Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)
- Volume 3 Issue 3
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- Pages.195-204
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- 1990
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
A study on the DLTS spectrum and interface trap in MOS
MOS의 DLTS 신호특성과 계면트랩에 관한 연구
Abstract
본 논문에서는 컴퓨터를 근본으로 한 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) 장치를 구성하고 이를 이용하여 P형 Si MOS 캐패시터의 Si-
Keywords