are obtained by means of complex potential method combined with alternating technique, and are used for calculating the formation energies. As a result, the effect of elastic mismatch between film and substrate on critical thickness is presented and $Si_xGe_{1-x}/Si$ epitaxial structure is analyzed to predict the critical thickness with varying germanium concentration.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07a
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• pp.561-564
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• 2003

본 연구는 고온 초전도 자속 흐름 트랜지스터의 채널 식각 두께에 따른 임계 특성의 자동 측정을 위해 나노옴/마이크로 볼트 미터 와 전원공급기 등 측정에 필요한 장비들을 GPIB 인터페이스 보드를 통해 PC와 연결하여 측정 장치를 구축후 직접 제작한 측정 프로그램을 통해 자동으로 시편에 전류, 전압을 가한후 임계 특성값을 효율적인 방법으로 측정하고 측정 결과값들을 시간순서 및 측정 대상에 따라 데이터 베이스화 하는 방법에 대하여 소개한다. 부수적으로 임계 특성의 정확한 측정을 위해 실험에 변수가 되는 요소들을 찾아내고 실험 데이터값들로부터 오차를 발견, 오차의 원인이 되는 식각 방법 및 실험 환경등의 부가적인 요소들을 고려하여 개선된 측정 장치를 구축하는데 경제적, 시간적인 효율성 측면에 대해 언급했다.