Electronics and Telecommunications Trends (전자통신동향분석)

Volume 15 Issue 6 Serial No. 66
/
Pages.113-117
/
2000
/
1225-6455(pISSN)

Electronics and Telecommunications Research Institute (한국전자통신연구원)

권호 표지

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Technology Trend of Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT Devices

Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향

윤형섭 (초고주파소자팀) ;
이진희 (초고주파소자팀) ;
이경호 (초고주파소자팀)

Published : 2000.12.15

https://doi.org/10.22648/ETRI.2000.J.150613 Citation PDF

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Abstract

본 고에서는 MHEMT(Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT) 구조의 특성, MHEMT 소자특성, MHEMT MMIC 결과와 향후의 기술동향을 논의한다.

Keywords