• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.46 no.5
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• pp.25-31
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• 2009

A low power SRAM using supply voltage charge recycling (SVCR-SRAM) scheme is proposed. It divides into two SRAM cell blocks and supplies two different powers. A supplied power is $V_{DD}$ and $V_{DD}/2$. The other is $V_{DD}/2$ and GND. When N-bit cells are accessed, the charge used in N/2-bit cells with VDD and $V_{DD}/2$ is recycled in the other N/2-bit cells with $V_{DD}/2$ and GND. The SVCR scheme is used in the power consuming parts which bit line, data bus, word line, and SRAM cells to reduce dynamic power. The other parts of SRAM use $V_{DD}$ and GND to achieve high speed. Also, the SVCR-SRAM results in reducing leakage power of SRAM cells due to the body-effect. A 64K-bit SRAM ($8K{\times}8$bits) is implemented in a $0.18{\mu}m$ CMOS process. It saves 57.4% write power and 27.6% read power at $V_{DD}=1.8V$ and f=50MHz.

• Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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• v.31 no.1
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• pp.29-34
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• 2009

This study was performed under four operational conditions for nitrogen removal in metal finishing wastewater. The conditions include electrode gap, reducing agent, the recycling of treated wastewater in 1st step and the simultaneous treatment of nitrate and other materials. Result showed that the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$ was highest at the electrode gap of 10 mm. As the electrode gap was shorter than 10 mm, the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$ decreased due to increasing in concentration polarization on electrode. And, in case that the electrode gap was longer than 10 mm, the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$ increased with an increase in energy consumption. Because hydrogen ions are consumed when nitrate is reduced, reducing reaction of nitrate was effected more in acid solution. As 1.2 excess amount of zinc was injected, the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$ increased due to increasing in amount of reaction with nitrate. As the effluent from 1st step in the reactor was recycled into the 1st step, the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$ increased. Because the zinc were detached from the cathode and concentration-polarization was decreased due to formation of turbulence in the reactor. The presence of $NH_4{^+}-N$ did not affect the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$ but the addition of heavy metal decreased the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$. As chlorine is enough in wastewater, the simultaneous treatment of nitrate and ammonia nitrogen may be possible. The problem that heavy metal decrease the removal efficiency of $NO_3{^-}-N$ may be solved by increasing current density or using front step of electrochemical process for heavy metal removal.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.05a
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• pp.880-883
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• 2012

In this paper, CMOS logic device, the INVERTER, NAND, NOR were designed and fabricated using 0.18um CMOS process for analyzing the effect of transient radiation damage. Fabricated logic devices were measured by applying a 1kHz input at 1.8V supply. As a result, the current consumption of less than 70uA and Rising time, Falling time was within a 4us. Experimental results transmission delays occurred when using a 50M cable for pulse radiation experiments.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.12
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• pp.14-24
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• 2001

An active MMIC L-band down converting mixer was designed by using GaAs FET with 0.5 ${\mu}$m gate length and 300 ${\mu}$m gate width. Main circuit topology was cascoded two active FETs. It consumed only 7.5 mA with 3V DC voltage supply. Conversion gain of 6.63 dB, minumium noise figure of 5.06 dB and Input $3^{rd}$ Order Intercept Point of 6.4 dBm were obtained. The chip size is 1.86 mm ${\times}$ 1.28 mm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.202-202
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• 2016

홀 플라즈마 엔진은 인공위성의 궤도유지 및 자세제어 등의 임무수행이나 우주선의 심우주 활용에 있어 필수적인 핵심 우주 부품이다. 홀추력기 연구개발의 최근 큰 관심사는 추력기의 장시간 운전성 확보 및 방전효율 향상이다. 최근 고리형 홀추력기에서 방전 영역 내 플라즈마와 유전체 벽 간의 충돌을 줄임으로써 전극 손상 및 전자온도 손실을 감소시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 전자석 코일을 활용해 방전 채널 벽면과 평행한 방향의 자기장을 형성하여 플라즈마와 유전체 벽 간의 상호작용을 감소시키는 연구들이 소개되고 있으며, 이러한 방법을 자기차폐(magnetic shielding)라 한다. 본 연구에서는 자기차폐 개념이 적용된 방전 소모전력 500 W급 고리형 홀추력기의 방전 및 추력 발생 특성을 연구하였다. 자기장구조 제어를 통해 유전체 벽과 플라즈마 간 상호작용을 감소시킨 결과, 500 V 수준의 방전 전압에서도 유전체 벽에서의 이차전자 발생에 의한 방전전류의 급격한 증가없이 안정적인 방전이 가능하였으며, 이러한 방전 형태는 기존의 자기차폐 개념이 적용되지 않은 일반 고리형 홀 추력기에서 구현하기 어려운 방전 상태이다. 추력기의 자기장 구조 최적화 조건에서 제논 가스 방전을 통해 얻은 최대 추력은 $22{\pm}1mN$, 비추력 $2200{\pm}70s$, 양극효율 $51{\pm}2%$로 매우 우수한 성능을 보여 주었다

• Proceedings of the Korean Institute of Intelligent Systems Conference
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• 2007.04a
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• pp.469-472
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• 2007

최근 많은 광대역 유무선 통신 응용분야에서 OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 방식을 표준기술로 채택하고 있다 OFDM 방식의 고속 무선 데이터 통신를 위한 FFT 프로세서는 일반적으로 DSP(Digital Signal Processing)로 구현되었으나, 큰 전력 소비를 필요로 한다. OFDM의 단점인 전력문제를 보안하기 위해서 Current-mode FFT LSI가 제안되었다. 본 논문에서는 Current-mode FFT LSI의 구현을 위한 저전력 IVC를 설계하였다. 설계된 IVC는 FFT Block의 출력이 $13.65{\mu}A$ 이상일 때에 3V 이상의 전압을 출력하고, FFT Block의 출력이 $0.15{\mu}A$ 이하일 때에 0.5V 이하의 전압을 출력한다. 그리고 IVC의 총 소모전력은 약 1.65mW이다. $0.35{\mu}A$ 공정에서의 저전력 IVC를 설계함으로서, $0.35{\mu}A$ 공정에서의 Current-mode FFT LSI의 설계가 가능해졌다. 저전력 OFDM 통신용 Current-mode FFT LSI는 무선통신의 발전에 기여할 것으로 전망한다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.24 no.7B
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• pp.1342-1350
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• 1999

In this paper, we have developed and analyzed the 2.45GHz microwave RFID system. Which is composed tag and interrogator using custom IC, and we have made the software driving the hardware for the bidirectional data transmission method. Using 3.6V power supply was used, the optimal identification range in the information transmission of the designed microwave RFID system operating at 9,600bps was l0m. In the control circuit of the tag, the low current consumption of 15$mutextrm{A}$ and the tag data transmission rate of 90% when the moving velocity was 80km/h.

• Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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• v.19 no.3
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• pp.25-30
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• 2014

This paper describes the design of gate driver circuits in distributed maximum power point tracking(DMPPT) controller for photovoltaic system. For the effective DMPPT control in the existence of shadowed modules, high voltage gate driver is applied to drive the DC-DC converter in each module. Some analog blocks such as 12-b ADC, PLL, and gate driver are integrated in the SoC for DMPPT. To reduce the power consumption and to avoid the high voltage damage, a short pulse generator is added in the high side level shifter. The circuit was implemented with BCDMOS 0.35um technology and can support the maximum current of 2A and the maximum voltage of 50V.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.500-500
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• 2013

특정한 유기 물질에 전류를 인가했을 때 발광을 하는 특성을 이용한 Organic Light Emitting Diode (OLED)는 뛰어난 색재현성, 적은 전력소모, 간단한 제조공정, 넓은 시야각 등으로 인해 PDP, LCD, LED에 이은 차세대 디스플레이 소자로 많은 관심을 받고 있다. 하지만 OLED는 각기 다른 굴절률을 가지는 다층구조로 되어있어 실질적으로 소자 밖으로 나오는 빛은 원래 생성된 빛의 20% 정도 밖에 되지 않는다. 이러한 광 손실을 줄이기 위해 Photonic Crystal (PC)이나 마이크로 렌즈 어레이(MLA) 부착 등과 같이 특정한 크기를 갖는 주기적인 나노 구조물을 이용한 광추출 효율 상승 방법은 특정 파장의 빛에서만 효과가 있는 한계가 있었으며 고가의 공정과정을 거쳐야 했으므로 OLED 소자의 가격 향상에 일조하였다. 이의 해결을 위해 본 연구는 유리기판 위에 랜덤한 분포를 가지는 나노 구조물 제작 공정법을 제안한다. 먼저 유리기판 위에 스퍼터로 금속 박막을 입혀 이를 Rapid thermal annealing (RTA) 공정을 이용하여 랜덤한 분포의 Island를 가지는 마스크를 제작하였다. 그 후 플라즈마 식각을 이용하여 유리기판에 나노 구조물을 형성하였고 기판 위에 남아있는 마스크는 Ultrasonic cleaning을 이용하여 제거하였다. 제작된나노구조물은 200~300 nm의 높이와 약 200 nm 폭을 가지고 있다. 제작된 유리기판의 OLED 소자로의 적용가능성을 알아보기 위한 광학특성 조사결과는 300~900 nm의 파장영역에서 맨유리와 거의 비슷한 수직 투과율을 보이면서 최대 50%정도의 Diffusion 비율을 나타내고 있고 임계각(41도) 이상의각도에서 인가된 빛의 투과율에 대해서도 향상된 결과를 보여주고 있다. 제안된 공정의 전체과정 기존의 PC, MLA 등의 공정에 비해 난이도가 쉽고 저가로 진행이 가능하며 추후 OLED 소자에 적용될 시 대량생산에 적합한 후보로 보고 있다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.42 no.7 s.337
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• pp.1-4
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• 2005

A four-channel photoreceiver ways have been realized in a 0.8$\mu$m Si/SiGe HBT technology for the applications of parallel optical interconnects. The receiver array includes four-channel transimpedance amplifiers (TIAs) and p-i-n photodiodes, where the TIAs exploit a common-emitter (CE) input configuration. Measured results demonstrate that the four-channel CE TIA array provides 3.9GHz bandwidth, 62dB$\Omega$ transimpedance gain, 7.5pA/sqrt(Hz) average noise current spectral density, and less than -25dB crosstalk between adjacent channels with 40mW power dissipation.