• 전기화학회지
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• 제5권3호
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• pp.99-105
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• 2002

본 연구는 전해액 조성별로 ICR18650전지를 제조하여 $80^{\circ}C$에서 $-30^{\circ}C$까지 온도에서 전지특성을 비교하였다. 1M $LiPF_6,\;EC: DEC$ 전해액에 유전율이 높은 DMC 및 EMC 용매를 첨가한 1M $LiPF_6,\;EC: DEC: DMC(3:5:5)$ 및 1M $LiPF_6,\;EC:\;DEC:\;DMC:\;EMC(3:5:4:1)$ 전해액을 사용한 ICR18650 전지는 고온이나 저온에서 높은 비에너지를 나타내었다. $1M LiPF_6,\;EC:\;DEC:\;DMC(3:5:5)$ 및 $1M LiPF6,\;EC:\;DEC:\;EMC(3:5:4:1)$전해액을 사용한 리튬이온전지의 비에너지는 상온$(25^{\circ}C)$에 대한 $-30^{\circ}C$의 비율로서 각각 $64\%$ 및 $59\%$를 나타내었다.

• 멤브레인
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• 제19권2호
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• pp.96-103
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• 2009

본 연구에서는 poly(vinyl chloride) (PVC)가지형 공중합체 전해질과 헤테로폴리산(HPA)을 이용하여 유무기 합성 전해질막을 제조하였다. poly(vinyl chloride)-g-poly(styrene sulfonic acid) (PVC-g-PSSA)는 PVC의 이차 염소의 직접적인 개시를 이용한 atom transfer radical polymerization (ATRP)로 합성하였다. 이때, HPA 나노입자는 수소 결합을 통해 PVC-g-PSSA 가지형 공중합체와 결합하는 것을 FT-IR spectroscopy를 통하여 확인하였다. 전해질막의 수소이온 전도도는 HPA의 질량 분율이 0.3이 될 때까지 상온에서 0.049에서 0.068 S/cm로 증가하였다. 이것은 HPA 나노입자 고유의 전도도와 가지형 공중합체가 가지고 있는 술폰산의 강화된 산도 때문이라고 추정된다. 합습률은 HPA의 질량 분율이 0.45까지 증가할수록 130에서 84%로 감소하였다. 이것은 HPA나노입자와 고분자 메트릭스 사이의 수소 결합의 상호작용 때문에 물을 흡수하는 site의 수가 감소한 결과라고 볼 수 있다. 열중량 분석결과 HPA의 농도가 증가할수록 전해질막의 열적 안정성이 강화된다는 것을 알 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제47권3호
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• pp.220-228
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• 2003

본 연구는 섬유 교질-현탁액내 PAE 고분자 전해질의 흡착성향과 Lanumuir 및 Freundlich식 흡착 평형에 대한 열역학적 특성을 규명하기 위하여 수행되었다. 섬유의 계면동전위적 특성은 흐름-전기적 방법의 제타전위 측정에 의해 분석되었고, PAE 고분자 흡착량은 고분자 전해질용액의 PCD 적정을 통해 측정되었다. PAE 고분자 내첨은 지료의 제타전위에 크게 영향을 미쳤으며 내첨 초기에는 제타전위 상승 효과가 크게 나타났지만 시간의 경과와 함께 전하 감쇄현상을 나타내었다. PAE 고분자는 저온 또는 상온에서 준-Langmuir 흡착 거동을 보여주었으나 온도가 증가하면서 Freundlich 지수항(v)이 비례적으로 높아지는 결과를 나타내었다. PAE 고분자의 Gibbs 흡착 자유에너지로부터 산출한 트레인 수$(N_{seg})$는 상온에서 약 7~8의 범위로 나타났고 고분자 고리의 노출반경은 약 215 nm로서 $10^{\circ}C$ 온도상승에 대해 점차 9%씩 증가하였다. 지료 내 PAE 고분자의 흡착 엔탈피는 -27~-29 kJ/mol이며 저에너지 물리흡착임이 규명되었다.

• 전기화학회지
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• 제13권3호
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• pp.211-216
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• 2010

전해액 상용성의 boron trifluoride lithium methacrylate ($BF_3$LiMA)를 기본으로 하는 겔 고분자 전해질 (gel polymer electrolytes, GPE)에서 $BF_3$LiMA의 농도가 이온전도도, 전기화학적 안정성에 미치는 영향을 AC impedance 측정법과 linear sweep voltammetry (LSV)를 통하여 평가하였다. 그 결과 $BF_3$LiMA가 4wt% (고분자함량 21 wt%)일 때, 상온 이온전도도가 $5.3{\times}10^{-4}Scm^{-1}$로서 가장 높게 관찰되었으며 4 wt% 전후로 다시 감소하였다. $BF_3$LiMA 기반의 GPE는 음이온이 고정되어 있는 자기-도핑형 계열로서 우수한 전기화학적 안정성을 확인하였다. 한편 $BF_3$LiMA 기반 GPE는 리튬금속과 비교적 불안정한 계면반응성을 보여주었지만 흑연/GPE/흑연, LCO/GPE/LCO에서는 높은 계면안정성을 형성하였다. 따라서 $BF_3$LiMA 기반의 GPE를 통하여 높은 상온 이온전도도와 전기화학적 안정성 및 흑연과 LCO 양극산화물에 대한 우수한 계면특성을 확보할 수 있었다.

• 한국가스학회지
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• 제15권4호
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• pp.27-32
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• 2011

가스 설비의 증가와 함께 가스 사용시 안전관리가 중요해 지고 있다. 그 일환으로 국가적인 차원에서 U-safety 시스템 도입이 추진되고 있으며, 이를 위해서는 실시간으로 현장에서 가스 누출에 대한 검지가 가능해야 한다. 탄화수소류로 주로 구성된 가스의 누출 감지는 열저항을 이용하는 방식이지만, 도관에 함께 매설될 시에는 폭발 가능성으로 인해 적용이 불가하다. 이에 상온에서 메탄이나 일산화탄소와 같은 탄화수소류를 전기화학적 촉매 반응으로 검지할 수 있는 방법이 필요하다. 본 연구에서는 다공성 골드 분말을 팰렛 형태로 제조하여 백금 나노입자를 전해 도금법으로 도핑하여, CO의 $CO_2$ 산화 반응을 유도할 수 있는 촉매 전극을 제조하였다. Pt/PAu 전극의 경우, 약 21%의 CO 전환률을 보여서 탄화수소류의 상온 촉매전환과 함께 전기화학적 센싱이 가능함을 보였다. 이는 추후 메탄 가스 검지에 적용할 수 있는 여지를 마련했다고 판단된다.

• 한국식품과학회지
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• 제41권5호
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• pp.578-586
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• 2009

본 연구는 전해수, 구연산, 차아염소산나트륨의 단독 또는 병용 처리에 의한 양상치에 오염된 총균수, 효모 및 곰팡이는 물론, 인위적으로 접종한 Listeria monocytogenes와 Escherichia coli O157:H7에 대한 저감화 효과를 조사하였으며 살균효능은 침지 시간(3, 5, and 10분)과 침지 온도(1, RT, 40, and $50^{\circ}C$)의 변화에 따른 각 처리구의 살균력을 조사하였다. 또한, 알칼리전해수와 구연산의 병용처리에 의한 양상치의 저장 중 갈변저해효과를 탐색 하였다. 침지 시간에 따른 각 처리구의 미생물 살균력은 전해수 (산성전해수와 알칼리 전해수)가 동일 조건에서 100 ppm 차아염소산나트륨보다 높았으며 모든 처리구에서 3분보다는 5분이상 침지 시 현저하게 살균력이 증가하는 것으로 나타났다. 침지 온도에 의한 각 처리구의 살균력은 온도가 증가할수록 증가하였으며 $40^{\circ}C$ 이상에서는 온도증가에 의한 살균력의 차이가 없었다. 반면, 알칼리 전해수나 구연산 단독 처리구에 비하여 병용 처리시 양상치에 오염된 총균수와 효모 및 곰팡이에 대한 살균력은 모든 침지 온도에서 현저하게 증가하였으며 $40^{\circ}C$ 이상에서는 완전하게 사멸하는 것으로 나타났으나 L. monocytogenes와 E.coli O157:H7는 같은 조건에서 처리구에 대한 저항성이 증가하였다. 한편, 양상치를 상온이나 $40^{\circ}C$에서 알칼리 전해수와 구연산 병용 처리구로 침지하여 $4^{\circ}C$에서 15일간 저장하였을 때 단독 처리구에 비하여 현저하게 갈변저해효과가 있는 것으로 나타나 병용처리구는 양상치의 품질향상은 물론 미생물의 생육을 저해하는데 좋은 항균제로 사용될 수 있을 것으로 사료된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권1호통권38호
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• pp.23-29
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• 2006

Si-웨이퍼와 FR-4 기판을 상온에서 초음파 접합한 후, 접합부의 신뢰성을 평가하였다. Si-웨이퍼 상의 UBM(Under Bump Metallization)은 위에서부터 Cu/ Ni/ Al을 각각 $0.4{\mu}m,\;0.4{\mu}m,\;0.3{\mu}m$의 두께로 전자빔으로 증착하였다. FR-4 기판위의 패드는 위에서부터 Au/ Ni/ Cu를 각각 $0.05{\mu}m,\;5{\mu}m,\;18{\mu}m$의 두께로 전해 도금하여 형성하였다. 접합용 솔도로는 Sn-3.5wt%Ag을 두께 $100{\mu}m$으로 압연하여 사용하였다. 시편의 초음파 접합을 위하여 초음파 접합 시간을 0.5초에서 3.0초까지 0.5초 단위로 증가시키면서 상온에서 접합하였으며, 이 때 출력은 1,400W로 하였다. 실험 결과, 상온 초음파 접합법에 의해 신뢰성 있는 'Si-웨이퍼/솔더/FR-4기판' 접합부를 얻을 수 있었다. 접합부의 전단 강도는 접합 시간에 따라 증가하여 접합 시간 2.5초에서 65N으로 가장 높게 측정되었다. 이 후 접합 시간 3.0초에서는 전단 강도가 34N으로 감소하였는데, 이는 초음파 접합시간이 과도해지면서 Si-웨이퍼와 솔더 사이의 계면을 따라 균열이 발생되었기 때문으로 판단된다. 초음파 접합에 의해 Si-웨이퍼와 솔더 사이에서 생성된 금속간 화합물은 ($(Cu,Ni)_{6}Sn_{5}$)으로 확인되었다.

• 한국재료학회지
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• 제22권1호
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• pp.8-15
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• 2012

Silicon-based thin film was prepared at room temperature by an electrochemical deposition method and a feasibility study was conducted for its use as an anode material in a rechargeable lithium battery. The growth of the electrodeposits was mainly concentrated on the surface defects of the Cu substrate while that growth was trivial on the defect-free surface region. Intentional formation of random defects on the substrate by chemical etching led to uniform formation of deposits throughout the surface. The morphology of the electrodeposits reflected first the roughened surface of the substrate, but it became flattened as the deposition time increased, due primarily to the concentration of reduction current on the convex region of the deposits. The electrodeposits proved to be amorphous and to contain chlorine and carbon, together with silicon, indicating that the electrolyte is captured in the deposits during the fabrication process. The silicon in the deposits readily reacted with lithium, but thick deposits resulted in significant reaction overvoltage. The charge efficiency of oxidation (lithiation) to reduction (delithiation) was higher in the relatively thick deposit. This abnormal behavior needs to clarified in view of the thickness dependence of the internal residual stress and the relaxation tendency of the reaction-induced stress due to the porous structure of the deposits and the deposit components other than silicon.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.481-484
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• 2004

다중 채널 전극 위에 세포를 성장시켜 전극면을 통해 검출되는 신경 신호의 손실을 줄이고 주파수의 변형을 줄이기 위해서 전극과 전해질의 사이의 impedance를 줄이는 것이 바람직하다. 전하 이동을 증대시키기 위해서는 낮은 impedance가 요구되며 이를 위한 전극의 개선 방안으로 전극면이 증착될 기판의 표면을 거칠게 하여 결과적으로 전극면의 표면적을 넓히는 방법을 모색하였다. 기판으로 사용되는 glass(Pyrex#7740)의 구성 물질 중에서 4%를 차지하는 $N^+$ 이온을 황산 용액으로 표면 처리하여 제거함으로써 매끈한 표면을 거칠게 하여 표면적을 넓힐 수 있다. 기판으로 사용되는 glass (pyrex#7740) $1cm{\times}1cm{\times}0.05cm$를 50%, 95% 농도의 황산 용액 내에서 각각 30분, 60분 동안 상온에서 표면처리를 진행하였다. AFM을 이용하여 표면을 관찰한 결과 황산 용액 95%에서 30분간 표면 처리를 진행한 시편에서 최대 $4000{\AA}$정도의 조도를 얻었다. 이후 동일 시편에 대해 전극으로 사용될 Ti/Au를 각각 $500{\AA}/2500{\AA}$ 증착 후 사진식각 공정으로 MEA(Multi-channel electrode array)를 제작하여 impedance를 측정한 결과, 표면 처리 후 impedance가 70% 개선되었음을 측정하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권1호
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• pp.19-26
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• 2007

본 연구의 목적은 CMOS 이미지 센서용 Au 플립칩 범프와 전해 도금된 Au 기판 사이의 초음파 접합의 가능성 연구이다. 초음파 접합 조건을 최적화하기 위해서, 대기압 플라즈마 세정 후 접합 압력과 시간을 달리하여 초음파 접합 후 전단 시험을 실시하였다. 범프의 접합 강도는 접합 압력과 시간 변수에 크게 좌우되었다. Au 플립칩 범프는 상온에서 성공적으로 하부 Au 도금 기판과 접합되었으며, 최적 조건 하에서 접합 강도는 약 73 MPa이었다.