• Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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• v.11 no.1
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• pp.1-6
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• 2012

The polishing of silicon wafers has an important role in semiconductor manufacturing. Generally, getting a flat surface such as a mirror is the purpose of the process. The wafer surface roughness is affected by many variables such as the characteristics of the carrier head unit, operation, speed, the pad and slurry temperature. Optimum process conditions for experimental temperature, pH value, down-force, slurry ratio are investigated, time is used as a fixed factor. This study carried out a series of experiments at varying platen, chuck rpm and oscillation cpm taking particular note of the difference between the rpm and the affect it has on the surface roughness. In this experiment determine the optimum conditions for polishing silicone wafers.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2003.11a
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• pp.1816-1821
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• 2003

The sapphire wafer for blue light emitting device was manufactured by the implementation of the chemical and mechanical polishing process. The surface polishing of crystalline sapphire wafer was characterized by zeta potential measurement. The reduction process with the alkali slurry provides the surface chemical reaction with sapphire atoms. The poly-urethane pad also provides the frictional force to take out the chemically-reacted surface layers. The surface roughness was measured by the atomic force microscope and the crystalline quality was characterized by the double crystal X -ray diffraction analysis.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.20 no.12
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• pp.105-114
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• 2003

In this study, a dicing machine with vision system was built and an algorithm for automatic alignment was developed for dual camera system. The system had a macro and a micro inspection tool. The algorithm was formulated from geometric relations. When a wafer was put on the cutting stage within certain range, it was inspected by vision system and compared with a standard pattern. The difference between the patterns was analyzed and evaluated. Then, the stage was moved by x, y, $\theta$ axes to compensate these differences. The amount of compensation was calculated from the result of the vision inspection through the automatic alignment algorithm. The stage was moved to the compensated position and was inspected by vision for checking its result again. Accuracy and validity of the algorithm was discussed from these data.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.239-239
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• 2004

화학적 기계연마 공정(CMP)은 반도체 웨이퍼를 수 천$\AA$m/min의 MRR로 2$\mu\textrm{m}$ 이내의 W(Total Thickness Variable) 조건을 만족시키는 초정밀 광역 평탄화 기술이다. 일반적인 CMP 방법은 서로 다른 회전 중심을 갖고 동일한 방향으로 회전하는 웨이퍼와 다공성 패드 사이에 연마액인 슬러리를 넣어 연마하는 것이다. CMP 공정기술은 1990년 대 중반에 개발되었으나, 아직까지 연마 메커니즘이 완벽하게 밝혀지지 않았다. 따라서 장비를 최적화하기 위해 실험에 의존적일 수밖에 없으나, 이러한 방법은 막대한 자금과 노력뿐만 아니라 상당한 시간을 필요로 하기 때문에, 앞으로 가속될 연마대상 재료의 변화 및 다양한 속도에 발맞출 수 없다.(중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.2
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• pp.267-274
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• 2001

Removal of Cr, Ni and Cu impurities on Si surfaces using remote plasma-excited hydrogen was investigated. Si surfaces were contaminated intentionally by acetone with low purity. To determine the optimum process condition, remote plasma-excited hydrogen cleaning was conducted for various rf-powers and plasma exposure times. After remote plasma-excited hydrogen cleaning, Si surfaces were analyzed by Total X-ray Reflection Fluorescence(TXRF), Surface Photovoltage(SPV) and Atomic Forece Microscope(AFM). The concentrations of Cr, Ni and Cu impurities were reduced and the minority carrier lifetime increased after remote plasma-excited hydrogen. Also RMS roughness decreased by more than 30% after remote plasma-excited hydrogen cleaning. AFM analysis results also show that remote plasma-excited hydrogen cleaning causes no damage to the Si surface. TXRF analysis results show that remote plasma-excited hydrogen cleaning is effective in eliminating metallic impurities from Si surface only if it is performed under an optimum process conditions. The removal mechanism of the Cr, Ni and Cu impurities using remote plasma-excited hydrogen treatments is proposed to be the lift-off during removal of underlying chemical oxides.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.3
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• pp.190-198
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• 2010

Asymmetric model for plasma uniformity by Ar and $CF_4$ was modeled by the antenna structure, the diameter of chamber, and the distance between source and substrate for the development of plasma equipment for 450 mm wafer. The aspect ratio of chamber was divided by diameter, distance from substrate, and pumping port area. And we found the condition with the optimized plasma uniformity by changing the antenna structure. The drift diffusion and quasi-neutrality for simplification were used, and the ion energy function was activated for the surface recombination and etching reaction. The uniformity of plasma density on substrate surface was improved by being far of the distance between substrate wall and chamber wall, and substrate and plasma source. And when the antenna of only 2 turns was used, the plasma uniformity can improve from 20~30% to 4.7%.

• Journal of Welding and Joining
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• v.29 no.3
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• pp.19-26
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• 2011

본 논문에서는 액체의 표면장력을 이용하여 복수의 KGD 들을 웨이퍼 상태에서 일괄접합함으로써, 높은 수율의 삼차원적층칩을 빠른 생산성으로 제작할 수 있는, 고속 고정밀 접합기술인 자기조직화정합 (Selfassembly) 기술에 대해 소개를 하였다. 본 연구실에서 개발한 self-assembly 기술을 적용하여 5mm 각(角) 크기의 칩 500개를 1초 이내에 평균 $0.5{\mu}m$ 정도의 높은 정밀도로 8인치 웨이퍼상에 일괄접합시키는데 성공하였다. Self-assembly 기술에 의한 삼차원 칩 적층방식은, 기존의 pick-and-place 적층방식에서 높은 정밀도의 접합특성을 확보하는데 필요한 공정시간을 혁신적으로 단축하는 것이 가능하고, 웨이퍼 레벨에서 복수의 KGD 들을 일괄접합하는 것이 가능하므로, 향후 TSV 기술의 양산화를 실현하는데 적합한 고속 고정밀 접합 기술로서 기대가 크다. 현재 본 연구실에서는 두께가 $50{\mu}m$ 이하의 얇은 LSI 칩 및 메탈범프가 형성된 LSI 칩 등을 이용하여, self-assembly 기술에 의한 삼차원 적층형 집적회로 구현을 위한 접합기술을 개발 중에 있다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2000.10a
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• pp.703-706
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• 2000

반도체 제조 공정의 효율적인 제어와 감시를 위한 모니터링 시스템을 구성하기 위해서는 장비가 가진 특성과 시스템 환경에서 요구되는 조건들과 동작 상태 둥을 사용자 인터페이스를 통하여 한 눈에 감시할 수 있는 화면 레이아웃이 요구된다. 본 논문에서는 차세대 반도체 장비인 300mm 웨이퍼 가공용 Spinner 의 MMI 개발을 목표로 하여 장비의 구성 요소들의 선택적 접속에 따라서 사용자 인터페이스용 레이아웃을 능동적으로 설계하는 방법에 대하여 기술하였다. 장비를 구성하는 기본 요소들간의 관계를 정의하고, 장비의 사양과 웨이퍼의 가공 목적에 따라 구성 요소들을 자동으로 유연성있게 배치하도록 하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2020.11a
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• pp.248-251
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• 2020

전 반도체 제조 및 검사 공정 과정을 자동화하는 스마트 팩토리의 실현에 있어 제품 검수를 위한 검사 장비는 필수적이다. 하지만 딥 러닝 모델 학습을 위한 데이터 처리 과정에서 엔지니어가 전체 웨이퍼 영상에 대하여 결함 항목 라벨을 매칭하는 것은 현실적으로 불가능하기 때문에 소량의 라벨 (labeled) 데이터와 나머지 라벨이 없는 (unlabeled) 데이터를 적절히 활용해야 한다. 또한, 웨이퍼 영상에서 결함이 발생하는 빈도가 결함 종류별로 크게 차이가 나기 때문에 빈도가 적은 (minor) 결함은 잡음처럼 취급되어 올바른 분류가 되지 않는다. 본 논문에서는 소량의 라벨 데이터와 대량의 라벨이 없는 데이터를 동시에 활용하면서 결함 사이의 발생 빈도 불균등 문제를 해결하는 점진적 데이터 평준화 (progressive pseudo-labeling balancer)를 제안한다. 점진적 데이터 평준화를 이용해 분류 네트워크를 학습시키는 경우, 기존의 테스트 정확도인 71.19%에서 6.07%-p 상승한 77.26%로 약 40%의 라벨 데이터가 추가된 것과 같은 성능을 보였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.509-510
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• 2013