• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.145-150
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• 1992

화인세라믹의 우수한 공학적 특성으로 인한 최근의 이용가치 증대와 더불어 세라믹의 고정도 가공에 대한 관심이 높아지고 있다. 다이아몬드휠을 이용한 연삭이나 다이아몬드 공구를 이용한 선삭에 의해 세라믹의 고정도 표면생성을 실현시키고자 하는 연구가 활발히 진행되고는 있으나 아직 미흡한 상태에 있다. 따라서 전통적으로 고정도 표면생성에 널리 용되어 온 래핑에 의한 표면다듬질이 현재 행하여지고 있는 일반적인 방법이다. 본 연구에서는 화인세라믹의 고정도 표면생성을 위한 원통래핑 공정의 최적화 방법으로 실험계획법의 한 응용분야인 반응표면분석법을 이용하였으며 그 결과, 적은 재료와 시간으로 능률적이고 체계적인 실험 및 통계적인 분석을 통해서 원통세라믹의 고정도 표면생성을 위한 최적래핑조건을 찾아내었다.

• 임산에너지
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• 제22권1호
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• pp.24-29
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• 2003

낙엽송 간벌재 톱밥보드로 우드세라믹을 제조한 후 수지함침율 및 소성온도에 따른 우드세라믹의 표면온도 변화를 조사하였다. 히터의 표면온도가 증가함에 따라 우드세라믹의 표면온도도 급속히 증가하였으며 수지함침율 70∼80%, 소성온도 800∼1000℃ 조건으로 제조된 우드세라믹의 표면 온도가 상대적으로 높았다. 히터의 표면온도보다 우드세라믹 표면온도의 하강속도가 느려 우드세라믹이 오랜 시간 열을 유지하고 있음을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제32권4호
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• pp.1-7
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• 2004

소나무 간벌재로 톱밥보드를 만든 후 우드세라믹을 제조하여 수지함침율 및 소성온도에 따른 우드세라믹의 표면온도의 변화를 조사하였다. 실리콘러버 히터의 표면온도가 증가함에 따라 우드세라믹의 표면온도도 빠른 속도로 증가하였으며, 히터의 설정표면온도가 70℃ 일때 수지함침율 80% 시편의 표면온도는 53.9 ℃이었으며, 소성온도 1,000℃ 조건으로 제조된 우드세라믹의 표면 온도는 54.2 ℃로 가장 높았다. 히터의 표면온도보다 우드세라믹 표면온도의 하강 속도가 느려 우드세라믹이 오랜 시간 열을 유지하고 있음을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제35권3호
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• pp.22-28
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• 2007

소나무 간벌재로 톱밥보드를 만든 후 우드세라믹을 제조하여 승온속도 및 최고온도에서의 유지시간에 따른 우드세라믹의 표면온도의 변화를 조사하였다. 승온속도 $2^{\circ}C/min$와 유지시간 1시간의 조건으로 제조된 우드세라믹의 표면 온도가 가장 높았다. 히터의 표면 온도보다 우드세라믹의 표면온도의 하강 속도가 느려 우드세라믹이 오랜 시간 열을 유지하고 있음을 알 수 있었다.

• 임산에너지
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• 제21권1호
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• pp.1-6
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• 2002

본 연구는 MDF로 제조된 우드세라믹을 이용하여 온돌마루판 시공 시 하부소재로서의 사용가능성을 검토하고자 실시하였다. 650℃와 800℃로 소성하여 제조된 우드세라믹을 발열판 위에 올려놓고 발열판의 온도 및 시간의 경과에 따른 우드세라믹의 표면온도의 변화를 측정하였다. 우드세라믹의 표면온도는 밀도가 증가함에 따라 표면온도가 증가하였으며, 바닥온도의 변화에 따른 표면온도는 바닥온도가 증가함에 따라 표면온도가 증가하여, 측정온도가 높을수록 열전도가 빠름을 알 수 있었다. 그러나 우드세라믹 제조 시 소성온도에 따른 표면온도의 변화는 뚜렷한 차이를 발견할 수 없었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제38권1호
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• pp.43-48
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• 2010

톱밥과 왕겨로 제조된 혼합보드로 세라믹을 제조한 후 수지함침율 및 소성온도에 따른 세라믹의 표면온도를 조사하였다. 경과시간 초기에 표면온도가 급상승 하였으며 수지함침율 60~70%와 소성온도 $1200^{\circ}C$로 제조된 세라믹의 표면온도가 가장 높았다. 히터의 표면온도보다 혼합세라믹의 표면온도 하강속도가 느려 혼합세라믹의 열 보존력이 높음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.208.1-208.1
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• 2014

반도체 공정이나 디스플레이 공정에는 세라믹 부품이나 금속 부품이 많이 포함되어 있는데 이들 부품이 공정중에 발생하는 플라즈마 또는 여러가지 부산물에 의하여 부품의 표면에 다양한 코팅층이 형성된다. 그리고 이러한 공정에 들어가는 부품은 플라즈마 또는 각종 산에 취약한 특성을 나타내는데 이에 대하여 해결하기 위하여 세라믹 부품의 표면에 용사코팅이나 각종 물리, 화학적 방법을 이용하여 표면에 코팅층을 형성한다. 이렇게 형성된 코팅층중 특히 용사코팅에 의하여 형성된 코팅층은 플라즈마 공정이나 각종 부식성 산에 의하여 박리 또는 크랙이 발생하게 된다. 이러한 특성은 용사코팅층의 특성상 발생하고 있는 물리적 흡착에 의하여 흡착된 계면에서 박리가 발생할 가능성이 크게 된다. 이러한 현상을 줄이기 위하여 고열원을 통하여 열처리 실험을 실시한다. 특히 전자빔이나 레이저 열원은 고온 급속 가열에 의하여 고융점인 세라믹 용사코팅층 및 금속 코팅층을 재용융 및 응고과정을 통하여 미세구조를 변화시킨다. 특히 전자빔 열처리는 진공중에서 코팅층의 열처리를 행함으로써 코팅층 내에 있는 기공을 제거하거나 불순물을 제거하기에 용이하다. 본 연구에서 수행된 열처리는 기 코팅된 세라믹이나 금속재의 표면을 다량의 Electron의 Flux를 통하여 표면의 온도를 Melting point 직하 온도까지 상승하였다가 응고시킴으로써 코팅층의 특성을 변화시켰다. 이렇게 열처리된 시험편의 XRD를 통해 결정구조를 파악하고, SEM, OM을 통하여 기공의 제거, 결함의 제거 등을 확인하였으며 경도 변화를 통하여 물리적 특성의 변화를 함께 확인하였다. 평가 결과 결정구조의 변화와 더불어 경도등의 상승효과가 발생하였으며 코팅층 내에 존재하는 결함이 감소함을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권11호
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• pp.1276-1282
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• 1995

• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 1991년도 제14회 학술강연회초록집
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• pp.38-43
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• 1991

일반 금속재료로써 표면층이 최적의 tribology적 성질을 갖도록 하기에는 한계점이 있으며, 이러한 문제점을 해결하기 위한 수단으로 bulk material에 그것이 갖지 못하는 tribology적으로 우수한 성질을 그 표면층에 부여하는 기술로 여러가지 방법이 개발되어 왔으며 그 중 대표적인 것이 표면코팅기술이다. 표면 코팅기술중에서도 세라믹코팅기술이 최근에 들어 최고의 관심사가 되고 있는데 이는 세라믹재의 특징이 고강도, 고경도, 내산화성 및 내화학적 성질 등 기계 요소가 받는 가혹한 조건에 최적의 내성을 지니기 때문이다. 특히 세라믹재가 갖는 고강도, 고경도의 성질은 마찰, 맘모 특성의 향상을 극대화시킬 수 있기 때문에 마찰, 마모가 문제시되는 기계요소에의 적용전망은 매우 밝으며, 특히 취약한 환경 즉, nuclear industry와 우주산업 등과 같이 재래의 윤활기술이 제대로 적용될 수 없는 분야에 세라믹코팅기술의 응용은 절대적으로 필요하다. 현재 세라믹 재료의 마찰과 마모특성에 대한 연구는 전 세계적으로 비교적 활발히 진행되고 있으나 세라믹 코팅으로서의 세라믹재의 마찰, 마모특성에 대한 연구는 아직 초보단계에 있다고 할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 현재 응용범위를 넓혀가고 있는 TiN을 cathodic arc evporation(CAE)-기술을 이요하여 모재에 코팅을 하여 그 증착층의 재료적 특성 및 마모특성에 대하여 고찰하였다.

• 한국결정학회지
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• 제20권1호
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• pp.1-8
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• 2009

이온산란 분광법(ISS: Ion Scattering Spectroscopy)은 표면 원자의 구조를 러더포드 후방산란법(RBS: Rutherford Backscattering Spectroscopy) 등과 같이 실공간에 대하여 직접 정보를 얻는 방법이다. 그 중에서도 산란각도를 $180^{\circ}$로 고정하여 산란이온 검출기를 설치한 직충돌 이온산란 분광법(ICISS: Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy)은 산란된 이온의 궤적이 입사궤도와 거의 동일하기 때문에 산란궤적의 계산이 간단해지고, 최외층 뿐만 아니라 표면에서 수 층 깊이의 원자구조의 해석이 가능하다. 또한 비행시간형(TOF: Time-Of-Flight) 분석기를 채택하여 산란 이온 및 중성원자를 동시에 측정하면 입사 이온의 표면에서의 중성화에 관계 없이 산란 신호를 얻으므로 표면 원자의 결합 특성에 영향 받지 않고 사용할 수 있다. 본고에서는 ICISS의 원리, 장치, 측정방법 등을 소개한 제1편 및 반도체 표면구조, 금속/반도체 계면 등의 해석에 관하여 기술한 제2편에 이어서 세라믹 재료의 표면 원자 구조, 세라믹 박막의 원자 구조, 흡착 기체의 구조, 원소의 편석 등에 관한 연구 사례를 소개하고자 한다.