• Title/Summary/Keyword: 윤형섭

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Necking Formation in Drawing Processes of Fibers (섬유의 연신 공정에서의 네킹 형성)

  • 윤형섭;정관수;윤재륜
    • Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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    • 2001.10a
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    • pp.131-134
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    • 2001
  • 합성섬유의 방사공정 중 하나인 연신 공정은 섬유의 성질을 향상시키기 위해 고화된 상태의 섬유를 신장하는 공정이다. 연신할 때 변형이 국부적으로 일어나는 네킹이 일반적으로 관찰되는데, 이 현상은 방사 공정 후에 일어나는, 합성섬유의 역학적 성질과 미세구조에 큰 영향을 미친다[1]. 본 논문에서는 네킹을 분자 구조의 변화에 대한고려 없이 거시적인 관점에서 해석하였다. (중략)

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Brief on Market Trend and Manufacturers of Adaptive Cruise Control System (지능형 순항 제어 시스템 시장 전망 및 업계 개요)

  • Lee, K.H.;Hong, J.Y.;Kang, D.M.;Shim, J.Y.;Yoon, H.S.;Kim, T.W.;Kang, B.Y.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.20 no.6 s.96
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    • pp.24-35
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    • 2005
  • 지능형 순항 제어 시스템(Adaptive Cruise Control System)은 자동차가 정속을 기준으로 주행중 센서를 활용하여 감지하는 도로 상황에 대한 실시간 정보를 자동차의 전자제어부(ECU)로 연결하여 매 순간 안전상황을 확보하기 위한 조치를 자동으로 취한후 다시 정속 주행으로 복귀할 수 있도록 제어하는 차세대 첨단 자동차 주행용 안전 장치를 통칭하는 개념이다. 본 분석에서는 Global Industry Analysts의 보고 자료(2005.1.)를 바탕으로 시장 전망과 세계 업계의 개요를 소개하여 우리나라의 관련 기술에 대한 길잡이로 활용하고자 한다.

Technology Trend of Forward Looking Millimeterwave Radar (전방감지용 밀리미터파 레이더 기술 동향)

  • Hong, J.Y.;Kang, D.M.;Yoon, H.S.;Shim, J.Y.;Lee, K.H.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.22 no.5
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    • pp.35-45
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    • 2007
  • 전방감지용 밀리미터파 레이더는 밀리미터파를 이용하여 자동차 등에 부착하여 송신파와 수신파 사이의 도플러 주파수 편이를 이용하여 선행차량 또는 전방의 장애물과의 거리와 상대속도를 판별하는 장치로서 적응형 순항제어 시스템(adaptive cruise control system) 등에 이용되는 핵심 기술이다. 적응형 순항제어 시스템이란 레이더 센서를 통하여 전방 선행 차량, 장애물의 속도 및 거리를 측정하여 차량의 충돌 경고, 주행 상황에 따른 자동적인 감속 및 가속, 정속 등 안전주행을 가능하도록 하는 기술이다. 본 기술 동향 분석보고서는 전방감지용 레이더 센서에 관한 기술 동향을 살펴보기 위하여 미국, EU, 일본, 한국의 전방감지용 레이더 센서에 관한 특허를 1991년부터 2005년까지의 특허출원을 중심으로 연도별 추이와 국가별 특허출원 동향, 출원인별 특허출원 동향 등을 분석하여 전방감지용 레이더의 세계 기술 추이에 대하여 알아보았다.

Fabrication and Characterization of GaAs/AlGaAs HEMT Device (GaAs/AlGaAs HEMT소자의 제작 및 특성)

  • 이진희;윤형섭;강석봉;오응기;이해권;이재진;최상수;박철순;박형무
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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    • v.31A no.9
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    • pp.114-120
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    • 1994
  • We have been successfully fabricated the low nois HEMT device with AlGaAs and GaAs structure. The epitazial layer with n-type AlgaAs and undoped GaAs was grown by molecular beam epitaxy(MBE) system. Ohmic resistivity of the ource and drain contact is below 5${\times}10^{6}{\Omega}{\cdot}cm^{2}$ by the rapid thermal annealing (RTA) process. The ideality factor of the Schottky gate is below 1.6 and the gate material was Ti/Pt/Au. The HEMTs with 0.25$\mu$m-long and 200$\mu$m-wide gates have exhibited a noise figure of 0.65dB with associated gain of 9dB at 12GHz, and a transconductance of 208mS/mm.

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A super low noise characteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs fabricated by the improved T-Gate (개선된 T-gate기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성)

  • 이진희;윤형섭;최상수;박철순;박형무
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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    • v.32A no.3
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    • pp.118-123
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    • 1995
  • We have successfully fabricated a super low noise pseudomorphic HEMT(PHEMT) device with AlGaAs/InGaAs/GaAs sturcture by using improved T-Gate which have increased a large gaet cross-sectional area about two times in comparision with those of conventional T-gate processes. The PHEMSTs with 0.15$\mu$m-long and 140$\mu$m-wide gates have eshibited a super low noise characteristics, the noise figure of 0.45dB with associated gain of 10.87dB at 12GHz. The cut-off rewuqncy of the device is 94gHz with a transconductance of 418mS/mm.

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A Study on PV-LED Integrated Control and Management for Building Energy Saving (건물에너지 절감을 위한 PV-LED 통합 제어/관리 연구)

  • Park, Young-Choong;Kim, Seong-Dong;Yoon, Hyeong-Seob;Park, Song-Yee
    • Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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    • 2018.07a
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    • pp.521-523
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    • 2018
  • 본 논문은 PV시스템과 조명제어 알고리즘을 이용해 건물에너지 감소 ICT 융복합 플랫폼 개발에 관한 연구내용을 보여준다. 개발 된 ICT 플랫폼은 비 주거 건물 환경에서 전력을 절감 할 수 있으며, 건물에너지 감소를 위해 조명부하 감소에 중점을 두었다. 본 연구는 이를 위해 LED 디밍 알고리즘을 설계 및 적용하고, ESS 및 PV와의 연계를 통하여 건물에너지 절감 시스템을 제안한다. 제안 된 시스템은 ICT 융합 플랫폼과 LED제어 알고리즘으로 구성 되어 있으며 ICT 플랫폼은 계통 및 ESS 전력 제어/관리 및 모니터링을 수행하고, LED제어 알고리즘을 통해 상황인지기반 조명부하감소를 수행한다. 본 논문에서 제안 된 시스템의 연계 신뢰성을 시뮬레이터 및 에뮬레이터를 통하여 성능 분석을 하였다.

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A study on the DLTS spectrum and interface trap in MOS (MOS의 DLTS 신호특성과 계면트랩에 관한 연구)

  • 박병주;윤형섭;박영걸
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.3 no.3
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    • pp.195-204
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    • 1990
  • 본 논문에서는 컴퓨터를 근본으로 한 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) 장치를 구성하고 이를 이용하여 P형 Si MOS 캐패시터의 Si- $SiO_{2}$ 계면상태를 측정하여 트랩의 활성화에너지와 포획단면적 그리고 계면트랩밀도를 조사하였다. 실리콘 band gap내에 연속적으로 분포하고 있는 계면트랩을 상세히 고찰하기 위해 quiescent 전압의 위치를 변화시키면서 0.1volt의 미소한 펄스를 MOS에 주입하여 그 각각이 분리된 트랩이라고 생각되는 매우 좁은 에너지 영역에서 나오는 DLTS신호를 측정하였다. 또한 quiescent 전압의 위치, 주입펄스전압의 진폭 그리고 rate window의 선택이 DLTS 신호에 미치는 영향 등을 조사하였다. 측정결과, 계면트랩의 활성화에너지는 가전자대로 부터 0.16-0.45eV이고 포획단면적은 1.3*$10^{-19}$~3.2*$10^{-15}$$cm^{2}$, 계면트랩밀도는 1.8*$10^{10}$ ~ 2.5*$10^{11}$$cm^{-2}$e$V^{-1}$로 측정되었다.

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